LED元件的過(guò)壓過(guò)流損壞與干擾能量的發(fā)生次數(shù)或持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)短無(wú)關(guān)，因?yàn)槿魏我淮芜^(guò)壓過(guò)流干擾都可能導(dǎo)致LED損壞。這種損壞可以表現(xiàn)為器件立即失效，也可能在發(fā)生過(guò)壓過(guò)流干擾后許久才失效。LED芯片的小型化和LED燈具內(nèi)部電器結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化正在使這一問(wèn)題變得更加嚴(yán)重。

　　一、LED的過(guò)壓過(guò)流故障現(xiàn)象

　　當(dāng)出現(xiàn)過(guò)壓過(guò)流干擾時(shí)，元件性能會(huì)減弱或損壞。LED元件的過(guò)壓過(guò)流損壞與干擾能量的發(fā)生次數(shù)或持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)短無(wú)關(guān)，因?yàn)槿魏我淮芜^(guò)壓過(guò)流干擾都可能導(dǎo)致 LED損壞。這種損壞可以表現(xiàn)為器件立即失效，也可能在發(fā)生過(guò)壓過(guò)流干擾后許久才失效。LED芯片的小型化和LED燈具內(nèi)部電器結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化正在使這一問(wèn)題變得更加嚴(yán)重。燈具內(nèi)LED芯片的過(guò)壓過(guò)流故障主要有以下兩種現(xiàn)象：

　　a、芯片內(nèi)部焊接線(xiàn)損壞

　　過(guò)壓過(guò)流干擾導(dǎo)致的第一種失效模式是LED封裝內(nèi)部的焊接線(xiàn)受損。這種損壞通常表現(xiàn)為接線(xiàn)燒斷。此外，過(guò)壓過(guò)流干擾還能導(dǎo)致靠近焊接線(xiàn)的其他材料（例如密封材料或熒光體）損壞。

　　b、芯片焊盤(pán)位置損壞

　　過(guò)壓過(guò)流干擾導(dǎo)致的另一種失效模式是LED芯片本體靠近焊盤(pán)的位置受損。

　　二、LED發(fā)生過(guò)壓過(guò)流干擾的主要原因

　　LED芯片發(fā)生過(guò)壓過(guò)流干擾的原因有多種，如浪涌、靜電，來(lái)自其他設(shè)備的脈沖信號(hào)干擾、燈具組裝時(shí)不恰當(dāng)?shù)墓ぷ鞣椒?、接地點(diǎn)不夠?qū)е?a href="http://m.makelele.cn/tags/電流/" target="_blank">電流快速轉(zhuǎn)換引起高電壓等情況都會(huì)引起過(guò)壓過(guò)流干擾。但以下兩種情況是LED燈具生產(chǎn)與使用過(guò)程中造成過(guò)壓過(guò)流干擾的主要原因。

　　a、靜電放電ESD

　　靜電放電是大多數(shù)電子元件在生產(chǎn)、運(yùn)輸、加工過(guò)程中不可避免的風(fēng)險(xiǎn)。雖然目前大多數(shù)的LED芯片自身已經(jīng)具有防靜電干擾的設(shè)計(jì)一般為2kV，但靜電放電依舊是LED芯片在燈具生產(chǎn)環(huán)節(jié)損壞的主要原因。

　　b、短時(shí)間的過(guò)負(fù)荷

　　短時(shí)間的過(guò)負(fù)荷即短時(shí)間內(nèi)LED的輸入電壓或電流超過(guò)其額定值如浪涌電壓或雷擊。過(guò)負(fù)荷一般只持續(xù)極短的時(shí)間通常不會(huì)超過(guò)500ms類(lèi)似的電壓或電流稱(chēng)為尖峰電壓或尖峰電流。短時(shí)間的過(guò)負(fù)荷是LED芯片在燈具正常使用過(guò)程中損壞的主要原因。