探索TL16C550D/DI：高性能異步通信元件的技術(shù)剖析 在當(dāng)今的電子通信領(lǐng)域，異步通信元件扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討德州儀器（TI）的TL16C550D和TL16C550DI這
2026-01-04 16:20:25
57 控制功能的異步通信元件（ACE），它是TL16C450和TL16C550B的功能升級(jí)版。在上電時(shí)，其功能與TL16C450等
2026-01-04 16:20:2154 NS16C2552和NS16C2752是具有16字節(jié)/64字節(jié)FIFO的雙串口UART芯片，數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá)5 Mbit/s。它們與PC16552D在引腳和功能上兼容，
2025-12-29 11:15:13131 ，位輸出（GRID）為N管開(kāi)漏，支持共陰/共陽(yáng)LED驅(qū)動(dòng)。
工作電壓：5V±10%（推薦）。
核心功能顯示控制
寄存器映射：14字節(jié)顯示寄存器（00H-0DH），數(shù)據(jù)按段和位映射到LED
2025-12-29 09:59:37
NS16C2552/NS16C2752雙UART芯片：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，UART（通用異步收發(fā)傳輸器）芯片是實(shí)現(xiàn)串行通信的關(guān)鍵組件之一。今天，我們將深入探討TI公司
2025-12-27 11:15:05558 具有64字節(jié)FIFO的TL16C752CI-Q1雙路UART：特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在汽車電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域，UART（通用異步收發(fā)器）作為重要的通信接口芯片，其性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。TI公司
2025-12-19 16:30:17452 探索TL16C752D：具有64字節(jié)FIFO的雙路UART的卓越性能與應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)的廣闊領(lǐng)域中，UART（通用異步收發(fā)器）作為實(shí)現(xiàn)串行通信的關(guān)鍵組件，一直扮演著重要角色。今天，我們將深入探討TI
2025-12-19 11:50:10351 介紹。1.電流波形的測(cè)量：電流波形測(cè)量點(diǎn)數(shù)增加Ip2(10ns~40ns之間最大峰值)2.靜電槍的校準(zhǔn)靜電槍的下方增加了不小于1200*1500mm的接地參考平板
2025-12-18 10:10:49196 
概述4225-PMU有3種模式：分段Arb，全Arb和標(biāo)準(zhǔn)脈沖模式。在標(biāo)準(zhǔn)脈沖模式下，PMU可以在5V范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)10ns的脈沖寬度。標(biāo)準(zhǔn)脈沖模式產(chǎn)生兩個(gè)電壓等級(jí)的脈沖，但不進(jìn)行測(cè)量。脈沖定時(shí)由觸發(fā)
2025-12-17 17:30:09126 
TX8C1010 是一款高性能低功耗的 8051 內(nèi)核 MCU，工作主頻最高為 32MHz，內(nèi)置 4K+256字節(jié)閃存存儲(chǔ)器（支持類 EEPROM），512 字節(jié) SRAM。
模擬資源：1 個(gè)
2025-12-17 09:46:04
的參數(shù)設(shè)置的，在實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)結(jié)合總線工作頻率和等待周期等參數(shù)進(jìn)行合理調(diào)配。有時(shí)把頻率降低反而可提高效率，如RAM的 存取周期是70ns，總線頻率為40M時(shí)，設(shè)3個(gè)周期的存取時(shí)間，即75ns即可；若總線
2025-12-15 06:09:52
實(shí)現(xiàn)不同顯示內(nèi)容。鍵盤掃描o 自動(dòng)掃描16×2按鍵矩陣，讀取鍵值需通過(guò)串口發(fā)送讀鍵指令，返回4字節(jié)鍵值數(shù)據(jù)（BYTE1-BYTE4）。指令系統(tǒng)o 指令分為四類，通過(guò)字節(jié)高兩位（B7、B6）區(qū)分：o 顯示模式
2025-12-03 11:01:50
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲(chǔ)組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲(chǔ)方案，但二者憑借成熟的設(shè)計(jì)與明確
2025-12-02 13:50:46868 10ns，響應(yīng)時(shí)間低至7.8ns，能快速捕捉輸入信號(hào)的變化并輸出對(duì)應(yīng)結(jié)果，適配高頻信號(hào)比較場(chǎng)景，減少信號(hào)延遲帶來(lái)的誤差?！窬芊€(wěn)定：輸入失調(diào)電壓最大僅3mV，輸入偏置電
2025-12-02 11:03:28153 
Cypress賽普拉斯512Kbit FRAM憑借微秒級(jí)寫入、10^14次擦寫壽命及151年數(shù)據(jù)保留，為車載黑匣子EDR提供高可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其-40℃~105℃車規(guī)級(jí)工作范圍確保碰撞數(shù)據(jù)完整記錄，滿足汽車安全法規(guī)嚴(yán)苛要求。
2025-12-01 09:47:00246 
NVM測(cè)試亟需超10ns窄脈沖、高幅值及高保真度激勵(lì)。德思特脈沖發(fā)生器以5Vpp廣幅和70ps超快邊沿，完美解決PCM等器件的快速SET/RESET需求，提供高性能NVM測(cè)試方案。
2025-11-30 15:22:451294 在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計(jì)的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來(lái)越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
> 2.5A拉電流，強(qiáng)化關(guān)斷過(guò)程，抑制米勒效應(yīng)，適合高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。3.快速開(kāi)關(guān)能力：10ns上升時(shí)間與8ns下降時(shí)間顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，適用于高頻逆變器與電源模塊。三、優(yōu)勢(shì)：1.高壓環(huán)境下
2025-11-20 08:47:23
存儲(chǔ)解決方案。與傳統(tǒng)的異步SRAM相比，同步SRAM在結(jié)構(gòu)和工作機(jī)制上進(jìn)行了優(yōu)化，能夠更好地適應(yīng)高速數(shù)據(jù)處理場(chǎng)景，因此在通信設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)及高性能計(jì)算等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
2025-11-18 11:13:01242 在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲(chǔ)單元，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455 NS2162是一款降壓轉(zhuǎn)換單節(jié)鋰電池充電管理芯片，具有充電狀態(tài)指示和溫度檢測(cè)等多重功能。能夠夠?yàn)楸銛y式鋰電池充電提供完整的解決方案。芯片轉(zhuǎn)換器工作頻率為1MHz，能夠支持低成本的電感和電容并有
2025-11-11 17:43:35
0 的噪聲信號(hào)，確保只有清晰、穩(wěn)定的指令才能通過(guò)。這正是它的抗干擾能力超群的核心秘密之一，其共模瞬態(tài)抗擾度甚至能抵御超過(guò) 1000 V/μs 的快速電壓沖擊。&nbs
2025-11-11 09:51:32
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284
10/13 毫安接收電流超低電流休眠模式
30納安關(guān)閉，50納安待機(jī)數(shù)據(jù)速率=100 bps到1Mbps快速喚醒和跳頻時(shí)間
電源電壓范圍=1.8至3.6V優(yōu)異的選擇性性能
60 dB 鄰近信道抑制
在1
2025-10-30 10:07:53
之后便將數(shù)據(jù)壓入FIFO。軟件每讀一次UART_RDATA寄存器，便會(huì)將1字節(jié)的表項(xiàng)數(shù)據(jù)彈出FIFO。
我們應(yīng)該注意UART接收端采用16倍波特率的采樣頻率采樣接收數(shù)據(jù)線，并且對(duì)于前后連續(xù)3次的采樣結(jié)果進(jìn)行判斷，選擇最多數(shù)的數(shù)值作為采樣結(jié)果。
2025-10-29 07:37:33
在存儲(chǔ)解決方案中，外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越，但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸：不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 功耗，相當(dāng)于EEPROM技術(shù)。M95P16 EEPROM組織為4096可編程頁(yè)，每頁(yè)512字節(jié)，通過(guò)SPI總線訪問(wèn)，具有高性能雙通道和四通道SPI輸出。該EEPROM具有超低功耗、ECC（實(shí)現(xiàn)高內(nèi)存可靠性
2025-10-25 15:44:001210 
IP3247外部電容設(shè)定延時(shí)時(shí)間的2節(jié)至4節(jié)串聯(lián)鋰電次級(jí)保護(hù)芯片簡(jiǎn)介IP3247是用于2至4節(jié)串聯(lián)鋰離子電池組系統(tǒng)的過(guò)壓監(jiān)視器和保護(hù)器。獨(dú)立監(jiān)控每節(jié)電池是否具有過(guò)壓狀態(tài)。當(dāng)檢測(cè)到任意電池上存在過(guò)壓
2025-10-24 19:46:370 Microchip Technology AVR16/32DD28/32 avr? DD微控制器采用avr CPU，硬件乘數(shù)運(yùn)行時(shí)鐘速度高達(dá)24MHz，具有高達(dá)32KB的閃存，以及高達(dá)4KB的SRAM和256字節(jié)的EEPROM。
2025-10-11 15:54:30553 
(EEPROM)、7KB/14KB程序閃存、512字節(jié)/1024字節(jié)數(shù)據(jù)SRAM以及32MHz時(shí)鐘輸入。PIC16F180x微控制器還具有1.8V至5.5V的工作電壓范圍，125ns的最短指令時(shí)間，工作溫度范圍為-40°C至+125°C。
2025-10-11 15:31:38433 
failed.
2)通過(guò)Ymodem往U盤下載文件失敗，（正常結(jié)束，U盤文件長(zhǎng)度0字節(jié)，然后訪問(wèn)U盤報(bào)錯(cuò)
[E/usbh_msc] cbw transfer error usb mass_storage
2025-10-11 10:39:11
SRAM和256字節(jié)EEPROM。該MCU采用靈活的低功耗架構(gòu)，包括事件系統(tǒng)、智能模擬功能和高級(jí)數(shù)字外設(shè)。該微控制器采用14引腳或20引腳封裝。
2025-10-10 14:46:18575 
^C（兩線）總線。24CSM01 EEPROM構(gòu)成為131.072字節(jié)，每字節(jié)8位（12千字節(jié)），優(yōu)化用于消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。這些EEPROM具有4Kbit安全寄存器，前半部分為只讀。安全寄存器在前16字節(jié)中包含工廠編程、確保唯一的128位序列號(hào)。
2025-10-10 09:31:41486 
/8KB SRAM和256字節(jié)EEPROM。AVR DU MCU采用14引腳、20引腳、28引腳和32引腳封裝選項(xiàng)。這些MCU支持無(wú)晶振USB操作，并包含一個(gè)可選的內(nèi)部3.3V穩(wěn)壓器。這些MCU在-40°C至85°C的寬工業(yè)工作溫度范圍內(nèi)工作。
2025-10-09 15:15:38447 
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件，可通過(guò)兼容串行外設(shè)接口 (SPI) 的串行總線訪問(wèn)。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通過(guò)串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容總線訪問(wèn)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件。該SRAM
2025-10-09 11:12:55559 。 25CS640設(shè)有獨(dú)立于64Kb主內(nèi)存陣列的非易失性安全寄存器。安全寄存器的前半部為只讀，在前16字節(jié)中包含一個(gè)工廠編程、全局唯一的128位序列號(hào)。128位只讀序列號(hào)后面有一個(gè)32字節(jié)的用戶可編程EEPROM。
2025-09-30 14:57:09641 
使用ART-PI2板子串口1DMA接收數(shù)據(jù)，buf的大小為64,只能累計(jì)接收64字節(jié)，如果擴(kuò)大到256字節(jié)，也只能累計(jì)接受到256字節(jié)。數(shù)據(jù)及時(shí)讀取，緩沖區(qū)應(yīng)該是沒(méi)有溢出的，應(yīng)用程序移到F4的板子是正常，求解
2025-09-12 07:56:31
ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問(wèn)速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計(jì)，支持-40℃~85℃工業(yè)級(jí)溫度范圍，適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場(chǎng)景。
2025-09-04 10:00:00533 
IS61WV102416EDBLL-10TLI以10ns零延遲、1.8μA超低功耗、50G抗振及內(nèi)置ECC，破解工業(yè)通信實(shí)時(shí)性與可靠性難題，成為5G工廠與智能電網(wǎng)的存儲(chǔ)基石。
2025-08-21 10:05:001301 具體情況：配置串口發(fā)送，具體配置情況如下，對(duì)于17字節(jié)內(nèi)的數(shù)據(jù)包能夠正常發(fā)送，大于17字節(jié)的數(shù)據(jù)包只能發(fā)送前17字節(jié)。（已做好字節(jié)對(duì)齊） 請(qǐng)問(wèn)各位大佬應(yīng)該怎么解決。
2025-08-04 07:18:48
numberOfFIFOElements更改為16。
使用兩個(gè)20829 EVK進(jìn)行測(cè)試，最大傳輸數(shù)據(jù)大小為15個(gè)字節(jié)。DLC范圍是0~15 uint32數(shù)據(jù)，但實(shí)際上，另一個(gè)節(jié)點(diǎn)每幀最多只能接收15個(gè)字節(jié)。
如何確保它們能夠發(fā)送和接收64字節(jié)擴(kuò)展幀？
2025-08-04 06:56:54
關(guān)于 USB3014 寫入 1024 字節(jié)或其整數(shù)倍的問(wèn)題，我了解到以下信息：
文檔中提到，如果外部主設(shè)備始終寫入滿數(shù)據(jù)包（如 1024 字節(jié)或其整數(shù)倍），則無(wú)需使用 PKTEND# 信號(hào)
2025-07-28 08:28:57
：CPU 運(yùn)行時(shí)無(wú)法讀取寄存器 16（XPSR）
從硬件讀取寄存器‘xpsr’（4字節(jié)）：0xEFBEADDE
啟動(dòng)目標(biāo) CPU...
錯(cuò)誤：CPU 未停止
錯(cuò)誤：CPU 運(yùn)行時(shí)無(wú)法讀取寄存器 15（R15
2025-07-28 06:33:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LC87F0K08A 8位微控制器8K字節(jié)閃存ROM/384字節(jié)RAM規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-07-17 15:33:200 Hi,各位專家你們好！ 在調(diào)試usb3014的時(shí)候，遇到了一個(gè)問(wèn)題，F(xiàn)PGA不能寫入1024字節(jié)的數(shù)據(jù)(或者1024字節(jié)的整數(shù)倍數(shù)據(jù)）到FX3，（我設(shè)置DMA buffer大小是1024），按理說(shuō)
2025-07-16 06:52:09
1.我正在遵循CYPRESS?為 FX10 發(fā)布的 KITFX10-FMC-001_Hardware_Sign_files 設(shè)計(jì)文件（來(lái)自網(wǎng)站 KITFX10-FMC-001 | EZ-USB
2025-07-16 06:33:51
如何獲得 ns 級(jí)時(shí)間滴答聲 CYW20706
2025-07-04 07:19:03
和 ttl 級(jí)) ，從300波特到1兆波特(rs232)。
?256字節(jié)的接收緩沖區(qū)和128字節(jié)的傳輸緩沖區(qū)利用緩沖平滑技術(shù)，以允許高數(shù)據(jù)吞吐量。
?在大多數(shù)情況下，ftdi 免版稅的 vcp 和 d2xx 驅(qū)動(dòng)程序取消了 usb 驅(qū)動(dòng)程序開(kāi)發(fā)的要求。
2025-06-23 10:12:19
。極低的10ns關(guān)閉傳播延遲時(shí)間和高吸收電流（~4A）能力在CCM時(shí)，驅(qū)動(dòng)器的srv - DS應(yīng)力得到改善模式。獨(dú)特的VG箝位電路工作良好通過(guò)在VD處快速上升來(lái)防
2025-06-14 10:17:4714 太網(wǎng)？以太網(wǎng)是一種基于異步載波偵聽(tīng)多路訪問(wèn)/沖突檢測(cè)（CSMA/CD）協(xié)議的通信技術(shù)。它支持的有效負(fù)載大小為46-1500個(gè)八位字節(jié)，數(shù)據(jù)速率可達(dá)10Mbps、10
2025-06-09 14:00:004117 
QPI。SDR（單倍數(shù)據(jù)率） 操作，時(shí)鐘頻率最高達(dá) 133MHz（32字節(jié)回環(huán)突發(fā)模式，VDD=3.0V±10%）。容量與組織64Mb（8M × 8位） 存儲(chǔ)空
2025-06-06 15:01:36
下位機(jī)CY7C68013A發(fā)送數(shù)據(jù)，上位機(jī)C#在1個(gè)while循環(huán)內(nèi)不斷地讀取數(shù)據(jù)，510字節(jié)1幀，1秒333幀、1秒667幀、1秒1333幀，會(huì)整幀丟幀或者幀內(nèi)丟部分字節(jié)導(dǎo)致錯(cuò)位（幀頭不在開(kāi)始的位置），這個(gè)怎么回事？
2025-05-30 07:43:17
大家好，USB芯片CY7C68013A和FPGA進(jìn)行通信，從EP6讀取512字節(jié)是正常的，但是讀取2個(gè)字節(jié)失?。╢pga端一直在發(fā)）Bulk IN failed，謝謝
2025-05-30 07:12:24
本文介紹了W55MH32的USB全速設(shè)備接口，其符合USB2.0規(guī)范，可配1-8個(gè)端點(diǎn)，支持同步傳輸、雙緩沖機(jī)制及掛起/恢復(fù)。含SIE等模塊，數(shù)據(jù)傳輸基于令牌分組，涉及端點(diǎn)初始化、控制傳輸?shù)葍?nèi)容，與CAN共享512字節(jié)SRAM。
2025-05-29 15:07:231223 
是 “一種測(cè)量響度的單位”。但它不是！分貝在任何傳統(tǒng)意義上都不是一個(gè)單位：它更像是一個(gè)前綴，比如兆字節(jié) (megabyte) 中的“兆” (mega-)，描述的是量級(jí)的變化。 表面上看，這個(gè)概念有其道理。在工程領(lǐng)域中，我們有時(shí)想表達(dá)某個(gè)量增長(zhǎng)了 10
2025-05-28 11:14:40725 
output propagation delay，最大值為8ns，并未標(biāo)注最小值。如果按最小值為0計(jì)算，那么flag的非穩(wěn)定窗口為8ns，時(shí)鐘周期為10ns(100MHz)的情況下，穩(wěn)定窗口僅2ns，想在
2025-05-21 06:33:52
? ? ? ?NS2582 是一款支持 4-5.5V輸入電壓范圍，最大輸出為 2A 電流的同步升壓雙節(jié)鋰電池充電管理芯片。芯片內(nèi)部集成了極低導(dǎo)通電阻的 MOSFETS，以實(shí)現(xiàn)較高的充電效率，芯片
2025-05-20 18:03:321 1Cypress FX3 USB BulkloopExample 設(shè)備預(yù)先插入 Windows 10 計(jì)算機(jī)的 USB3 端口。
2. Windows 10 設(shè)備管理器未在“通用串行總線控制器”列表
2025-05-15 07:53:49
DeepCover 嵌入式安全方案采用多重先進(jìn)的物理安全機(jī)制保護(hù)敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級(jí)的密鑰存儲(chǔ)安全保護(hù)。
DeepCover安全管理器(DS3640)是一款具有1024字節(jié)加密SRAM的安全
2025-05-13 11:22:05617 
。
當(dāng)我commit 52字節(jié)的Leader數(shù)據(jù)和1022字節(jié)的數(shù)據(jù)時(shí)包的大小是正常的。
但是一旦我把commit的字節(jié)增加到1024，數(shù)據(jù)包的大小就大了很多倍
請(qǐng)問(wèn)我應(yīng)該如何定位我的問(wèn)題？
2025-05-13 06:11:59
的 PC 請(qǐng)求讀取時(shí)出現(xiàn)錯(cuò)誤，然后我嘗試從 FPGA 連續(xù)發(fā)送到 PC。
最后，我意識(shí)到 PC（主機(jī)）只能讀取 1024 個(gè)字節(jié)。 非常糟糕，如何將小于1024字節(jié)的緩沖區(qū)從FPGA發(fā)送到PC？
2025-05-09 08:18:20
國(guó)產(chǎn)燒錄器 AP8000 的支持范圍。 FT24C16A-KL是一款容量為16384比特的串行電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，通常被稱為電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)。其存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)為2048個(gè)字，每個(gè)字8比特(即1字節(jié))。這些器件采用專有的先進(jìn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝制造，適用于低功
2025-04-30 14:46:20766 
發(fā)送較大的數(shù)據(jù)量試試，從1000字節(jié)開(kāi)始吧。
發(fā)射端發(fā)送了1000字節(jié)的數(shù)據(jù)。
接收端收到數(shù)據(jù)的情況，從上圖可以看出接收端是分兩次收到的，間隔時(shí)間大概為30ms，測(cè)了十多次，情況都是如此，不過(guò)分包沒(méi)事
2025-04-18 18:18:49
NS-BZ接地變及小電阻接地成套裝置 NS-BZ小電阻接地裝置是一種重要的電氣保護(hù)設(shè)備，主要用于中性點(diǎn)直接接地或經(jīng)小電阻接地的電力系統(tǒng)中，能夠快速切除故障線路，提高供電可靠性。以下是對(duì)其構(gòu)成
2025-04-18 16:11:14861 
DS1110L 10抽頭延遲線是3V版的DS1110。它含有10個(gè)等間隔的抽頭，可以提供10ns至500ns的延遲。DS1110L系列延遲線在3.3V，+25°C時(shí)，提供±5%或±2ns (較大者
2025-04-16 09:25:27909 
、輸出脈沖的上升沿時(shí)間在10ns以內(nèi)
4、目前沒(méi)有負(fù)電壓的電源
我目前的想法是使用H橋電路實(shí)現(xiàn)，使用4個(gè)nmos管和驅(qū)動(dòng)芯片，采用6V供電。請(qǐng)問(wèn)各位大佬有沒(méi)有什么別的電路架構(gòu)推薦呀？
感謝觀看！
2025-04-15 16:09:16
。在2.7V的典型工作狀態(tài)下，功耗可小于0.75mw。? ? ? ?NS2009采用 MSOP10和 QFN(3x3)-16 的標(biāo)準(zhǔn)封裝。
2025-04-09 15:24:452 開(kāi)始讀取20字(40字節(jié))，寫入GE的R320(從1開(kāi)始轉(zhuǎn)為從0開(kāi)始為R319)開(kāi)始的20字；
03: 從GE的PLC的M193(從1開(kāi)始轉(zhuǎn)為從0開(kāi)始為M192，字地址為192/16=12)開(kāi)始讀取4
2025-04-09 09:39:19
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX70154A異步三節(jié)可調(diào)充電IC4A異步雙節(jié)可調(diào)充電IC納祥科技NX7015是一款兼具高集成度和高可靠性的兩節(jié)鋰電池升壓充電管理IC。NX7015
2025-04-08 15:33:15761 
? ? ? ?NS2159是一款完整的單節(jié)鋰離子電池采用恒定電流恒定電壓線性充電器。其底部帶有散熱片的ESOP8封裝與較少的外部元件數(shù)目使得NS2159成為便攜式應(yīng)用的理想選擇
2025-04-08 14:55:240 ? ? ? ?NS2585 是一款同步升壓型雙節(jié)鋰電池充電管理芯片。芯片內(nèi)部集成有低導(dǎo)通電阻功率管可以實(shí)現(xiàn)較高的充電效率，芯片采用 1.2MHz的開(kāi)關(guān)頻率，支持 1uH 小體積功率電感，只需要少數(shù)
2025-04-08 14:37:420 {
char str[10];// 10字節(jié)
int num;// 4字節(jié)
double val;// 8字節(jié)
};
內(nèi)存布局：總大小為16字節(jié)（按8字節(jié)對(duì)齊）
成員覆蓋：寫入新值會(huì)覆蓋舊數(shù)據(jù)
2025-04-08 09:18:57
? ? ? NS2583是一款同步升壓型雙節(jié)鋰電池充電管理芯片。芯片內(nèi)部集成有低導(dǎo)通電阻功率管可以實(shí)現(xiàn)較高的充電效率，芯片采用1.2MHz的開(kāi)關(guān)頻率，支持1uH 小體積功率電感，只需要少數(shù)的外圍器件
2025-04-03 17:51:230 ? ? ? ?NS6118是一款支持寬電壓輸入的異步降壓DC-DC穩(wěn)壓芯片。內(nèi)置有一個(gè)高邊NMOS管能夠提供2A的輸出電流能力。NS6118采用電流模式的環(huán)路控制原理，實(shí)現(xiàn)了快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。芯片還
2025-04-03 17:49:330 我正在開(kāi)發(fā)的讀卡器使用 PN5180。
我想讀取 7 字節(jié) UID 的 Mifare Plus ev1 卡
但 PN5180數(shù)據(jù)表僅解釋了4字節(jié) UID 卡。
如何使用 PN7 制作具有 5180 字節(jié) UID 的身份驗(yàn)證 mifare plus
請(qǐng)幫我怎么做。
2025-04-01 06:37:28
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX70134A異步雙節(jié)可調(diào)充電IC4A異步雙節(jié)可調(diào)充電IC納祥科技NX7013是一款4A異步雙節(jié)可調(diào)充電IC，它控制片外NMOS導(dǎo)通，電感電流上升，當(dāng)檢測(cè)
2025-03-31 15:31:251021 的倍數(shù)，2000整除以16等于125)，共40字節(jié)；
任務(wù)3： 讀取三菱PLC的D1000D1200，寫入西門子PLC的DB10.DBW0DB10.DBW399，共400字節(jié)/200字；
任務(wù)4： 讀取
2025-03-31 11:26:31
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX70122A異步升壓雙節(jié)充電IC2A異步升壓雙節(jié)充電IC納祥科技NX7012是一款兼具高集成度和高可靠性的雙節(jié)鋰電池升壓充電管理IC。它的充電電流可用
2025-03-28 15:33:37766 到int_sram_no_cacheable分區(qū)__attribute__（（section（“.int_sram_no_cacheable”）））gcc 關(guān)鍵字。
我想在 int_sram_shareable int_dtcm 部分
2025-03-27 07:16:12
。
示例：若觸發(fā)閾值為5字節(jié)，最大消息為255字節(jié)，則總大小至少為255 + 5 = 260字節(jié)。
阻塞時(shí)間設(shè)置
ISR中只能使用非阻塞模式（xTicksToWait = 0）。
避免長(zhǎng)時(shí)間阻塞導(dǎo)致
2025-03-24 11:37:29
DMA 傳輸為24字節(jié)。 我不需要 CPU 干預(yù)，所以一切都需要在 DMA 設(shè)置中進(jìn)行配置，否則就違背了使用 DMA 的目的。
此時(shí)，除非我們進(jìn)一步深入研究，否則我不會(huì)分享我的代碼，但我
2025-03-17 06:47:18
MP135的I2C底層讀寫函數(shù)里面對(duì)于MemAddress做了限制， 最多兩個(gè)字節(jié)的MemAddress， 這是MP135的硬件限制 還是 單純的在功能的實(shí)現(xiàn)上做了限制？
我現(xiàn)在對(duì)接的設(shè)備 他必須要三字節(jié)的MemAddress，怎么辦呢
2025-03-14 08:23:44
DS1338串行實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)是低功耗、全二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制(BCD)時(shí)鐘/日歷，外加56字節(jié)NV SRAM。地址與數(shù)據(jù)通過(guò)I2C總線串行傳送。時(shí)鐘/日歷可以提供秒、分、時(shí)、日、月、年信息。對(duì)于
2025-02-26 17:29:05931 
DS1308串行實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）是一個(gè)低功耗、全二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制（BCD）時(shí)鐘/日歷，加上56字節(jié)的NV RAM.地址和數(shù)據(jù)通過(guò)I2C接口串行傳輸。時(shí)鐘/日歷提供秒、分鐘、小時(shí)、日、日期、月和年
2025-02-26 13:48:50884 
DS28E05是一款112字節(jié)的用戶可編程EEPROM，分為7頁(yè)，每頁(yè)16字節(jié)。通過(guò)保護(hù)字節(jié)設(shè)置，可將存儲(chǔ)器頁(yè)面單獨(dú)設(shè)置為寫保護(hù)或epro模擬模式。每個(gè)器件都有自己保證唯一的64位ROM識(shí)別碼
2025-02-26 11:50:591559 
，但是只要兩次操作時(shí)間間隔小于200ms就經(jīng)常出錯(cuò)，所以I2C的地址是沒(méi)有問(wèn)題的
如圖是高速示波器抓的400KHZ速率下的波形，按照手冊(cè)P16的要求，我檢查了I2C的data setup time，這個(gè)時(shí)間遠(yuǎn)大于300ns， datahold time時(shí)間為350ns，
2025-02-24 06:25:30
特點(diǎn)FM24C16D提供16384位串行電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織為2048個(gè)8字每個(gè)位，具有128位UID和16字節(jié)安全性部門。該設(shè)備經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可用于多種場(chǎng)合工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用低
2025-02-13 14:49:06
TXB0108在Vcca=2.5V，Vccb=3.3V的情況下允許的最大數(shù)據(jù)數(shù)率為100Mbps，如果是100Mbps時(shí)每個(gè)bit理論的最大pulse duration才10ns，但是datasheet要求是最小為10ns，這個(gè)如何達(dá)到？或者輸入數(shù)據(jù)為100Mbps時(shí)會(huì)存在問(wèn)題？謝謝！
2025-02-11 07:57:43
推出的一款低功耗8位微控制器，采用CMOS技術(shù)，專為對(duì)功耗敏感的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該微控制器配備64字節(jié)的EEPROM和256字節(jié)的SRAM，能夠滿足小型嵌入式系統(tǒng)的需求
2025-02-10 20:32:09
兩個(gè)128字節(jié)組成阻礙?每128字節(jié)的軟件數(shù)據(jù)保護(hù)塊?寫入：–5毫秒內(nèi)寫入字節(jié)–5毫秒以內(nèi)寫入16字節(jié)頁(yè)面?噪聲濾波：–總線輸入上的施密特觸發(fā)器–總線輸入端上的噪
2025-02-10 14:18:03
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），專為高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理而設(shè)計(jì)。該器件具有快速的訪問(wèn)時(shí)間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
，適用于許多應(yīng)用場(chǎng)景。MS1050NA不使用任何PLL技術(shù)，它計(jì)算內(nèi)部所有STOP信號(hào)測(cè)量值，與配置的參考時(shí)鐘進(jìn)行比較。每個(gè)STOP通道可以實(shí)現(xiàn)最高的測(cè)量精度為10ps，最小脈沖間隔10ns，通過(guò)SPI
2025-02-07 17:45:301013 
用TL16C554已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了發(fā)送數(shù)據(jù)沒(méi)有問(wèn)題
接收數(shù)據(jù)出現(xiàn)以下問(wèn)題
發(fā)送一串?dāng)?shù)據(jù)，在回環(huán)測(cè)試中總讀不出最后一字節(jié)數(shù)據(jù)
發(fā)送單個(gè)字符的時(shí)候，LSR0顯示有數(shù)據(jù)，讀出的永遠(yuǎn)是0x00
請(qǐng)大神們解答到底是什么問(wèn)題
2025-01-22 06:57:38
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