大家都知道提高LED驅動電源效率最常見的就是優(yōu)化電子變壓器參數設計，減少振鈴帶來的渦流損耗。但是除了這樣還有沒有相關的技巧呢？現在跟大家分享提高LED驅動電源效率的八種技巧希望能夠幫到大家。
2015-09-22 16:21:57
4547 透明手機技術發(fā)展出現重大突破。斯坦福大學（Stanford University）近來全力發(fā)展以硅為基礎的納米線（Nanowire）技術；納米線極為纖細，超越人眼可偵測范圍，不僅能儲存大量電能，催生新世代高能量納米電池，亦可組成透明電極網絡，實現手機電池、屏幕元件透明化設計。
2013-04-23 09:24:291924 根據丹麥哥本哈根大學玻爾研究所的研究證實，采用納米線制成的LED只需使用更少的能源，就能提供更明亮的光源。
2015-07-01 10:30:26998 多個分層；隨后在此基礎上制作了包含多個替代層的“魚鰭”，有些類似于具有多種沉積巖結構的巖石柱。在該步驟之后，團隊移除硅鍺，在每一鰭中只保留下兩根硅納米線。
2016-11-23 10:54:344515 型LED的封 裝技術也需進一步提高，從結構設計、材料技術及工藝技術等多方面入手，提高產品的封裝取光效率。一、影響取光效率的封裝要素1.填充膠的選擇根據我愛方案網（52solution）提供的折射定律
2011-12-25 16:17:45
matlab圖像處理中光條中心提取的程序代碼怎么寫？
2012-05-10 12:09:43
納米結構的幾何形狀只要滿足特定條件，并匹配入射光的波長，就能夠大幅提高光學傳感器的靈敏度。這是因為局部納米結構可以極大地放大或減少光的電磁場。據麥姆斯咨詢報道，由Christiane Becker
2018-10-30 11:00:20
。 1、柔性壓電納米發(fā)電機 柔性壓電納米發(fā)電機（PENG）的原理是在外力作用下，晶體結構的中心對稱性被破壞，形成壓電勢。例如，將ZnO納米線兩端連接電極，封裝在柔性基板上?；鍙澢鷷r引起的ZnO內部
2020-08-25 10:59:35
倍的太陽射線。由于納米線的直徑小于太陽光的波長，因此在納米線內部和周圍能引起光強度共振?？肆_格斯拉普博士解釋說，共振能夠集中太陽光，太陽光又轉化為能量，這樣太陽能的轉化效率大大提高。此外，有瑞典科學家
2013-12-03 12:38:29
的太陽射線。由于納米線的直徑小于太陽光的波長，因此在納米線內部和周圍能引起光強度共振?？肆_格斯拉普博士解釋說，共振能夠集中太陽光，太陽光又轉化為能量，這樣太陽能的轉化效率大大提高。此外，有瑞典科學家也
2013-03-29 17:20:22
W。Yoon等人。OE,23,28849-28856（2015）]作為參考。在這個例子中，我們不僅計算了由周期結構反射和傳輸的光的偏振相關效率，而且還可視化了電場如何在內部傳播，清楚地說明了納米線
2025-03-28 08:55:41
W。Yoon等人。OE,23,28849-28856（2015）]作為參考。在這個例子中，我們不僅計算了由周期結構反射和傳輸的光的偏振相關效率，而且還可視化了電場如何在內部傳播，清楚地說明了納米線排列
2025-04-28 10:09:23
W。Yoon等人。OE,23,28849-28856（2015）]作為參考。在這個例子中，我們不僅計算了由周期結構反射和傳輸的光的偏振相關效率，而且還可視化了電場如何在內部傳播，清楚地說明了納米線
2025-05-26 08:45:20
進行的AlGaInP紅光垂直結構超高亮度LED芯片制作方法。首先進行MOCVD外延，再以高熱導率Si、SiC、金屬等材料作為襯底，將LED外延層粘接在其上并制成芯片。其結構為:工藝制作先在高熱導率材料
2010-06-09 13:42:08
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
光學 Mie 共振可以通過使用半導體核電介質殼 (CS) 和金屬核半導體殼電介質外殼 (CSS) 納米線異質結構來增強。 文章中，一種新穎的自上而下蝕刻方法來制造非常薄、高縱橫比和垂直 III-V 族
2021-07-09 10:20:13
【原創(chuàng)】史上最專業(yè)的垂直結構LED逆向解剖報告發(fā)布時間：2014-11-18金鑒檢測選擇分享這個案例，并不是為了評判某家公司產品的質量問題，因為通過單個的生產次品來評價整體的產品質量是毫無意義
2015-07-06 09:21:49
以色列Tel Aviv大學的研究人員日前宣布，開發(fā)出一種稱為縮氨酸分子的氨基酸鏈，能自行組裝成微小的立方體，這些立方體可用銀填充制成納米級線。這些研究人員稱這是首次合成分離均勻的納米線，可最終促成
2018-11-20 15:53:47
電源提高 LED 驅動器效率圖 4 為圖 1-2 示意圖所描述電源的照片。即使這種電源產生的輸出功率大致相同，但也存在一些影響電源尺寸的明顯差異。升壓電源的電感器尺寸明顯更小，因為其蓄能要求更低。相比
2011-11-21 10:38:47
基于硅納米線的生物氣味傳感器是什么？硅納米線表面連接修飾OBP蛋白分子的方法有哪些？基于硅納米線的氣味識別生物傳感器的結構是如何構成的？
2021-07-11 07:43:02
的外量子效率取決于外延材料的內量子效率和芯片的取光效率，由于大功率白光LED采用了MOCVD外延生長技術和多量子阱結構，并在精確控制生長和摻雜以及減少缺陷等方面取的突破性進展，其外延片的內量子效率已有很大提高
2013-06-04 23:54:10
，效率高，比傳統的照明模塊的低功耗。LED是利用納米線3至4μm長，直徑為5 nm的電子束光刻建。雖然這不是一個商業(yè)的過程，這表明它可能會產生約30000μm2有效發(fā)光面積該團隊還開發(fā)了壓電納米發(fā)電機
2016-03-04 11:23:14
亞特（Anatoly Zayats）說：“各種不同種類的納米結構設計都被應用在了太陽能電池的設計上，目的是用來提高光的吸收效率?！ ∥覀兊难芯砍晒馕吨?，今后不必再讓太陽能電池固定在一定角度，不用擔心
2013-09-17 17:09:20
:BDXX.0.2009-06-031【正文快照】：美國加州大學伯克利分校和北京大學的研究人員聯合研制出世界最小的半導體激光器。研究人員研制了一款高增益硫化福納米線，然后將納米線與銀金屬相隔5 nm，激光由此間隔出射。由于激光被大量儲存在這個非金屬的狹小間隔里，所以大大降低了光損耗的可能性。這項研究成果打破了全文下載
2010-04-24 10:11:02
如何利用表面粗化技術提高發(fā)光二極管的出光效率？
2021-04-20 06:02:27
以色列TelAviv大學的研究人員日前宣布，開發(fā)出一種稱為縮氨酸分子的氨基酸鏈，能自行組裝成微小的立方體，這些立方體可用銀填充制成納米級線。這些研究人員稱這是首次合成分離均勻的納米線，可最終促成銀
2018-12-03 10:47:43
線激光三維測量中光條中心提取的精度對測量結果影響較大。本文主要介紹了影響光條中心提取的若干因素，著重闡述光條的物理特性和被測物本身特性對中心提取的影響并提出改
2010-03-03 15:03:59
16 研究了照明用大功率LED的封裝對出光的影響， 分析了大功率LED封裝結構對提高外量子效率的影響， 同時比較了不同LED封裝材料對LED出光的影響， 提出了用左手材料替代目前廣泛
2010-10-23 08:58:2038 紫外球頭385nm垂直結構芯片封裝大功led燈珠品牌名稱：四維明光電規(guī)格尺寸: 3.5*3.5*3.0mm功 率: 3W顯 指: 無電 流:700ma電 壓: 3.
2024-07-17 17:45:36
金屬介電核殼結構納米材料的應用
金屬介電核殼復合納米材料由于其表面的等離子體共振特性,已經在納米光子學、生物光子學、醫(yī)學
2009-03-06 09:30:011232 提高取光效率降熱阻功率型LED封裝技術
超高亮度LED的應用面不斷擴大，首先進入特種照明的市場領域，并向普通照明市場邁進。由于L
2009-12-20 14:31:22705 LED的內量子效率與電-光效率簡述及計算
摘要：在LED的PN結上施加正向電壓時，PN結會有電流流過。電子和空穴在PN結過渡層中復合會產生光子，然
2010-05-11 08:57:516877 碳納米基的透明電極由于陽光通透率要高12%，可以提高薄膜太陽能板的效率,加州斯坦福大學的學生開發(fā)出了一種先進的設
2010-06-29 15:30:12920 LED發(fā)光效率提高方法需注意以下幾類技術：
一、透明襯底技術 InGaAlP LED通常是在GaAs襯底上外延生長InGaAlP發(fā)
2010-07-23 09:49:482780 LED芯片的外量子效率受到芯片結構、熒光粉材料等多種因素的影響，其中主要原因之一就是背部金屬反射層的反射率限制了出光效率。本論文提出了一種多層介質光的回歸反射層結構，
2011-04-15 16:00:2722 隨著LED在照明領域的逐步應用，市場對白光LED光效的要求越來越高，同時價格也成為LED能否迅速得到推廣的關鍵因素，市場急需要高性價比的LED產品。GaN基垂直結構LED具有良好的散熱能
2011-11-01 16:02:382058 近日，美國佐治亞理工學院的研究人員利用氧化鋅納米線大幅提升了氮化鎵LED將電流轉化為紫外線的效能。
2011-11-17 09:21:27833 實驗使用熔融KOH腐蝕綠光LED外延片獲得預計的粗糙形貌,再通過常規(guī)工藝制成器件,結果給出不同表面做成器件的光強。實驗證明經過表面粗化處理的器件,外量子效率提高了約25.7%。
2012-02-22 11:00:374 美國普渡大學（Purdue University）的研究人員正著手開發(fā)一種未來制造方法，能生產具備潛在革命特性的微小結構；該「納米機械工廠（nano machine shop）」專案旨在研究納米線路（nanowires）
2012-09-04 09:18:33764 為了提高功率型LED發(fā)光效率，一方面其發(fā)光芯片的效率有待提高；另一方面，功率型LED的封裝技術也需進一步提高，從結構設計、材料技術及工藝技術等多方面入手，提高產品的封裝取光效率。
2013-02-20 10:15:063069 的PLED器件不同，此產品采用白色材料模制成型，在LED器件中較不醒目，特別適合室內應用。 它還同時反射更多光線，從而提高光引擎的整體效率。
2013-08-02 09:20:05968 雙包層光纖激光器泵浦光耦合及激光反饋研究，有興趣的同學可以下載學習
2016-05-04 15:48:5612 瑞典隆德4月22日，在一項針對太陽能的重大突破技術上，瑞典的先進材料新興公司Sol Voltaics AB已經證明其納米線技術在薄膜上取得了校準和定向的成功。此項成就彰顯太陽能納米線制造迄今最重
2016-04-22 11:46:31974 
瑞典隆德—5月11日—瑞典先進材料新興公司 Sol Voltaics 已完成一輪創(chuàng)紀錄的1700萬美元新的股權投資及資金挹注，以加速其納米線太陽能薄膜串聯層技術的商業(yè)化進程。
2016-05-12 15:33:511273 近年來半導體照明飛速的發(fā)展，曾經在大功率LED封裝的形式也逐漸發(fā)生了變化，其中有正裝，倒裝，和垂直結構。多年來正裝一直主導著LED封裝的市場，但是隨著LED功率的做大和結構的穩(wěn)定及對出光的要求倒裝慢慢地迎頭趕上，勢不可擋。
2016-10-21 15:04:258997 芯片圖解 為了避免正裝芯片中因電極擠占發(fā)光面積從而影響發(fā)光效率，芯片研發(fā)人員設計了倒裝結構，即把正裝芯片倒置，使發(fā)光層激發(fā)出的光直接從電極的另一面發(fā)出（襯底最終被剝去，芯片材料是透明的），同時，針對倒裝設計出方便LED封裝廠焊線的結構
2017-09-29 17:18:4376 透明手機技術發(fā)展出現重大突破。斯坦福大學（Stanford University）近來全力發(fā)展以硅為基礎的納米線（Nanowire）技術；納米線極為纖細，超越人眼可偵測范圍，不僅能儲存大量電能，催生
2017-12-07 12:20:01965 在線結構光三維測量系統中，結構光中心提取的速度和精度直接影響到系統的整體性能?；趲缀沃行姆?、方向模板法和灰度重心法，提出了一種快速提取結構光中心的算法。首先，先對圖像進行預處理，通過幾何中心法快速
2017-12-26 18:43:570 日本東京大學教授加藤泰浩（Yasuhiro Kato） 和其研究團隊成功從南鳥島外海里的稀土金屬提取出釔（Yttrium） 和鈰（cerium）來用作LED發(fā)光材料。
2017-12-29 14:24:406148 上海微系統所首次提出了微納光纖耦合的SNSPD器件結構。該結構將SNSPD器件置于微納光纖的倏逝場內，從而實現納米線對微納光纖中傳輸的光子吸收。
2018-01-02 13:36:2314451 金納米線作為一維納米材料的主要組成，由于其良好的化學穩(wěn)定性和高電導率，較高的表面活性以及優(yōu)良的生物親和性，使其在納米結構器件和生物傳感器等方面具有廣闊的應用前景。本文采用分子動力學方法，以一維金納米線為研究對象，主要研究了單晶金納米線和孿晶結構納米線拉伸力學行為和微觀形變機理。
2018-02-11 10:59:320 從而可以調控量子點的激發(fā)。利用該方法可以實現對相距幾十納米的兩個量子點的選擇性激發(fā)，實驗中通過對相距100 nm的兩個量子點的選擇性激發(fā)演示了該技術的可行性。通過將結構照明顯微成像技術與金屬納米線上的表面等離激元干涉場相結合，利用模擬計算實現了對多個量子點的超分辨光學成像，分辨率約為96 nm。
2018-05-10 10:02:076580 
本文首先介紹了LED發(fā)光原理，其次介紹了LED發(fā)光效率相關概念及影響因素，最后介紹了提高LED的發(fā)光效率的方法。
2018-06-04 09:36:3227944 
文中還描述了這種接觸式印刷方法，包括如何從對齊的納米線獲得這種電子層，以及使用整體納米線組合來開發(fā)組件。相較于基于單納米線的組件，統計上來看，納米線組合的尺寸變化更少得多，因此，基于多納米線的組件在大面積上較具有可接受的響應均勻度。
2018-08-23 10:34:154129 在所有的新材料技術中，納米材料是近年來研究最深，應用速度最快的新型材料。其中納米線是被定義為一種具有在橫向上被限制在100納米以下（縱向沒有限制）的一維結構材料，這種尺度上，納米線具有量子力學效應，因此也被稱作“量子線”。
2018-10-14 10:57:002657 該團隊研究的光子納米結構由具有規(guī)則孔狀圖案的硅層組成，其上覆有由硫化物制成的量子點涂層。激光激發(fā)后，接近局部場放大的量子點，比在無序表面上發(fā)出了更多的光。這能夠在經驗上證明激光如何與納米結構相互作用。
2018-10-15 16:20:361811 最近，科研人員發(fā)現血液流經納米粒子會在其表面產生剪切力，能誘導楊氏模量低的納米粒子發(fā)生形變，抑制對蛋白的非特異性吸附，避免細胞對納米材料的吞噬產生的副作用，顯著提高納米材料的生物相容性，相關成果發(fā)表在J. Am. Chem. Soc. 2018, 140, 14211上。
2018-11-26 11:45:583758 針對電影評分中特征提取效率較低的問題，提出了與QR分解相結合的Nystrom方法。首先，利用自適應方法進行采樣，然后對內部矩陣進行QR分解，將分解后的矩陣與內部矩陣進行重新組合并進行特征分解
2019-01-04 09:36:191 到2008年GaN基LED外量子效率發(fā)展變化圖。從圖上中可以看到提高LED的發(fā)光效率可以從兩個方面考慮：（1）提高內量子效率（2）提高光提取效率。
2019-01-29 14:30:3112663 美國賓州州立大學（Pennsylvania State University，簡稱“Penn State”）的研究員發(fā)現通過仿制螢火蟲的發(fā)光結構能夠提高LED的發(fā)光效率。
2019-02-24 11:03:512827 金屬納米粗化圖形反射鏡被廣泛應用到提高LED光提取效率。然而，金屬納米粗化圖形反射鏡帶來的光吸收損耗卻經常被忽略。中國科學院半導體研究所半導體照明研究開發(fā)中心于治國教授對影響金屬納米粗化圖形反射鏡光學性能的因素進行了深入研究。
2019-03-10 10:51:186730 
美國羅徹斯特理工學院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構，有助于提高Micro LED顯示器的效率。
2019-03-13 15:58:002414 美國羅徹斯特理工學院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構，有助于提高Micro LED顯示器的效率。
2019-03-15 11:22:414827 美國國家標準與技術研究所（NIST）科學家成功開發(fā)出納米線UV LED，由于采用了特殊類型的外殼，其發(fā)光強度是基于更簡單外殼的同類LED產生的光強度的五倍。
2019-04-01 16:03:054742 該技術首次實現了“無漏電流”GaN橋接納米線，研制出的GaN納米線氣體傳感器將推動傳感芯片的發(fā)展。
2019-06-03 14:35:554522 實驗是為了改進昂貴的商用芯片?？茖W家采用透射電鏡可以檢測納米粒子，能夠詳細研究單個銀納米線。這讓透射電鏡設計和制造樣品芯片，能夠無比準確的空間分辨率表征和操縱納米材料。
2019-10-01 17:16:003190 于是，美國勞倫斯·利弗莫爾國家實驗室（LLNL）的研究人員開始研究有序的金屬納米線網格。它能夠提供高透射率（由于納米線的直徑較?。?，高導電率（由于網格中的觸點較多），并使用了更普通的元素。這項研究發(fā)表在《軟物質（Soft Matter）》期刊上。
2019-12-11 14:14:193867 常規(guī)LED燈存在著亮度不足等缺憾，而導致普及率不夠。功率型LED燈卻有著亮度足使用壽命長等優(yōu)勢，但是功率型LED卻有著封裝等技術困難，下面賢集網小編與大家分享影響功率型LED封裝取光效率的因素
2020-01-18 11:31:006824 ， Device R）和含有金屬反射鏡的側壁傾斜結構（i.e.， Device 1），Device 3的光功率得到大幅度提升，這主要得益于金屬反射鏡對光的吸收減弱，傾斜側壁的全內反射效應增強，光逃逸路徑增加，提高了器件光提取效率。 此外，技術團隊基于APSYS軟件成功開發(fā)出了含有傾斜結構且電極互連模型
2020-06-15 15:44:471173 
上海微系統所研究人員利用分子束外延技術，成功制備出大面積、高密度且高長寬比的Ge納米線，并利用其作為模板，通過二次沉積法獲得了Sn組分可達~10%的GeSn/Ge雙層納米線結構。
2020-06-01 14:23:563055 
下圖所示，中心的示意圖描繪了一個LED，該LED帶有等離子（如貴金屬）納米顆粒的“元網格”，尺寸遠小于發(fā)射光的波長。在LED芯片的環(huán)氧樹脂外殼內，在距LED芯片/封裝材料界面適當高度處放置一個經過
2020-08-03 14:17:591487 的相互作用，并為器件的設計制備提供重要的指導作用。 眾所周知，傾斜側壁全反射鏡結構可以把橫向傳播的TM極性光直接反射到出光面的逃離錐，從而極大地提高深紫外LED的光提取效率［1］。然而，常規(guī)藍光LED采用的Ag反射鏡對于深紫外波段的反
2020-09-21 16:38:331265 
低維材料（如二維材料、納米線等）憑借不同尋常的優(yōu)異光電特性引起了廣泛的研究興趣，有望成為高性能探測器件的光敏材料。最常見的低維材料光電探測器件結構就是金屬-低維材料-金屬的結構。在低功耗、低暗電流的零偏壓工作模式下，器件的光響應主要來源于低維材料與金屬電極交界處的類肖特基結。
2020-09-20 09:08:323605 ）上的深紫外LED（DUV LED）的計算模型。研究發(fā)現：NPSS能夠提高DUV LED中橫向傳播的TM極性光的光提取效率，但會抑制偏向垂直傳播的TE極性光的光提取效率（如圖1所示）。造成這種現象的原因是，當DUV LED中采用NPSS結構時，NPSS會把部分橫向傳播的光散
2021-02-23 11:01:281116 
如圖2所示。可以發(fā)現Device 2的光提取效率顯著大于Device 1，這主要是由于p-GaN層的吸收效應降低，增加了器件內部的光提取通道。
2021-09-14 13:43:572473 
引言 LED器件發(fā)出的光子往往會被氧化銦錫(ITO)透明電極與空氣/樹脂界面的全內反射(TIR)捕獲在LED芯片內，導致光提取效率較低。通過在氧化銦錫電極表面上形成納米尺度的圖案，可以有效地降低該
2022-02-15 16:12:573957 
近幾年來，氮化鎵基發(fā)光二極管取得了持續(xù)快速的發(fā)展。氮化鎵基發(fā)光二極管目前被用于各種顯示和照明應用，包括交通信號、全彩色顯示器、汽車照明和普通室內照明。研究表明，倒裝芯片發(fā)光二極管(FCLED)結構在提高光提取效率方面非常有效，可用于高功率和高效率的發(fā)光二極管。
2022-04-08 14:49:29738 
首次在極細的InAs納米線上原位外延生長出超導鋁薄膜，并觀察到硬超導能隙和雙電子庫侖阻塞等現象。通過調節(jié)納米線的直徑，為未來研究馬約拉納零能模打開了一個新的實驗維度。
2022-04-11 13:17:432202 研究人員對硅納米線Bio-FET進行了制造和表征，如圖1a和圖2所示，該器件由硅納米線FET器件和PDMS微流體層構成，尺寸為15mm × 26mm，具有用于通過外部注射泵加載外泌體樣品的入口和出口（圖2a）。
2022-06-08 09:28:192436 基于此，在本文中，研究了一種基于硅納米線陣列/石墨烯異質結的高靈敏度近紅外光探測器，并對其電性能與光學特性進行了研究。
2022-11-24 11:20:562613 和互連的3D網絡結構以及良好的紫外靈敏度，經常被應用于提高基于SAW的紫外檢測能力。然而，ZnO納米線通常是親水性的，因此，環(huán)境參數（例如濕度）的變化將顯著影響基于SAW的紫外傳感器的檢測精度和靈敏度。
2022-11-29 15:19:461978 與塊狀材料相比，納米線中的電子狀態(tài)確實有所不同。由于納米線的量子效應，納米線的電子將占據離散的帶，而不是連續(xù)的狀態(tài)。即使每個電子都受到量子限制——因為納米線內的勢阱彼此靠近——它們也可以通過電子在勢阱之間穿隧連接起來。
2022-12-19 10:58:201681 納米線是一種很長很細的納米材料。在技術術語中，這意味著它們具有高縱橫比?？紤]到這是一個與傳統電線相似的幾何形狀，它們在電子和納米電子設備中具有很大的潛力。
2022-12-19 10:56:446216 為什么納米線對電子產品來說可能是一件大事
2022-12-30 09:40:061300 PEACOQ探測器是由厚度僅為7.5納米的納米線制成的，或比人的頭發(fā)薄約1萬倍。在非常冷的溫度下操作它--大約1開爾文，或-458°F--使納米線變得超導，這意味著它們沒有電阻。
2023-01-31 09:36:091020 碳化硅納米線，SiC納米線（SiC nanowires），SiC短纖維（SiC fiber），SiC晶須（SiC whiskers）的主要應用方向，檢測XRD圖譜SiC納米線是一種徑向上尺寸低于
2023-02-20 15:52:540 SiC納米線是一種徑向上尺寸低于100nm，長度方向上遠高于徑向尺寸的單晶纖維。SiC納米線生產技術一直都是全球研究的中
心及難點。SiC納米線在全球產量不高，一般為實驗室水平生產（每次產量約幾十微克）。
2023-02-21 09:24:050 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學和機械性質，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的電子和光學性質，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:151497 根據工作機理，單光子探測器主要有光電倍增管（PMT）、單光子雪崩二極管（SPAD）、超導納米線單光子探測器（SNSPD）等類型。其中，SNSPD因其具有探測效率高、時間精度高、探測速度快和暗計數率低等特點，并且通過探測器結構設計后具備光子數分辨的能力
2023-05-10 09:37:092511 
研究人員首先對銀納米顆粒/銅納米線進行了合成，并對制備的銅納米線和化學沉積后負載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進行了形貌和結構表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:282533 
1. 點結構光的缺點 點結構光只能獲取單個點的深度信息，如要獲取整個被測對象表面結構信息，需要沿著水平和垂直兩個方向逐點掃描，效率比較低。點結構光技術只是對點狀光斑進行處理，算法簡單，計算復雜度
2023-06-26 11:33:231380 來自斯圖加特大學(德國)的 Harald Gie?en 教授的團隊正在致力于將光子學和納米技術用于新的應用和設備。研究人員正在研究通過控制等離子體效應來創(chuàng)建顯示器的技術。等離激元學研究光與金屬納米
2023-08-23 06:33:33795 
近日，中國科學院上海微系統所尤立星、李浩團隊與武愛民團隊合作，利用內嵌2D光子晶體結構實現了極低占空比超導納米線單光子探測器，在保證高吸收效率的同時成倍提高了探測速度。
2023-12-06 09:39:372236 
在納米尺度上打印金屬可創(chuàng)建具有有趣功能的獨特結構，對電子設備、太陽能轉換、傳感器和其他系統的發(fā)展至關重要。
2024-01-22 14:43:471129 臺階儀具備亞埃級垂直分辨率，可實現納米級別測量和分析。在納米加工領域，臺階儀能評估材料表面形貌和結構，優(yōu)化納米加工過程。其線性可變差動電容傳感器具有高分辨率，可測量蝕刻、濺射等多種工藝。臺階儀的應用不僅能解決納米材料表面形貌難題，還提高加工效率和材料工程研究水平。
2024-02-19 13:49:241318 
光電轉化效率是評價LED等電致發(fā)光器件性能的重要參數。電能輸入到LED。熱量積聚會導致管芯溫度的升高，從而直接影響管芯的穩(wěn)定性及壽命。Micro-LED光電轉化效率可以用量子效率來表示，主要由內量子效率、光提取效率、外量子效率3個部分構成。
2024-05-29 10:52:231687 
單光子成像技術通過對每個光子攜帶的時空信息進行探測，實現對物體圖像的重構。基于超導納米線的單光子探測器（SNSPD）具有高效率、低時間抖動、寬響應波段的優(yōu)勢，非常適合單光子成像場景的需求。超導納米線
2024-10-22 14:48:531542 
概述 超導納米線單光子探測器作為量子技術領域的核心器件，以其近乎極限的探測效率、極低的暗計數和皮秒級的時間抖動，正不斷重新定義量子通信、激光雷達與量子計算等前沿科技的邊界。本文將深入解析其技術
2025-10-16 17:00:53733 
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