IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙極型三極管）和 MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET 驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。

IGBT功率模塊的優(yōu)勢主要有：

1.低功耗：IGBT功率模塊的功耗比普通MOSFET功率模塊低，可以降低系統(tǒng)的功耗；

2.高效率：IGBT功率模塊的效率比普通MOSFET功率模塊高，可以提高系統(tǒng)的效率；

3.高可靠性：IGBT功率模塊的可靠性比普通MOSFET功率模塊高，可以提高系統(tǒng)的可靠性；

4.低成本：IGBT功率模塊的成本比普通MOSFET功率模塊低，可以降低系統(tǒng)的成本。

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）組成的功率模塊。因為IGBT模塊為MOSFET構(gòu)造，IGBT的柵極經(jīng)過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具備出色的元器件性能。普遍使用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。

工藝特點

IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制線路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)勢。實際上是個復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)勢于一體化。又因先進(jìn)的生產(chǎn)工藝使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點十分顯著的特性，近期西門子公司又發(fā)布低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir，摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。