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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>如何從空載電壓中看出電瓶的損耗情況

如何從空載電壓中看出電瓶的損耗情況

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2025-07-01 15:22:08965

無刷雙饋電機(jī)在獨(dú)立電源系統(tǒng)中應(yīng)用的仿真研究

摘 要:分析了無刷雙饋電源系統(tǒng)變速恒頻的運(yùn)行原理,結(jié)合獨(dú)立電源系統(tǒng)的特點(diǎn),建立了系統(tǒng)在空載和帶負(fù)載狀態(tài)下的數(shù)學(xué)模型;對(duì)系統(tǒng)空載至負(fù)載、轉(zhuǎn)速突變、負(fù)載突變等情況進(jìn)行了仿真研究,分析了系統(tǒng)動(dòng)態(tài)特性:通過
2025-06-25 13:08:41

求助 設(shè)計(jì)的反激式開關(guān)電源12V 1.5A PSR 帶載 輸出電壓跌的很厲害

空載輸出 11.84 V帶載1A電壓就跌11V了 VCC電壓14V帶載 空載也在14V 求大神 解決方法
2025-06-24 11:29:14

電動(dòng)機(jī)空載電流平衡,但數(shù)值大的原因及修復(fù)

電動(dòng)機(jī)空載電流平衡但數(shù)值偏大是電氣設(shè)備運(yùn)行中常見的異?,F(xiàn)象,其背后可能涉及多種因素的綜合作用。以下原因分析、診斷方法和修復(fù)措施三個(gè)層面展開詳細(xì)探討,并結(jié)合實(shí)際案例說明處理流程。 一、空載電流偏大
2025-06-21 16:55:111382

SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,MOSFET可以反向?qū)?,即工作在同步整流模式。本文?jiǎn)要介紹其損耗計(jì)算方法。
2025-06-18 17:44:464438

SiC MOSFET計(jì)算損耗的方法

本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對(duì)開關(guān)波形進(jìn)行分割,并使用近似公式計(jì)算功率損耗的方法。
2025-06-12 11:22:052161

干式移相整流變壓器的空載損耗之謎,你清楚嗎?

用戶的困惑常常聚焦在干式移相整流變壓器的空載損耗上,這看似不起眼的損耗,實(shí)則影響著整個(gè)用電系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)性和效率。面對(duì)這一問題,我們用戶角度出發(fā),深入探究。干式移相整流變壓器工作時(shí),鐵芯中的硅鋼片
2025-06-07 09:21:38824

做電源,不懂LLC就虧大了!

電壓開關(guān)(ZVS),大幅降低開關(guān)損耗,效率輕松做到90%以上,特別適合大功率適配器、服務(wù)器電源、LED驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。這份PDF有38頁,基本原理、設(shè)計(jì)流程到實(shí)際案例,都有講解!下面我挑重點(diǎn)給大家捋一捋
2025-06-05 13:50:05

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
2025-06-04 09:22:591506

CYPD3177-24LQXQ適配器電壓崩潰怎么解決?

以看到崩潰情況。 你可以在附件中看 ez pd 分析器導(dǎo)出的文件。 我不明白為什么我的 POWER_DRILL2GO 崩潰了,你能幫我嗎?
2025-05-26 06:27:27

什么是CYPD3177-24LQXQ的“Tc”和“熱損耗(瓦特)”?

什么是CYPD3177-24LQXQ的“Tc”和“熱損耗(瓦特)”?數(shù)據(jù)表顯示 TA、TJ、TJA 和 TJC。
2025-05-26 06:07:12

使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗

作者: Art Pini 電動(dòng)汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲(chǔ)能和充電站,電力電子應(yīng)用的數(shù)量和多樣性持續(xù)增加。這些應(yīng)用需要更高的工作電壓、更大的功率密度、更低的損耗、更高的效率和可靠性
2025-05-25 11:26:00743

岳信儀器教你如何挑選電瓶車電池氣密性檢測(cè)儀?這幾點(diǎn)要注意!

電瓶車的使用中,電池的安全性至關(guān)重要,而電池的氣密性是影響其安全和性能的關(guān)鍵因素之一。電瓶車電池氣密性檢測(cè)儀能夠檢測(cè)電池的密封性能,及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在的泄漏問題。那么,我們?cè)撊绾翁暨x合適的檢測(cè)儀呢?(1
2025-05-14 14:02:26508

超寬壓輸入電源模塊:解決低壓?jiǎn)?dòng)與高壓損耗難題

煩惱?是否還在為高壓輸入工作時(shí)的效率低而擔(dān)憂?在超寬壓輸入的應(yīng)用中,容易產(chǎn)生這么一種問題,電源模塊在低輸入電壓時(shí)帶載能力不足,但在高輸入電壓時(shí)啟動(dòng)又會(huì)導(dǎo)致電路損耗
2025-05-06 11:41:26505

LTC3779空載測(cè)試時(shí),電壓輸出異常的原因?

LTC3779空載測(cè)試時(shí),使用電源箱,第一次按下開關(guān)電路輸出24V正常,然后關(guān)閉電源再次打開電源后,電路輸出7.6V左右,是怎么回事呢? 并且,帶負(fù)載時(shí),當(dāng)輸入30V輸出24V/5.7A左右時(shí),電源
2025-04-28 06:42:59

正激主動(dòng)鉗位電路 輸出電壓抖動(dòng)

和板子一樣大。 遇到的問題是,當(dāng)板子單獨(dú)放在非金屬平臺(tái)上,在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi),空載情況下,5.1V始終輸出穩(wěn)定。 但是,當(dāng)板子和金屬塊組裝在一起(MOS管通過散熱硅膠片和金屬塊緊貼,板子其余區(qū)域
2025-04-24 09:40:04

F2255系列寬帶電壓可變射頻衰減器技術(shù)手冊(cè)

F2255 是一款低插入損耗電壓可變射頻衰減器 (VVA),覆蓋 1MHz 至 3000MHz 的寬頻率范圍。除了提供低插入損耗外,F(xiàn)2255 還在整個(gè)頻率、電壓控制和衰減范圍內(nèi)提供高線性度和低回
2025-04-23 16:32:111141

F2251電壓可變射頻衰減器-50MHz至6000MHz技術(shù)手冊(cè)

F2251 是一款低插入損耗電壓可變射頻衰減器 (VVA),專為多種無線和射頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件覆蓋 50MHz 至 6000MHz 的寬頻率范圍。除了提供低插入損耗外,F(xiàn)2251 還在整個(gè)電壓控制和衰減范圍內(nèi)提供出色的線性度性能。
2025-04-23 16:23:141034

PCB問這個(gè)問題好怕你們笑我:為啥我的損耗曲線是“彎”的???

了點(diǎn)SI的知識(shí)。SI雖然不能說非常非常的高深莫測(cè),但是對(duì)于初學(xué)者來說,遇到三五個(gè)一直解釋不了的問題也實(shí)屬正常! 這個(gè)問題其實(shí)是小麗在仿真某項(xiàng)目的傳輸線的損耗時(shí)遇到的。在特定的板材,疊層和線寬線距情況
2025-04-21 16:48:36

PCB的介質(zhì)損耗角是什么“∠”?

。介電常數(shù)通常是正值,表示介質(zhì)的極化效應(yīng)會(huì)增加電場(chǎng)的效果;但也存在負(fù)值的情況,比如在金屬中,其介電常數(shù)會(huì)隨頻率增加而正值變成負(fù)值,這被稱為金屬的表面等離子共振現(xiàn)象。介電常數(shù)也可以表示為相對(duì)介電常數(shù)
2025-04-21 10:49:27

S參數(shù)與插入損耗和回波損耗

1S參數(shù)的定義2回波損耗S111端口的反射波比入射波可以用阻抗表示為Zin為被測(cè)系統(tǒng)的輸入阻抗(輸入端口看),Zo為傳輸線阻抗舉例:1>傳輸線50Ω,終端匹配時(shí),輸出S11幅度為0左右,信號(hào)
2025-04-19 19:35:082363

射頻系統(tǒng)信號(hào)損耗成因分析及優(yōu)化方案

在無線通信系統(tǒng)測(cè)試環(huán)節(jié)中,傳輸路徑的異常損耗直接影響測(cè)試數(shù)據(jù)的有效性。本文工程實(shí)踐角度,系統(tǒng)梳理導(dǎo)致同軸傳輸鏈路損耗異常的五大核心要素,并提出針對(duì)性優(yōu)化策略。 一、線材品質(zhì)缺陷 技術(shù)解析 導(dǎo)體材料
2025-04-18 15:11:07933

信號(hào)損耗控制原理

一、信號(hào)損耗基本成因? 【電阻效應(yīng)】? 信號(hào)在導(dǎo)線傳輸時(shí),電阻導(dǎo)致部分電能轉(zhuǎn)化為熱能,造成信號(hào)強(qiáng)度隨距離衰減(?平方反比定律?適用場(chǎng)景)?。? 【環(huán)境干擾】? 電磁輻射(如電機(jī)諧波)、大氣吸收(如水
2025-04-15 14:41:39684

用AD4003檢測(cè)電壓時(shí),發(fā)現(xiàn)在空載時(shí)會(huì)有2.8V左右的電壓,請(qǐng)問這是為什么?

我在用AD4003檢測(cè)電壓時(shí),發(fā)現(xiàn)在空載時(shí)會(huì)有2.8V左右的電壓,請(qǐng)問這是為什么?我知道ADC本身模擬輸入管腳懸空時(shí)會(huì)有一個(gè)浮動(dòng)的電壓,但我這個(gè)電壓是不是有點(diǎn)太大了。我的VDD=1.8V,VIO=3.3V,REF=5V。
2025-04-15 07:04:09

電瓶車公共充電樁竟存在這么多糟心難題!安科瑞智能充電樁管理云平臺(tái)大顯身手

一、電瓶車充電,那些讓人頭疼的事 在快節(jié)奏的現(xiàn)代生活里,電瓶車憑借著靈活便捷、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的特點(diǎn),成為了許多人日常出行的得力助手。不管是穿梭在大街小巷去上班,還是出門購(gòu)買生活用品,電瓶車都能輕松應(yīng)對(duì),為
2025-04-10 16:57:48875

開關(guān)電源變壓器匝數(shù)比:16:1改成15:1會(huì)有什么影響?

(0 < D < 1); N :原邊匝數(shù)與副邊匝數(shù)的比值; Vout:輸出電壓(忽略二極管壓降和損耗)。假設(shè)設(shè)計(jì)要求 ( Vout= 12V ),輸入電壓
2025-04-09 11:26:42

S32G3有沒有辦法.map文件確定SRAM使用情況?

我有 NXP S32G3 板。我有 .map 文件。有沒有辦法 .map 文件確定 SRAM 使用情況。 非常感謝幫助。
2025-04-08 06:00:58

UHV-321變壓器容量及空載負(fù)載測(cè)試儀操作使用

本產(chǎn)品是專用于配電電力變壓器容量測(cè)量、變壓器空載及短路損耗測(cè)量的儀器,并具有諧波分析功能,方便對(duì)現(xiàn)場(chǎng)電網(wǎng)質(zhì)量的分析。該儀器電路設(shè)計(jì)精巧,思路獨(dú)特,儀器內(nèi)部采用先進(jìn)的六路同步交流采樣及數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)
2025-04-03 17:29:030

陸地方舟的dc-dc電源板,無電壓輸出故障

這是一個(gè)在停產(chǎn)廠家倒閉的電動(dòng)汽車上拆下來的電源DC-DC,它是給車子上的小電瓶充電的,輸出13V的電壓,現(xiàn)在沒有電壓輸出,主板沒有外觀件明顯損壞,想要這個(gè)主板的一個(gè)圖紙或者資料,板號(hào)VDD152S360-14A
2025-04-03 10:05:32

用HD6000異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)量介質(zhì)損耗角方法

介質(zhì)損耗角正切的測(cè)定一、介質(zhì)損失角正切值的性質(zhì)介電損耗角正切。表征電介質(zhì)材料在施加電場(chǎng)后介質(zhì)損耗大小的物理量,以tgδ表示,δ是介電損耗角。它表征每個(gè)周期內(nèi)介質(zhì)損耗的能量與其貯存能量之比。高分子材料
2025-04-02 09:40:46901

MOS管損耗理論計(jì)算公式推導(dǎo)及LTspice仿真驗(yàn)證

電壓為Vds,電流0上升到Ids_on,產(chǎn)生損耗t3:電壓Vds下降到基本為0(嚴(yán)格來說電壓=Ids_on*Rds(on)),電流為Ids_on,產(chǎn)生損耗t4:電壓保持基本為0(嚴(yán)格來說電壓
2025-03-31 10:34:07

一文看懂RF領(lǐng)域中的駐波比和回波損耗

負(fù)載反射100%前向功率的情況下,源到負(fù)載再返回的路徑上仍會(huì)有一定的功率損失。電壓駐波比(VSWR)另一個(gè)用于測(cè)量或量化反射功率水平與前向功率水平關(guān)系的參數(shù)是電壓駐波比(VSWR)。在VSWR的圖形
2025-03-28 14:42:40

逆變電路中功率器件的損耗分析

在研究逆變電路的損耗時(shí),所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性,同時(shí)還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗進(jìn)行分析,以此介紹選擇合適器件的方法。
2025-03-27 14:20:361765

MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算

。 為了滿足節(jié)能和降低系統(tǒng)功率損耗的需求,需要更高的能源轉(zhuǎn)換效率,這些與時(shí)俱進(jìn)的設(shè)計(jì)規(guī)范要求,對(duì)于電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者會(huì)是日益嚴(yán)厲的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對(duì)前述之規(guī)范需求,除使用各種新的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?topology
2025-03-24 15:03:44

如何降低開關(guān)電源空載損耗

的實(shí)際方法被提出來。本文主要以反激式開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器為例討論如何降低開關(guān)電源的空載損耗。 最后是各集成控制器廠商針對(duì)降低空載損耗所開發(fā)出的 10W 左右輸出功率的產(chǎn)品的簡(jiǎn)介和比較。 關(guān)鍵詞:開關(guān)電源、空載
2025-03-17 15:25:45

射頻電路中常見的損耗類型

射頻電路中的損耗是指在射頻信號(hào)傳輸、處理過程中,信號(hào)能量的減少。
2025-03-17 11:29:071579

基于LTSpice的GaN開關(guān)損耗的仿真

基于LTSpice的GaN開關(guān)損耗的仿真
2025-03-13 15:44:492318

PCB仿真相同損耗下,28G NRZ的產(chǎn)品不能直接升級(jí)到56G PAM4?

是兩種情況下隨損耗變化的眼高曲線對(duì)比,一看就差異很大了。 先不說其他別的設(shè)計(jì)差異,就說協(xié)議規(guī)定的損耗相同這個(gè)事情,也能看出兩者極大的差異。當(dāng)然不能說協(xié)議不對(duì)哈,至少仿真結(jié)果上看,無源指標(biāo)對(duì)于眼高
2025-03-11 11:32:13

電瓶車充電樁:多路智能充電樁-AP350系列(10/16路)

廣州帝能云科技66物聯(lián)充電樁|電瓶車充電樁:多路智能充電樁-AP350系列(10/16路)
2025-03-11 11:10:081216

STM32哪里可以看出芯片是否支持外部存儲(chǔ)擴(kuò)展?

STM32哪里可以看出芯片是否支持外部存儲(chǔ)擴(kuò)展,什么可以選出合適的芯片,主要是速度這些,大概率是怎么看的,時(shí)鐘樹是怎么理解的
2025-03-10 06:16:46

典型應(yīng)用下空載功耗小于75mW的5v2a充電器ic U52143

典型應(yīng)用下空載功耗
2025-03-06 16:16:11765

一文帶你讀懂MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算?。。夥e分)

擴(kuò)大。為了滿足節(jié)能和降低系統(tǒng)功率損耗的需求,需要更高的能源轉(zhuǎn)換效率,這些與時(shí)俱進(jìn)的設(shè)計(jì)規(guī)范要求,對(duì)于電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者會(huì)是日益嚴(yán)厲的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對(duì)前述之規(guī)范需求,除使用各種新的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?topology
2025-03-06 15:59:14

MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET開關(guān)損耗 1 開通
2025-02-26 14:41:53

高頻低損耗大電流電感 氮化鎵電源方案設(shè)計(jì)理想之選

CSBA系列通過采用低損耗金屬磁粉芯材料和優(yōu)化的線圈結(jié)構(gòu),進(jìn)一步降低磁芯損耗和電阻損耗,從而提升氮化鎵電源的整體效率。例如,在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源中,低損耗電感可減少能源浪費(fèi),符合綠色節(jié)能的發(fā)展趨勢(shì)。
2025-02-20 10:50:171009

電能質(zhì)量與電力損耗關(guān)系

電能質(zhì)量與電力損耗之間存在密切的關(guān)系。以下是關(guān)于電能質(zhì)量與電力損耗關(guān)系的分析: 一、電能質(zhì)量對(duì)電力損耗的影響 電壓偏差 : 電壓偏差是指實(shí)際電壓與額定電壓之間的差值。過大的電壓偏差可能導(dǎo)致設(shè)備性能
2025-02-18 16:55:331153

無法ADS62P49獲得正常的時(shí)鐘輸出,是什么原因?qū)е逻@種情況

我想在 ADS62P49 上完成一些評(píng)估工作。 CLKOUT P/M 有沒有什么限制、條件或者其它什么特殊要求? 因?yàn)槲覠o法 ADS62P49 獲得正常的時(shí)鐘輸出。時(shí)鐘輸出的波形呈手指狀。 誰能告訴我出現(xiàn)這種情況的原因?
2025-02-17 06:44:23

開關(guān)電源MOS的8大損耗計(jì)算與選型原則

MOS管損耗的8個(gè)組成部分在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對(duì)MOSFET的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形,套用
2025-02-11 10:39:334786

電容器的損耗特性

電容器作為電子電路中不可或缺的元件,其性能的穩(wěn)定性和效率直接關(guān)系到整個(gè)電路的工作狀態(tài)。電容器的損耗特性是衡量其品質(zhì)優(yōu)劣的重要指標(biāo)之一,它不僅影響電容器的使用壽命,還關(guān)系到電路的穩(wěn)定性和可靠性。本文
2025-02-03 16:15:002272

死區(qū)損耗包括哪些損耗

在電力電子領(lǐng)域,同步整流DC-DC變換器因其高效能和低損耗而得到廣泛應(yīng)用。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,死區(qū)損耗成為影響變換器性能的重要因素。本文將深入探討死區(qū)損耗的概念、分類及其影響。
2025-01-29 16:31:001493

在外部電源正確的情況下,為什么ADS8557的REFIO引腳沒有輸出電壓呢?

在外部電源正確的情況下,為什么ADS8557的REFIO引腳沒有輸出電壓呢??
2025-01-24 06:48:42

工程師指南:38步驟 反激式開關(guān)電源設(shè)計(jì)提供全面指導(dǎo)

系統(tǒng)應(yīng)用需求確定 :明確交流輸入電壓范圍(如寬電壓 85 - 265V、特定電壓倍壓整流等)、頻率(50Hz 或 60Hz)、開關(guān)頻率(大于 20KHz,常用 50 - 200KHz)、輸出電壓、電流、效率、負(fù)載調(diào)整率、損耗分配因子、空載功率損耗及輸出紋波電壓等關(guān)鍵參數(shù),
2025-01-16 18:09:544759

干貨分享!DC-DC 電壓轉(zhuǎn)換的奧秘

,但其操作并不難掌握。 基于電阻的分壓器 讓我們從頭開始。已知的穩(wěn)定電源導(dǎo)出中間電壓的最簡(jiǎn)單方法是使用電阻分壓器。大多數(shù)業(yè)余愛好者都熟悉的基本電路如下所示: 在中間沒有連接負(fù)載的情況下,通過 R1
2025-01-13 10:40:01

相對(duì)介電常數(shù)與介質(zhì)損耗的關(guān)系

相對(duì)介電常數(shù)與介質(zhì)損耗之間存在一定關(guān)系,但并非絕對(duì)的正比或反比關(guān)系,而是受到多種因素的影響。以下是對(duì)這種關(guān)系的分析: 一、基本概念 相對(duì)介電常數(shù) :表征介質(zhì)材料的介電性質(zhì)或極化性質(zhì)的物理參數(shù)。其值
2025-01-10 10:09:573683

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