肖特基勢壘二極管 (Schottky barrier diodes, 簡稱 SBD) 是與PN結(jié)二極管有著同樣整流接觸的功率二極管結(jié)構(gòu)，它是通過金屬和半導(dǎo)體漂移區(qū)之間形成電氣非線性接觸，即整流接觸。由于肖特基勢壘二極管擁有相對較低的通態(tài)壓降和較快的開關(guān)速度，使其成為功率器件中備受關(guān)注的單極性器件。

當(dāng)肖特基勢壘二極管上施加反向偏置時，其反向漏電流可有以下三個部分組成：

1)???? 耗盡區(qū)內(nèi)空間電荷產(chǎn)生電流；2)???? 中性區(qū)內(nèi)載流子產(chǎn)生的擴(kuò)散電流；3)???? 金屬-半導(dǎo)體接觸熱電子發(fā)射電流。

肖特基勢壘二極管漏電流可由下式得到

通常來說，反向偏壓 (VR) 遠(yuǎn)大于熱能 (kT/q), 反向偏置狀態(tài)時方括號中的指數(shù)項變得非常小。因此，漏電流主要由飽和電流那部分決定，即

從上面公式我們能夠了解到，熱電子發(fā)射產(chǎn)生的漏電流是肖特基勢壘高度和溫度的強(qiáng)函數(shù)。

因此，基于以上的分析，肖特基勢壘二極管的漏電流與所施加的反向偏壓大小無關(guān)。然而，實際功率肖特基勢壘二極管表現(xiàn)為漏電流隨反向偏壓的增大而迅速增大。隨著反向偏壓的增大，增大的漏電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了耗盡區(qū)內(nèi)空間電荷產(chǎn)生電流，具體原因?qū)⒃谙麓巍稘q知識啦》板塊進(jìn)行詳細(xì)分析。

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