對MiniLED這類小間距顯示芯片來說，倒裝結構的設計是業(yè)界通往高良率之路上的首道關卡。與普遍應用于LED芯片領域最主流的正裝技術不同，倒裝技術由于無需在電極上打金線，能夠節(jié)約很多成本，因此非常適合MiniLED這類超小空間密布的應用需求。

除此之外，采用倒裝結構來設計MiniLED芯片也有很多其他優(yōu)勢，華立森光電股份有限公司技術總監(jiān)童曉楠表示：“倒裝芯片飽和電流高，電流增加以后相對亮度上可以持續(xù)到2安培才飽和，但是一般的正裝芯片在1安培時就飽和了，在亮度、電流增加的時候VF越低越好，而倒裝芯片的VF是最低的。綜合亮度跟VF，它的亮度飽和度高，VF又比較低，因此倒裝芯片的Droop現(xiàn)象也是最少的。而且，在相同1000lm輸出的情況下，倒裝芯片的成本只有正裝芯片的一半，特別是在高電流下，可以很好地展現(xiàn)出它的優(yōu)勢。”

也正因此，業(yè)界在MiniLED芯片的設計上一律采用了倒裝芯片的結構。其中，藍綠光倒裝LED芯片因技術較為成熟，良率也比較高，如今已不再是MiniLED芯片提升良率及可靠性的瓶頸。因此，現(xiàn)階段MiniLED倒裝芯片的良率問題主要還是聚焦在紅光倒裝芯片領域。童曉楠告訴記者：“紅光倒裝LED芯片的技術難度比藍綠光的都要高，因為紅光倒裝芯片一般需要進行襯底轉(zhuǎn)移以及固晶焊接，而芯片在轉(zhuǎn)移以及固晶焊接的過程中，由于工藝環(huán)境以及各種不可控因素的影響，產(chǎn)品的良率和可靠性幾乎很難保證?！?/p>

典型的比如固晶焊接問題，目前很多工廠一般都是采用錫膏來代替黃金作為材料的焊接方式，雖同樣是使用回流焊工藝，但卻容易造成錫膏溢到芯片側面產(chǎn)生漏電，良率普遍不高。謝志國表示：“目前，無論是點錫膏或刷錫膏也好，都無法精確控制錫膏用量，這很容易導致芯片焊接出現(xiàn)漂移或偏位、孔洞率大以及失效等問題。對此，我們主要是通過引進高精度的錫膏印刷機、高精度高速芯片排列機進行芯片以及基板的雙重矯正，來專門解決這個偏位的問題；另外，我們也開發(fā)了錫電極芯片以及固晶用助焊劑來解決高精度的焊接問題，從而保證倒裝芯片在固晶過程中的良率，并提高芯片的可靠性?！?/p>

對于紅光倒裝芯片廣泛存在的襯底轉(zhuǎn)移痛點，童曉楠告訴記者：“解決該問題現(xiàn)階段主要有兩種技術路線，一種是通過采用DBR與ITO組合做反光導電層，而另一種則是采用金屬反光技術，比如Ag銀。而通過總結過去幾年在倒裝技術領域積累的經(jīng)驗，我們發(fā)現(xiàn)相比目前很多友商采用的以銀等金屬作反光層的方案，采用以DBR與ITO組合作為反光導電層的方案能夠更好的解決襯底轉(zhuǎn)移等芯片倒裝過程中的低良率問題。經(jīng)過多次的產(chǎn)品試制，我們估算”DBR＋ITO“反光技術方案能夠使MiniLED芯片的成品良率大約提升28.4％左右，而且能夠做到更好的出光性及可靠性，同時芯片在工作電壓下穩(wěn)定性也會更高?！?/p>

不過，有受訪者也對此表示質(zhì)疑：“就MiniLED紅光倒裝芯片的良率提升問題業(yè)界已經(jīng)爭論了很久，由于各家采取的倒裝芯片設計方案略有不同，各方案對芯片良率提升的實際效果廠商們也是各執(zhí)一詞。因為目前我們并沒有看到任何一家廠商在MiniLED產(chǎn)品上真正實現(xiàn)量產(chǎn)交貨，基本大家都只是停留在產(chǎn)品預熱階段，各方案對倒裝芯片良率提升的實際效果也并沒有真正得到量產(chǎn)驗證，孰好孰壞暫時還不能夠妄下定論?！?/p>

出光角決定芯片核心性能 大角度方案仍存挑戰(zhàn)

除了MiniLED芯片的倒裝方案設計外，出光角度控制方案的設計也是橫亙在良率提升之路上的另一座“大山”。據(jù)編者了解，出光角的大小將直接決定芯片的多項光學性能表現(xiàn)，比如RGB品質(zhì)、光學效率以及高亮高飽和等特性。為了能夠獲得具備大角度出光能力、混光度均勻的MiniLED芯片，各廠商也都使出了渾身解數(shù)，通過一系列優(yōu)化芯片厚度、襯底甚至電極結構的方案，以求能更進一步增大MiniLED芯片出光角度。

只有具備很好的出光性，才能達到應用端規(guī)定的良品標準，否則在實際應用中很容易出現(xiàn)出光不均勻以及顯示效果差的情況，謝志國告訴記者：“目前，業(yè)界對MiniLED芯片的要求是在比較小的OD距離下能夠獲得一個更大的均勻光。在芯片層面，現(xiàn)在常規(guī)出光角度一般在120度左右，由于混光距離高，因此對芯片數(shù)量的需求比較多。但目前，各家廠商也都在研究如何設計芯片的出光角度，從而突出器件的關鍵性能并提升良率?！?/p>

針對這一塊，國星光電在MiniLED芯片上也做了一些針對性的光學結構設計優(yōu)化，國星光電白光器件事業(yè)部副總經(jīng)理謝志國告訴記者：“比如我們在芯片的厚度方面進行了一些改進，從而增加其側面的出光；同時，我們也在PSS襯底形貌上進行了一些優(yōu)化，增加了大角度出光特性，從而獲得更大角度出光的MiniLED芯片。不過，厚度增加之后也帶來了高度的增加，從而提升了后續(xù)裂片生產(chǎn)工藝上的問題，因此還需要在后端工藝上進行一些調(diào)整?！?/p>

童曉楠也表示：“針對芯片的出光角的設計，業(yè)界各大廠商都有不同的解決方案，比如有的廠商主張在芯片與電極間加入后窗口層，有效擴大光引出角錐來提高出光率和出光角度；或者采用表面粗糙化或者芯片側面的粗糙化的方式，通過散射光的方向來減少反射并增加透射率；有的也偏向于采用剝離與透明襯底技術，通過減少襯底吸收作用的方法來開拓芯片向下引出角錐，從而很大程度上提升芯片的出光效率及角度。不過，真正能夠既做到大角度出光又能保持高混光均勻度的方案難度非常高，目前業(yè)界廠商都還處于探索當中，很多方案僅僅只是停留在Demo層面，未來在量產(chǎn)實施過程中還會出現(xiàn)很多難以預測的問題?！?/p>

總而言之，供應商們一致認同的MiniLED大規(guī)模放量時期已漸行漸近，為了兌現(xiàn)這一莊重“承諾”，業(yè)界各大廠商也都在快馬加鞭，競相研發(fā)各種創(chuàng)新方案去解決MiniLED芯片量產(chǎn)的良率問題。但在編者看來，無論是在紅光倒裝結構還是大角度出光性設計上，目前各大廠商都還未給出真正得到大規(guī)模量產(chǎn)驗證的解決方案，MiniLED芯片的良率問題將會在未來一段時間里繼續(xù)存在。而受制于芯片端的良率影響，MiniLED技術導入各應用端的成本仍然會居高不下，因此編者也預計模組及背光顯示屏在明年的量產(chǎn)及出貨情況可能也并不會如預期那般景氣，MiniLED與終端市場將會持續(xù)一段相當長的“磨合期”。