IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。
2023-04-01 11:31:37
3718 自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今，IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級(jí)，從平面穿通型（PT）到微溝槽場(chǎng)截止型，IGBT 從芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)都
2023-04-12 12:02:054778 這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:3112390 
現(xiàn)在要驅(qū)動(dòng)一個(gè)IGBT，IGBT開(kāi)啟電壓Vge為15V，現(xiàn)在要選擇一個(gè)輸出20V以上的驅(qū)動(dòng)芯片，滿足要求的有哪些型號(hào)？我現(xiàn)在手里的驅(qū)動(dòng)芯片資料，最大的只有18V。
2013-05-05 13:23:40
`IGBT全自動(dòng)在線式測(cè)試技術(shù)`
2019-02-16 10:38:20
、設(shè)計(jì)和應(yīng)用的工程技術(shù)人員和高等院校相關(guān)專(zhuān)業(yè)師生閱讀參考?！ ”緯?shū)在介紹IGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上，結(jié)合國(guó)內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)，全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù)，突出
2011-11-25 15:46:48
中車(chē)旗下股份制企業(yè)，是國(guó)內(nèi)唯一一家全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門(mén)極換流晶閘管）、IGBT、SiC期間及功率組件全套技術(shù)的廠家，國(guó)內(nèi)唯一自主掌握了高鐵動(dòng)力IGBT芯片及模塊技術(shù)的企業(yè)。
l 華
2023-10-16 11:00:14
IGBT并聯(lián)技術(shù)分析胡永宏博士（艾克思科技）通過(guò)電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)兩種基本方法，均可增大電力電子裝置的功率等級(jí)。采用這兩種方法設(shè)計(jì)的大功變流器，結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，加之控制策略與小功率變流器相兼容
2015-03-11 13:18:21
4-T4能夠經(jīng)受未經(jīng)保護(hù)的短路。IGBT4技術(shù)可使芯片最大工作結(jié)度(Tvjop=150°C)比前代產(chǎn)品的工作結(jié)溫（125°C）高出25度。在相同的冷卻條件下和整個(gè)溫度范圍內(nèi)，工作結(jié)溫越高，輸出功率越大。此外
2018-12-07 10:23:42
IGBT模塊散熱技術(shù) 散熱的過(guò)程 1 IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗; 2 結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上; 3 IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上; 4 散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中?！ ∩岘h(huán)節(jié)
2012-06-20 14:36:54
、低損耗、模塊化、復(fù)合化方向發(fā)展，與其他電力電子器件相比，IGBT模塊散熱器具有高可靠性、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、保護(hù)容易、不用緩沖電路和開(kāi)關(guān)頻率高等特點(diǎn)，為了達(dá)到這些高性能，采用了許多用于集成電路的工藝技術(shù)，如外延
2012-06-19 11:17:58
上制作第四代高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品。小編總結(jié)了一下三星IGBT技術(shù)發(fā)展。 三星集團(tuán)成立于1938年，旗下子公司包含：三星電子、三星SDI、三星SDS、三星電機(jī)、三星康寧、三星網(wǎng)絡(luò)、三星火災(zāi)、三星
2012-03-19 15:16:42
本資料的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹了IGBT相關(guān)使用指南，包括用于IGBT驅(qū)動(dòng)的集成芯片TLP250、EXB8..Series等芯片的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖，典型特征和使用方法；IGBT保護(hù)電路的應(yīng)用實(shí)例和設(shè)計(jì)方法，保護(hù)
2019-03-05 14:30:07
本書(shū)結(jié)合國(guó)內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù)，以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)人員為本書(shū)的讀者對(duì)象，系統(tǒng)、全面地講解了IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)必備的基礎(chǔ)知識(shí)，并選取和總結(jié)了IGBT的典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì)實(shí)例，以供
2025-07-14 17:32:41
驅(qū)動(dòng)電路。本文設(shè)計(jì)的電路采用的是光耦驅(qū)動(dòng)電路。 IGBT驅(qū)動(dòng)電路分析 隨著微處理技術(shù)的發(fā)展(包括處理器、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)器件)，數(shù)字信號(hào)處理器以其優(yōu)越的性能在交流調(diào)速、運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域得到了廣泛
2012-09-09 12:22:07
不盡然，即便是電子行業(yè)中的后起之秀不斷涌現(xiàn)，只要順應(yīng)時(shí)代發(fā)展進(jìn)行自身內(nèi)部的改變，老品牌還是可以屹立不倒。芯片解密助企業(yè)加快內(nèi)部的技術(shù)改變。 芯片解密是一種反向研究技術(shù)，相對(duì)芯片加密而言，芯片開(kāi)發(fā)者
2017-06-17 14:09:31
現(xiàn)在說(shuō)AI是未來(lái)人類(lèi)技術(shù)進(jìn)步的一大方向，相信大家都不會(huì)反對(duì)。說(shuō)到AI和芯片技術(shù)的關(guān)系，我覺(jué)得主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：第一，AI的發(fā)展要求芯片技術(shù)不斷進(jìn)步；第二，AI可以幫助芯片技術(shù)向前發(fā)展。
2019-08-12 06:38:51
EDA技術(shù)的發(fā)展ESDA技術(shù)的基本特征是什么？EDA技術(shù)的基本設(shè)計(jì)方法有哪些？
2021-04-21 07:21:25
本文對(duì)LTE-Advanced技術(shù)的發(fā)展及相關(guān)的主要技術(shù)進(jìn)行了介紹，并就其關(guān)鍵技術(shù)做出了探究?？梢灶A(yù)見(jiàn)，LTE-Advanced技術(shù)將在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)作為世界范圍移動(dòng)通信領(lǐng)域的熱點(diǎn)研究課題， 這將更有利于推動(dòng)第四代通信技術(shù)的發(fā)展，人類(lèi)進(jìn)入4G 時(shí)代不再遙遠(yuǎn)。
2021-05-24 06:46:32
Multisim中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)芯片有哪些求大神指教，急急急
2013-12-24 14:51:13
PXI技術(shù)由那幾部分組成？PXI規(guī)范的最新發(fā)展趨勢(shì)是什么
2021-05-11 06:24:37
semikron_IGBT_技術(shù)指南中文版
2019-04-04 17:12:05
較低。這里的關(guān)鍵之處在于，為了從MOSFET轉(zhuǎn)換到IGBT，必須對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。傳導(dǎo)損耗需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時(shí)，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少
2017-04-15 15:48:51
`內(nèi)容簡(jiǎn)介《IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用電路實(shí)例》結(jié)合國(guó)內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù)，以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)人員為《IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用電路實(shí)例》的讀者對(duì)象，系統(tǒng)、全面地講解
2021-07-24 17:13:18
`本書(shū)在介紹IGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上，結(jié)合國(guó)內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)，全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù)，突出實(shí)用性。全書(shū)共7章，分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片的最高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高， IGBT模塊技術(shù)也要與之
2019-07-16 07:30:00
及應(yīng)用電路實(shí)例》結(jié)合國(guó)內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù)，以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)人員為《IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用電路實(shí)例》的讀者對(duì)象，系統(tǒng)、全面地講解了ICBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)必備的基礎(chǔ)知識(shí)，并選取
2022-02-17 11:29:03
，獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷的數(shù)代當(dāng)家掌門(mén)人，分別是：呃，好像分不清這都誰(shuí)是誰(shuí)?呃，雖然這些IGBT“掌門(mén)人”表面看起來(lái)都一樣，但都是悶騷型的。只能脫了衣服，做個(gè)“芯”臟手術(shù)。。。像這樣，在芯片上，橫著切一刀看看。好像，有點(diǎn)
近幾年，國(guó)內(nèi)IGBT技術(shù)發(fā)展也比較快，國(guó)外廠商壟斷逐漸被打破，已取得一定的突破，國(guó)內(nèi)IGBT行業(yè)近幾年的發(fā)展大事記：（1）2011年12月，北車(chē)西安永電成為國(guó)內(nèi)第一個(gè)、世界第四個(gè)能夠封裝6500V
2021-03-22 19:45:34
作為國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)——智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的中國(guó)北車(chē)永濟(jì)電機(jī)公司以其研制的3300V IGBT器件產(chǎn)品，日前中標(biāo)國(guó)家智能電網(wǎng)項(xiàng)目，成為我國(guó)首個(gè)高壓大功率IGBT產(chǎn)品批量
2015-01-30 10:18:37
光子產(chǎn)業(yè)(Photonics Industry)是推動(dòng)21 世紀(jì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)。光子學(xué)是關(guān)于光的科學(xué)和技術(shù)，特別是光的產(chǎn)生、指引、操縱、增強(qiáng)和探測(cè)。從通信到衛(wèi)生保健，從生產(chǎn)材料加工到照明設(shè)備
2019-06-21 06:12:31
隨著密集波分復(fù)用（DWDM）技術(shù)、光纖放大技術(shù)，包括摻鉺光纖放大器（EDFA）、分布喇曼光纖放大器（DRFA）、半導(dǎo)體放大器（SOA）和光時(shí)分復(fù)用（OTDM）技術(shù)的發(fā)展和廣泛應(yīng)用，光纖通信技術(shù)不斷
2019-10-17 06:52:52
光通信技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)是什么
2021-05-24 06:47:35
本文介紹了新一代IHM.B具備更強(qiáng)機(jī)械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設(shè)計(jì)、材料、焊接和安裝技術(shù)。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設(shè)計(jì)的3.3kV IGBT3芯片,在保持機(jī)械
2010-05-04 08:07:47
摘要：本文介紹了新一代IHM.B具備更強(qiáng)機(jī)械性能的高功率IGBT模塊，其融合了最新的設(shè)計(jì)、材料、焊接和安裝技術(shù)。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設(shè)計(jì)的3.3kV IGBT3芯片，在保持
2018-12-03 13:51:29
隨著計(jì)算機(jī)芯片技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，為了更好地與之相配合，內(nèi)存產(chǎn)品也由后臺(tái)走出，成為除CPU外的另一關(guān)注焦點(diǎn)。作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分，內(nèi)存的性能直接影響計(jì)算機(jī)的整體性能。而內(nèi)存制造工藝的最后一步
2018-08-28 16:02:11
` 本帖最后由 比亞迪微電子 于 2016-1-12 21:37 編輯
4、 各種場(chǎng)終止技術(shù)具有電場(chǎng)終止作用的N型緩沖層，其實(shí)現(xiàn)方式主要有兩種，一種是先于IGBT制造之前形成，如深擴(kuò)散的SPT
2015-12-24 18:23:36
中港揚(yáng)盛科技 結(jié)合國(guó)內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù)，以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)人員為本書(shū)的讀者對(duì)象，系統(tǒng)、全面地講解了IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)必備的基礎(chǔ)知識(shí)，并選取和總結(jié)了IGBT的典型應(yīng)用電
2021-12-28 08:07:57
現(xiàn)在大家對(duì)國(guó)產(chǎn)IGBT的認(rèn)識(shí)如何？覺(jué)得可以采用嗎？
2014-05-26 09:46:24
看成是一個(gè)相對(duì)獨(dú)立的“子系統(tǒng)”來(lái)研究、開(kāi)發(fā)及設(shè)計(jì)。 大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路一直伴隨igbt技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，現(xiàn)在市場(chǎng)上流行著很多種類(lèi)非常成熟的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路專(zhuān)用產(chǎn)品，成為大多數(shù)設(shè)計(jì)工
2021-04-06 14:38:18
igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路起到弱電控制強(qiáng)電的終端界面(接口)作用。因其重要性，所以可以將該電路看成是一個(gè)相對(duì)獨(dú)立的“子系統(tǒng)”來(lái)研究、開(kāi)發(fā)及設(shè)計(jì)。 大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路一直伴隨igbt技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，現(xiàn)在
2012-12-08 12:34:45
詳情見(jiàn)附件大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析1 引言由于igbt具有開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門(mén)極控制方便等特點(diǎn)，在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中，除其本身的技術(shù)水平以外
2021-04-20 10:34:14
編者按：為了推進(jìn)封裝天線技術(shù)在我國(guó)深入發(fā)展，微波射頻網(wǎng)去年特邀國(guó)家千人計(jì)劃專(zhuān)家張躍平教授撰寫(xiě)了《封裝天線技術(shù)發(fā)展歷程回顧》一文。該文章在網(wǎng)站和微信公眾號(hào)發(fā)表后引起了廣泛傳播和關(guān)注，成為了點(diǎn)閱率最高
2019-07-16 07:12:40
編者按：封裝天線（AiP）技術(shù)是過(guò)去近20年來(lái)為適應(yīng)系統(tǒng)級(jí)無(wú)線芯片出現(xiàn)所發(fā)展起來(lái)的天線解決方案。如今AiP 技術(shù)已成為60GHz無(wú)線通信和手勢(shì)雷達(dá)系統(tǒng)的主流天線技術(shù)。AiP 技術(shù)在79GHz汽車(chē)?yán)走_(dá)
2019-07-17 06:43:12
，IGBT的VCEsat和Eoff存在一種折衷關(guān)系。同一種技術(shù)的IGBT的VCEsat和Eoff的折衷曲線如圖 3所示。圖 3 IGBT的Eoff-VCEsat折衷曲線3、IGBT的技術(shù)發(fā)展歷史3.1
2015-12-24 18:13:54
的發(fā)展，將出現(xiàn)若干新的半導(dǎo)體技術(shù)，在芯片之上或者在芯片之外不斷擴(kuò)展新的功能。圖1就顯示了手機(jī)芯片技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。
2019-07-24 08:21:23
智能傳感器技術(shù)-隨著半導(dǎo)體集成技術(shù)的發(fā)展，微處理器和存儲(chǔ)器不斷進(jìn)步，敏感元件與信號(hào)處理電路有可能集成在同一芯片上，故智能傳感器將成為現(xiàn)實(shí)。智能化傳感器是一種帶微處理器的，兼有信息檢測(cè)、信息處理、信息記憶、邏輯思維與判斷功能的傳感器。以下重點(diǎn)探討智能傳感器的應(yīng)用和發(fā)展。
2020-04-20 07:24:17
據(jù)、人工智能等多種變革性技術(shù)已成為全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的主要方向和促進(jìn)世界經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長(zhǎng)的重要引擎。拿新能源車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分來(lái)說(shuō)，最核心的元件就是IGBT。IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車(chē)
2021-01-27 11:30:38
汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)是如何定義的？汽車(chē)GPS技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展如何？
2021-05-14 06:11:51
汽車(chē)電子技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-17 06:33:49
汽車(chē)電子技術(shù)的未來(lái)如何發(fā)展？網(wǎng)絡(luò)技術(shù)在汽車(chē)中有哪些應(yīng)用？
2021-05-14 06:47:25
高性能濾波器對(duì)于無(wú)線通信技術(shù)來(lái)說(shuō)非常重要，但另一方面，無(wú)線技術(shù)的發(fā)展對(duì)濾波技術(shù)提出了新的要求。當(dāng)前無(wú)線通信對(duì)濾波技術(shù)都有哪些要求？濾波器的發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2019-07-29 06:37:01
年代初的硅整流器件，其發(fā)展先后經(jīng)歷了整流器時(shí)代、逆變器時(shí)代和變頻器時(shí)代，并促進(jìn)了電源技術(shù)在許多新領(lǐng)域的應(yīng)用。八十年代末期和九十年代初期發(fā)展起來(lái)的、以功率MOSFET和IGBT為代表的、集高頻、高電壓和大電流
2018-11-30 17:24:50
近二十年來(lái)。不聞斷電源隨著信息設(shè)備的廣泛使用而迅速普及，大量使用于信息設(shè)備和數(shù)據(jù)的保護(hù)。從不間斷電源自身發(fā)展來(lái)看，很大程度依賴(lài)子電力電子技術(shù)發(fā)展，更依賴(lài)于電力電子器件的發(fā)展，如磁性材料，IG盯
2011-03-10 15:46:24
時(shí)代和變頻器時(shí)代，并促進(jìn)了電力電子技術(shù)在許多新領(lǐng)域的應(yīng)用。八十年代末期和九十年代初期發(fā)展起來(lái)的、以功率MOSFET和IGBT為代表的、集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件，表明傳統(tǒng)電力
2019-03-25 09:01:57
電子噴墨打印技術(shù)是如何促進(jìn)PCB的發(fā)展的？電子噴墨打印技術(shù)有哪些應(yīng)用？
2021-04-26 06:24:40
，能夠大大改善功率損耗、EMC性能和成本效益。通常，變頻器中使用的IGBT采用雙芯封裝。英飛凌的新型逆導(dǎo)驅(qū)動(dòng)技術(shù)將二極管芯片集成在IGBT中（如圖2所示）。 圖2：IGBT發(fā)展而來(lái)的垂直結(jié)構(gòu) 單片集成
2018-12-03 13:44:37
車(chē)載無(wú)線通訊技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展如何？
2021-05-13 06:40:04
如下是一款具有IGBT保護(hù)的驅(qū)動(dòng)芯片，其如何檢測(cè)并判斷IGBT故障，并且在什么情況下觸發(fā)該故障？
尤其是在一類(lèi)短路和二類(lèi)短路時(shí)是否應(yīng)該觸發(fā)，具體如何檢測(cè)？
2025-04-05 20:16:16
IGBT作為集MOS和BJT優(yōu)點(diǎn)于一身的存在，在經(jīng)歷了這些年的技術(shù)發(fā)展，從穿通型IGBT（PT-IGBT）、非穿通型IGBT（NPT-IGBT）、溝道型IGBT和場(chǎng)截止型IGBT（FS-IGBT
2020-12-11 16:54:35
系列三社，東芝，松下，等各品牌各系列模塊，長(zhǎng)期 高價(jià)大量回收各種IGBT IPM GTR 整流條，可控硅，達(dá)林頓，場(chǎng)效應(yīng)等模塊?？缮祥T(mén)回收。 專(zhuān)業(yè)從事電子元器件回收、IC回收、芯片回收、單片機(jī)回收
2020-07-21 14:58:42
、芯片回收、單片機(jī)回收，繼電器回收，內(nèi)存回收，IGBT模塊回 收，液晶屏回收，連接器回收，手機(jī)字庫(kù)回收，鉭電容回收我們具有多年的電子元器件收購(gòu)相關(guān)產(chǎn)品 與服務(wù)的銷(xiāo)售和經(jīng)驗(yàn)。憑借專(zhuān)業(yè)的技術(shù)，高端的品質(zhì)
2020-08-07 14:07:29
的IGBT模塊的公司。同時(shí)在我們這個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行的過(guò)程中，我們得到了國(guó)家專(zhuān)項(xiàng)資金和其他上下游公司的技術(shù)支持，在滿足公司自身對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的同時(shí)，我們發(fā)展了向低壓、中小功率以及IGM方面的發(fā)展
2012-09-17 19:22:20
IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn)
介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404的特點(diǎn)及性能，并在此基礎(chǔ)上，根據(jù)IGBT驅(qū)動(dòng)的實(shí)際要求，設(shè)計(jì)出了一種具有過(guò)流保護(hù)及慢關(guān)斷功能
2009-06-30 20:32:115663 
創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模
2010-05-11 17:32:473227 目前我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場(chǎng)牽引下得到了迅速發(fā)展，呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬勃發(fā)展的大好局面。
2012-02-15 11:49:252320 大功率IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展
2012-06-06 11:52:238640 
技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)：無(wú)焊接、 無(wú)引線鍵合及無(wú)襯板/基板封裝技術(shù)；內(nèi)部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。
2017-05-16 16:45:184071 
隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展，大功率器件在軌道交通、直流輸電、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的市場(chǎng)迅猛發(fā)展，其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出，在具體的應(yīng)用工況中，每一個(gè)IGBT模塊都需要一個(gè)專(zhuān)門(mén)的驅(qū)動(dòng)器，IGBT驅(qū)動(dòng)器對(duì)IGBT的運(yùn)行性能有著重大影響
2017-05-25 09:50:213708 
IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)
2017-09-14 17:11:19
11 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開(kāi)關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4413292 近年來(lái)，IGBT被廣泛關(guān)注，隨著技術(shù)的發(fā)展，其應(yīng)用前景被廣泛看好，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT，在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。
2018-07-15 10:04:4322273 外，汽車(chē)產(chǎn)業(yè)作為國(guó)民經(jīng)濟(jì)的支柱產(chǎn)業(yè)，新能源汽車(chē)作為我國(guó)的七大新興產(chǎn)業(yè)之一，新能源汽車(chē)用IGBT芯片等關(guān)鍵技術(shù)同樣不容忽視。
作為中國(guó)高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重心和先進(jìn)示范基地，深圳在通訊、半導(dǎo)體
2019-05-21 15:59:045063 IGBT_insulated gate bipolar transisitor，釋義為絕緣柵雙極晶體管；在電驅(qū)領(lǐng)域所謂的IGBT芯片一般指模塊，其概念與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)需要以非常專(zhuān)業(yè)的術(shù)語(yǔ)進(jìn)行解析。
2020-02-03 09:45:557416 還記得2018年比亞迪發(fā)布的IGBT4.0技術(shù)嗎？當(dāng)時(shí)，比亞迪放言IGBT4.0打破國(guó)外芯片壟斷，開(kāi)創(chuàng)了“中國(guó)芯”。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”，它卻讓中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)“芯”痛良久，英飛凌、安森美等廠商長(zhǎng)期“盤(pán)踞”在汽車(chē)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之上。
2020-04-16 17:23:107616 IGBT芯片采用領(lǐng)先的Trench+Fieldstop技術(shù)，業(yè)內(nèi)首次將壓降芯片的工作結(jié)溫提高到150℃，并大幅降低了其導(dǎo)通壓降VCEsat（150℃下典型值約2.7V）。此芯片可以降低系統(tǒng)損耗提高效率，同時(shí)也擴(kuò)展了系統(tǒng)安全工作區(qū)。
2020-12-09 10:37:255284 IGBT芯片：產(chǎn)品升級(jí)趨勢(shì)。IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級(jí)：襯底從PT穿通，NPT非穿通到FS場(chǎng)截止，柵極從平面到Trench溝槽。隨著技術(shù)的升級(jí)，通態(tài)功耗、開(kāi)關(guān)功耗均不斷減小。 第一代（PT）：產(chǎn)品
2020-12-09 16:11:4013291 比亞迪的IGBT芯片專(zhuān)利，通過(guò)添加導(dǎo)電類(lèi)型的附加區(qū)，使得含有該IGBT芯片的功率器件承受反偏時(shí)，附加區(qū)能夠通過(guò)耗盡擴(kuò)展，將柵極溝槽包圍在耗盡區(qū)中，為其增加一個(gè)保護(hù)層，進(jìn)一步減小了功率器件失效的風(fēng)險(xiǎn)，提高了魯棒性。
2020-12-12 10:18:485581 芯片的種類(lèi)五花八門(mén)，今天跟大家介紹一種與我們的生活息息相關(guān)的芯片IGBT（絕緣柵雙極晶體管 Insulated－gate bipolar transistor ），這款芯片在電動(dòng)汽車(chē)上運(yùn)用極為廣泛。
2021-03-19 17:50:5919353 IGBT3的出現(xiàn)，又在IGBT江湖上掀起了一場(chǎng)巨大的變革。IGBT3的元胞結(jié)構(gòu)從平面型變成了溝槽型。
2021-06-02 11:05:217296 
IGBT的驅(qū)動(dòng)技術(shù)與保護(hù)技術(shù)說(shuō)明。
2021-06-18 11:24:3468 IGBT絕緣柵雙極型晶體管；作為一種高效能的半導(dǎo)體元件它一般應(yīng)用在不間斷電源UPS和變頻器上；自IGBT開(kāi)啟工業(yè)化應(yīng)用以來(lái)，技術(shù)經(jīng)歷了豐富的技術(shù)演變，涌現(xiàn)出了幾代IGBT技術(shù)方案，已迭代至第7代；
2022-07-12 18:01:372423 本文對(duì)IGBT芯片的電熱性能進(jìn)行了廣泛的研究，用于IGBT芯片中的3D封裝結(jié)構(gòu)。在過(guò)去的幾年里，半導(dǎo)體技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，特別是在電力電子領(lǐng)域，在研究和重工業(yè)應(yīng)用中的應(yīng)用。絕緣柵雙極晶體管
2023-02-19 17:35:202250 
IGBT絕緣柵雙極型晶體管；作為一種高效能的半導(dǎo)體元件它一般應(yīng)用在不間斷電源UPS和變頻器上；自IGBT開(kāi)啟工業(yè)化應(yīng)用以來(lái)，技術(shù)經(jīng)歷了豐富的技術(shù)演變，涌現(xiàn)出了幾代IGBT技術(shù)方案，已迭代至第7代
2023-02-22 14:11:200 貞光科技從車(chē)規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號(hào)處理芯片、存儲(chǔ)芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車(chē)電子元器件為客戶(hù)提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)解決方案！自20世紀(jì)80年代發(fā)展至今，IGBT芯片
2023-04-14 16:32:043492 
近年來(lái)薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速，在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹，在功率器件應(yīng)用市場(chǎng)
2023-07-31 11:14:431688 
摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運(yùn)行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性對(duì)于指導(dǎo) IGBT 芯片建模以及規(guī)模化 IGBT 并聯(lián)封裝設(shè)計(jì)具有
2023-08-08 09:58:281 它在半導(dǎo)體領(lǐng)域嶄露頭角，成為現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展不可或缺的重要組成部分。為了更好地理解IGBT的發(fā)展歷程，讓我們深入探索這一激動(dòng)人心的故事。
2023-09-05 10:15:392421 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高功率半導(dǎo)體器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。本文將對(duì)IGBT的基本概念、分類(lèi)、技術(shù)發(fā)展及市場(chǎng)趨勢(shì)進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。
2023-09-12 17:31:345543 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:284751 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是一種先進(jìn)的電力電子器件。IGBT芯片結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2024-05-23 15:39:127633 逆變器等。 一、IGBT模塊 IGBT模塊定義 IGBT模塊是一種由多個(gè)IGBT芯片組成的電力電子器件，具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。它通過(guò)將多個(gè)IGBT芯片并聯(lián)或串聯(lián)，以提高器件的電流容量和電壓
2024-07-25 09:15:072593 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片與IGBT模塊在電力電子領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、功能、應(yīng)用及性能等方面存在顯著的差異。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)探討，旨在全面而深入地解析這一話題。
2024-08-08 09:37:364282 在電力電子技術(shù)的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術(shù)以其高效、可靠的性能，成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件，每一個(gè)組成部分都承載著推動(dòng)電力電子技術(shù)進(jìn)步的使命。下面，我們將逐一深入解析IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊以及IGBT器件的特性和應(yīng)用。
2024-10-15 15:23:452471 來(lái)源： 電力電子技術(shù)與應(yīng)用 1、中國(guó) IGBT芯片 應(yīng)用領(lǐng)域：三大類(lèi)產(chǎn)品的應(yīng)用場(chǎng)景 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件，是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
2024-11-08 11:30:043768 
上回書(shū)(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說(shuō)到，IGBT自面世以來(lái)，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212265 
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