TE為嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)并制造一系列從感應(yīng)元件到系統(tǒng)封裝的壓力傳感器。
TE可提供領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)化及定制化的壓力傳感器產(chǎn)品，從板裝式壓力元件到帶有放大輸出并完整封裝的壓力變送器。基于硅壓阻微機(jī)
2025-12-24 18:02:26
TEC 溫控 器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心應(yīng)用與技術(shù)特性 TEC（熱電制冷器）作為固態(tài)溫控核心器件，憑借無(wú)機(jī)械運(yùn)動(dòng)、無(wú)制冷劑污染、精準(zhǔn)雙向控溫的特性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的芯片制造、封裝測(cè)試、核心器件運(yùn)行等精密環(huán)節(jié)
2025-12-12 09:32:23
313 TE ConnecTIvity(TE)的M3200壓力傳感器是采用其專(zhuān)有MicrofusedTM技術(shù)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的龐大的壓力傳感器家族的新成員，M3200將微機(jī)械加工的硅壓阻應(yīng)變計(jì)用高溫玻璃
2025-12-09 13:23:29
污染影響測(cè)試精度。 儀器適用于半導(dǎo)體薄膜材料廠、橡塑材料廠、金屬薄膜材料廠、電容器廠、科研單位、高等院校等對(duì) 半導(dǎo)體或橡塑材料的方阻
2025-12-02 08:44:42407 
物理攻擊，如通過(guò)拆解設(shè)備獲取存儲(chǔ)的敏感信息、篡改硬件電路等。一些部署在戶(hù)外的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如智能電表、交通信號(hào)燈等，更容易成為物理攻擊的目標(biāo)。
芯源半導(dǎo)體的安全芯片采用了多種先進(jìn)的安全技術(shù)，從硬件層面為物
2025-11-13 07:29:27
。TE BESS堆疊式混合連接器采用改進(jìn)的導(dǎo)電材料，可提供出色的端子導(dǎo)電效率和較低的溫升控制。該連接器采用浮動(dòng)設(shè)計(jì)，可自動(dòng)校正 ±2.4mm范圍內(nèi)的位置，并具有 ≥5mm的觸點(diǎn)插入重疊。該堆疊式混合連接器可插拔多達(dá)500次，符合UL 4128、TUV、CE和RoHS指令。
2025-11-04 10:49:42342 TE Connectivity（TE）Holsworthy Type 3655汽車(chē)級(jí)多層片式電感器設(shè)計(jì)采用低損耗陶瓷單片結(jié)構(gòu)，具有高導(dǎo)電性金屬電極。TE的3655型汽車(chē)級(jí)多層片式電感器符合
2025-11-03 15:37:54347 
和電壓響應(yīng)，并在內(nèi)置 CRT 顯示器上以用戶(hù)可選擇的格式（圖形、列表、矩陣或 schmoo）顯示結(jié)果。特點(diǎn)* 半導(dǎo)體器件的全自動(dòng)、高速直流特性 * 高分辨率、寬范圍的
2025-11-03 11:20:32
TE Connectivity(TE) 的Measurement Specialties 85UHP 壓力傳感器配備一個(gè)MEMS壓阻芯片，該芯片集成在涂有硅油的316L不銹鋼或合金C276模塊中
2025-11-02 09:26:03460 
TE Connectivity的RayFlite高壓電力電纜是柔韌、導(dǎo)電性高、絕緣的電纜，符合高壓和高海拔環(huán)境的嚴(yán)格要求。這些電力電纜使用大股數(shù)鍍鎳銅導(dǎo)體，讓電氣導(dǎo)電性和機(jī)械韌性更好。改性的ETFE
2025-10-31 16:01:41571 
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)
2025-10-23 14:24:06
光纖耦合半導(dǎo)體激光器屹持光子信息科技(上海)有限公司光纖耦合半導(dǎo)體激光模塊集合了半導(dǎo)體激光器，單模光纖耦合，優(yōu)質(zhì)的光學(xué)傳導(dǎo)和整形裝置，完善精準(zhǔn)的電子控制裝置，和牢固的模塊化封裝，提供從紫外到近紅外
2025-10-23 14:22:45
MONOPOWER半導(dǎo)體泵浦連續(xù)激光器產(chǎn)品特性：連續(xù)波：藍(lán)光（473nm） 紅光（671nm） 綠光（532nm） 紅外光（1047, 1053, 1062 and 1064 nm ）新穎單模專(zhuān)利
2025-10-23 14:11:50
關(guān)于半導(dǎo)體相關(guān)測(cè)試 半導(dǎo)體是一種常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電等眾多領(lǐng)域中都有應(yīng)用，作為大部分電子產(chǎn)品核心單元需用到的材料，它的質(zhì)量直接影響
2025-10-16 11:09:19249 
可靠性保駕護(hù)航！
一、嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)微，鑄就精準(zhǔn)測(cè)試之魂
BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)采用先進(jìn)的高精度傳感器和精密的測(cè)量算法，如同擁有一雙“火眼金睛”，能夠?qū)?Si/SiC/GaN 等各類(lèi)材料
2025-10-10 10:35:17
電阻率的測(cè)試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測(cè)量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)，其精確測(cè)量對(duì)器件性能
2025-09-29 13:43:16581 
摩矽半導(dǎo)體：專(zhuān)耕半導(dǎo)體行業(yè)20年，推動(dòng)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展！
2025-09-24 09:52:052102 
半導(dǎo)體芯片是現(xiàn)在世界的石油，它們推動(dòng)了經(jīng)歷、國(guó)防和整個(gè)科技行業(yè)。-------------帕特里克-基辛格。
AI的核心是一系列最先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片。那么AI芯片最新技術(shù)以及創(chuàng)新有哪些呢。
本章節(jié)作者
2025-09-15 14:50:58
微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價(jià)砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導(dǎo)體，直接影響導(dǎo)電
2025-08-27 14:58:20651 
能力使得功率半導(dǎo)體在各種電力應(yīng)用中不可或缺，例如電力變換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件在多個(gè)領(lǐng)域中發(fā)揮著核心作用，尤其是在新能源
2025-08-25 15:30:17664 
深?lèi)?ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
薄層電阻（SheetResistance,Rs）是表征導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響柔性電子、透明電極及半導(dǎo)體器件的性能。四探針?lè)ㄒ云涓呔群涂煽啃猿蔀闃?biāo)準(zhǔn)測(cè)量技術(shù)，尤其適用于納米級(jí)薄膜表征。本文
2025-07-22 09:52:041006 
Vicfuse VC10 系列熔斷器是一款專(zhuān)門(mén)為半導(dǎo)體保護(hù)設(shè)計(jì)的 10×38mm 規(guī)格快速熔斷器，適用于逆變器、UPS、變速驅(qū)動(dòng)器和其他分立半導(dǎo)體設(shè)備的保護(hù)。它依據(jù) IEC60269-4 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行
2025-07-17 14:12:34
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書(shū)中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
在電子散熱、小型制冷設(shè)備等領(lǐng)域，半導(dǎo)體制冷器（TEC，熱電制冷器）憑借無(wú)噪音、體積小、控溫精準(zhǔn)等優(yōu)勢(shì)被廣泛應(yīng)用。然而，市場(chǎng)上產(chǎn)品型號(hào)繁多，性能差異較大，消費(fèi)者在選購(gòu)時(shí)往往面臨諸多困惑。華晶溫控將從
2025-07-09 14:09:561092 
二合一配電變壓器測(cè)試系統(tǒng)集成直阻、變比測(cè)試功能，解決傳統(tǒng)需兩臺(tái)設(shè)備、反復(fù)拆接線的痛點(diǎn)。其支持一次接線完成雙項(xiàng)測(cè)試，直阻測(cè)試覆蓋0.5mΩ-1kΩ寬量程（精度±0.2%），變比測(cè)量范圍0.9-1000
2025-07-01 17:24:14919 
JX2202二合一配電變壓器測(cè)試系統(tǒng)集成直阻、變比測(cè)試功能，解決傳統(tǒng)需兩臺(tái)設(shè)備、反復(fù)拆接線的痛點(diǎn)。其支持一次接線完成雙項(xiàng)測(cè)試，直阻測(cè)試覆蓋0.5mΩ-1kΩ寬量程（精度±0.2%），變比測(cè)量范圍
2025-06-30 10:58:15447 在科技發(fā)展日新月異的當(dāng)下，溫度控制的精度與穩(wěn)定性成為眾多領(lǐng)域研發(fā)和生產(chǎn)的關(guān)鍵要素。聚焦溫度控制領(lǐng)域的企業(yè)研發(fā)出高精度半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品，已在電子、通訊、汽車(chē)、航空航天等行業(yè)的溫控場(chǎng)景中得到應(yīng)用。那么
2025-06-25 14:44:54
在半導(dǎo)體制造的精密鏈條中，半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過(guò)化學(xué)或物理手段去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等），為后續(xù)制程提供潔凈的基底。本文將從設(shè)備定義、核心特點(diǎn)
2025-06-25 10:31:51
有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專(zhuān)用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動(dòng)方式有很多種，比如熱運(yùn)動(dòng)引起的布朗運(yùn)動(dòng)、電場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等等。它們都對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響，但最終在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電流的只有漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。在此匯總集中介紹一下半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)。
2025-06-23 16:41:132108 
半導(dǎo)體藥液?jiǎn)卧–hemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的宏大版圖中，蘇州芯矽電子科技有限公司宛如一座默默耕耘的燈塔，雖低調(diào)卻有著不可忽視的光芒，尤其在半導(dǎo)體清洗機(jī)領(lǐng)域，以其穩(wěn)健的步伐和扎實(shí)的技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)著關(guān)鍵力量。
芯矽科技扎根于
2025-06-05 15:31:42
半導(dǎo)體設(shè)備，一直是一個(gè)水深火熱的細(xì)分領(lǐng)域。 隨著2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額數(shù)據(jù)的出爐，這一領(lǐng)域迎來(lái)更多看點(diǎn)。 ** 01****半導(dǎo)體設(shè)備，大賣(mài)！** 根據(jù)SEMI最新公布數(shù)據(jù)顯示， 2024年
2025-06-05 04:36:57873 
在電力運(yùn)維領(lǐng)域，配電變壓器的停電檢修是保障電網(wǎng)安全的重要環(huán)節(jié)，而傳統(tǒng)的直阻測(cè)試與變比測(cè)試需分別使用兩臺(tái)儀器，操作繁瑣、耗時(shí)長(zhǎng)。如今，一款二合一配電變壓器測(cè)試系統(tǒng)（直阻+變比）的問(wèn)世，徹底打破了這一
2025-05-28 11:47:03522 
（高精度冷熱循環(huán)器），適用于集成電路、半導(dǎo)體顯示等行業(yè)，溫控設(shè)備可在工藝制程中準(zhǔn)確控制反應(yīng)腔室溫度，是一種用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中對(duì)設(shè)備或工藝進(jìn)行冷卻的裝置，其工作原
2025-05-22 15:31:011418 
上海簡(jiǎn)形電力科技有限公司推出的二合一配電變壓器測(cè)試系統(tǒng)JX2202，集成直阻測(cè)試與變比測(cè)試功能，一次接線即可完成兩項(xiàng)檢測(cè)，直流測(cè)試支持三項(xiàng)不平衡率自動(dòng)計(jì)算，變比組別測(cè)試功能支持三相/單相變壓器、Z型
2025-05-15 16:17:10618 
近日，全球功率電子行業(yè)盛會(huì)PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡開(kāi)幕。作為中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，比亞迪半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案亮相，產(chǎn)品覆蓋汽車(chē)、工業(yè)、新能源等應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-05-14 17:09:291455 摻雜的半導(dǎo)體材料可以滿(mǎn)足要求。本文不介紹駐極體材料，重點(diǎn)介紹P型摻雜的半導(dǎo)體材料。材料可以是P型摻雜的硅，也可以是P型摻雜的聚苯胺（有機(jī)半導(dǎo)體）。因?yàn)镻型摻雜的半導(dǎo)體是通過(guò)空穴導(dǎo)電的，這種材料不產(chǎn)生
2025-05-10 22:32:27
的應(yīng)用，成為科技領(lǐng)域中不可或缺的一部分。 壓阻效應(yīng)：傳感器工作的核心原理 壓阻傳感器的工作原理基于半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)。當(dāng)固體受到作用力后，其電阻率會(huì)發(fā)生變化，進(jìn)而引起電阻的變化，這種效應(yīng)就被稱(chēng)為壓阻效應(yīng)。在半
2025-04-25 16:31:13893 大。
3、二極管的最主要特性是單向導(dǎo)電性。ＰＮ結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。
4、二極管最主要的電特性是單向導(dǎo)電性，穩(wěn)壓二極管在使用時(shí)，穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入
2025-04-25 15:51:11
簡(jiǎn)形電力JX2202二合一配電變壓器測(cè)試儀，集成直阻與變比測(cè)試功能，支持三相/Y/△/Z型變壓器，一次接線完成雙項(xiàng)檢測(cè)。配備大容量鋰電池、無(wú)線APP控制及高清彩屏，提升檢修效率。適用于配網(wǎng)變壓器停電檢修，提供高精度測(cè)量與便攜操作體驗(yàn)。
2025-04-22 09:24:45501 
裝片（Die Bond）作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序，指通過(guò)導(dǎo)電或絕緣連接方式，將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引線框架載體的工藝過(guò)程。該工序兼具機(jī)械固定與電氣互聯(lián)雙重功能，需在確保芯片定位精度的同時(shí)，為后續(xù)鍵合、塑封等工藝創(chuàng)造條件。
2025-04-18 11:25:573085 
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書(shū)籍，作者是美國(guó)人Michael Quirk。看完相信你對(duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類(lèi)
2025-04-15 13:52:11
的感知元件。本文將從壓阻效應(yīng)的微觀機(jī)制出發(fā)，深入探討壓阻式傳感器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及工程應(yīng)用。 二、壓阻效應(yīng)的微觀機(jī)制 壓阻效應(yīng)是指當(dāng)半導(dǎo)體材料受到應(yīng)力作用時(shí)，其電阻率發(fā)生顯著變化的現(xiàn)象。這一現(xiàn)象的物理本質(zhì)
2025-04-14 15:03:491944 
先楫半導(dǎo)體（HPMicro）成立于2020年6月，是一家專(zhuān)注于高性能嵌入式解決方案的半導(dǎo)體企業(yè)，總部位于上海浦東軟件園。公司聚焦于研發(fā)高性能微控制器（MCU）、微處理器及配套外設(shè)芯片，并構(gòu)建了完整
2025-04-14 10:04:58
中圖儀器NS系列半導(dǎo)體臺(tái)階高度測(cè)量?jī)x器是一款專(zhuān)為高精度微觀形貌測(cè)量設(shè)計(jì)的超精密接觸式儀器，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、MEMS、光學(xué)加工等領(lǐng)域。通過(guò)2μm金剛石探針與LVDC傳感器的協(xié)同工作，結(jié)合亞埃級(jí)
2025-03-31 15:08:10
介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)，二極管，三極管。
2025-03-28 16:12:07
NS系列半導(dǎo)體臺(tái)階儀應(yīng)用場(chǎng)景適應(yīng)性強(qiáng)，其對(duì)被測(cè)樣品的反射率特性、材料種類(lèi)及硬度等均無(wú)特殊要求，可測(cè)量沉積薄膜的臺(tái)階高度、抗蝕劑（軟膜材料）的臺(tái)階高度等。 NS系列臺(tái)階儀采用了線性可變
2025-03-27 16:24:51
一、半導(dǎo)體的概念 金屬導(dǎo)體內(nèi)的載流子只有一種，就是自由電子，而且數(shù)目很多，所以具有良好的導(dǎo)電性能。 絕緣體中載流子的數(shù)目很少，因而導(dǎo)電性能很差，幾乎不導(dǎo)電。 半導(dǎo)體中的載流子數(shù)目也不多，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于
2025-03-25 16:21:28
雖然明確說(shuō)明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來(lái)做EtherCAT的從站，但它可以用來(lái)做主站嗎，還是說(shuō)必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43
碲化鎘（CdTe）薄膜太陽(yáng)能電池因其高效率、良好的弱光性能和高溫穩(wěn)定性，非常適合用于建筑一體化光伏（BIPV）。為了進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本、緩解碲（Te）資源的稀缺性，并擴(kuò)大其在BIPV中的應(yīng)用，超薄
2025-03-14 09:02:361572 
2024年，芯途璀璨，創(chuàng)新不止。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“武漢芯源半導(dǎo)體”）在21ic電子網(wǎng)主辦的2024年度榮耀獎(jiǎng)項(xiàng)評(píng)選中，憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力與行業(yè)貢獻(xiàn)，榮膺“年度創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)獎(jiǎng)”。這一
2025-03-13 14:21:54
當(dāng)進(jìn)口的208V半導(dǎo)體設(shè)備在國(guó)內(nèi)使用時(shí)，由于電壓不匹配，可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備無(wú)法正常運(yùn)行甚至損壞。為解決這一問(wèn)題，卓爾凡電力科技有限公司推出了575V變380V三相隔離變壓器，能夠有效解決電壓匹配
2025-03-10 16:28:02635 
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
芯和半導(dǎo)體科技（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯和半導(dǎo)體”）將于3月13日參加在重慶舉辦的重慶半導(dǎo)體制造與先進(jìn)封測(cè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇。作為國(guó)內(nèi)Chiplet先進(jìn)封裝EDA的代表，芯和半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁代文亮博士將發(fā)表題為《集成系統(tǒng)EDA賦能加速先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)仿真》的主題演講。
2025-03-05 15:01:191184 半導(dǎo)體激光器的用途非常廣泛，按照不同的類(lèi)型，有不同的分類(lèi)方式。松盛光電來(lái)介紹半導(dǎo)體激光器的常見(jiàn)分類(lèi)情況，來(lái)了解一下吧。
2025-03-05 11:47:261566 
在工業(yè)生產(chǎn)和半導(dǎo)體設(shè)備運(yùn)行中，電網(wǎng)中的雜質(zhì)和諧波問(wèn)題常常導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行不穩(wěn)定，甚至引發(fā)安全隱患。為了解決這一問(wèn)題，卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V加拿大三相隔離變壓器，為您的設(shè)備提供高效
2025-03-05 08:58:06577 
半導(dǎo)體激光器陣列的應(yīng)用已基本覆蓋了整個(gè)光電子領(lǐng)域，成為當(dāng)今光電子科學(xué)的重要技術(shù)。本文介紹了半導(dǎo)體激光器陣列的發(fā)展及其應(yīng)用，著重闡述了半導(dǎo)體激光器陣列的封裝技術(shù)——熱沉材料的選擇及其結(jié)構(gòu)優(yōu)化、熱沉與半導(dǎo)體激光器陣列之間的焊接技術(shù)、半導(dǎo)體激光器陣列的冷卻技術(shù)、與光纖的耦合技術(shù)等。
2025-03-03 14:56:191804 
文章綜述了現(xiàn)有高功率半導(dǎo)體激光器（包括單發(fā)射腔、巴條、水平陣列和垂直疊陣）的封裝技術(shù)，并討論了其發(fā)展趨勢(shì)；分析了半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)存在的問(wèn)題和面臨的挑戰(zhàn)，并給出解決問(wèn)題與迎接挑戰(zhàn)的方法及策略。
2025-02-26 09:53:121899 
一、引言在半導(dǎo)體制造業(yè)這一高科技領(lǐng)域中，生產(chǎn)效率、質(zhì)量控制和成本控制是企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵所在。隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，制造執(zhí)行系統(tǒng)（MES）已成為半導(dǎo)體企業(yè)提升生產(chǎn)管理水平的重要工具。本文旨在探討
2025-02-24 14:08:161214 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月，鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型摻雜。本次
2025-02-17 09:13:241340 VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40901 
本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理，并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)用。 ? 一、光阻（Photoresist，PR）的本質(zhì)與作用 光阻是半導(dǎo)體制造過(guò)程中用于光刻
2025-02-13 10:30:233889 
微源半導(dǎo)體超低功耗耳機(jī)充電倉(cāng)電源管理芯片-LP7801TE一、功能介紹LP7801TE是一款專(zhuān)為小容量鋰電池充電/放電應(yīng)用設(shè)計(jì)的單芯片解決方案IC，集成了線性充電管理模塊、超低功耗同步升壓放電管
2025-02-10 09:23:01
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:21
0 。特別是濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響，已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響機(jī)理，以期為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制
2025-02-07 11:32:251527 
半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿(mǎn)足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類(lèi)型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 芯片研發(fā)：半導(dǎo)體生產(chǎn)的起點(diǎn)站 半導(dǎo)體產(chǎn)品的旅程始于芯片的精心設(shè)計(jì)。在這一初始階段，工程師們依據(jù)產(chǎn)品的預(yù)期功能，精心繪制芯片的藍(lán)圖。設(shè)計(jì)定稿后，這些藍(lán)圖將被轉(zhuǎn)化為實(shí)際的晶圓，上面布滿(mǎn)了密密麻麻、排列
2025-01-28 15:48:001182 
新唐科技開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界最高水平(*)的光輸出1.7 W、波長(zhǎng)420 nm發(fā)光的靛藍(lán)半導(dǎo)體激光器[1]。本產(chǎn)品有助于光學(xué)系統(tǒng)的小型化和運(yùn)行成本的降低。此外，通過(guò)與新唐量產(chǎn)的紫外半導(dǎo)體激光器（378 nm）和紫色半導(dǎo)體激光器（402 nm）組合使用，作為汞燈的替代光源解決方案，有助于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)社會(huì)。
2025-01-24 09:35:49895 激光錫焊中，不同的波長(zhǎng)適合不同的焊接材料，在實(shí)際的生產(chǎn)應(yīng)用中，半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)應(yīng)該如何選擇呢?松盛光電來(lái)給大家詳細(xì)的介紹分享。半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)選擇至關(guān)重要，需綜合考慮焊件材料、焊料特性、焊接要求等多方面因素。來(lái)了解一下吧。
2025-01-22 11:49:361412 
近日，全球領(lǐng)先的高功率半導(dǎo)體激光元器件及原材料、激光光學(xué)元器件、光子技術(shù)應(yīng)用解決方案供應(yīng)商炬光科技，正式發(fā)布了LCS系列980/1470nm高功率低熱阻低Smile傳導(dǎo)冷卻半導(dǎo)體激光器。 這款LCS
2025-01-09 17:07:531225 在科技飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體作為現(xiàn)代科技的“心臟”，其重要性不言而喻。從智能手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī)，從電動(dòng)汽車(chē)到物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，半導(dǎo)體無(wú)處不在。步入2025年，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)又將呈現(xiàn)怎樣的態(tài)勢(shì)呢？變化中孕育
2025-01-06 16:26:092931 
，若不加以解決，可能會(huì)影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性及器件的長(zhǎng)期穩(wěn)健性。本文將深入剖析半導(dǎo)體熱測(cè)試中常見(jiàn)的幾大問(wèn)題，并提出相應(yīng)的解決策略。 1、熱阻與熱傳導(dǎo)挑戰(zhàn) 半導(dǎo)體器件的熱表現(xiàn)直接關(guān)聯(lián)其工作溫度，而熱阻和熱導(dǎo)率是衡量
2025-01-06 11:44:391580
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