今日（1月4日），中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會MEMS分會發(fā)布“中半?yún)f(xié)MEMS[2026]1號”文件，為“關(guān)于中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會MEMS 分會更名的函”，主要內(nèi)容如下（文末附文件原文）： 經(jīng)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
2026-01-04 11:59:09
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：采用DHF（稀氫氟酸）同步完成氧化層刻蝕與顆粒剝離，利用HF與NH?F緩沖液維持pH穩(wěn)定，減少過腐蝕風(fēng)險。例如，針對300mm晶圓，優(yōu)化后的SC-1溶液（NH?OH:H?O?:H?O=1:1:5）可實(shí)現(xiàn)表面有機(jī)物去除效率提升40%。 物理作用疊加 ：在槽式清洗
2026-01-04 11:22:0353 鋁摻雜氧化鋅（AZO）作為一種高性能透明導(dǎo)電氧化物，在光電子和能源器件中具有廣泛應(yīng)用前景。目前，基于氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積（AACVD）技術(shù)制備AZO薄膜的研究多采用氮?dú)獾榷栊詺怏w作為載氣，而對具有氧化
2025-12-29 18:03:1862 
在HFSS仿真鈮酸鋰電光調(diào)制器T型電極時，盡管電極設(shè)為了完美電導(dǎo)體，介質(zhì)的介質(zhì)損耗角正切設(shè)為0，dB(S21)仍然有比較大的損耗，導(dǎo)致用ABCD矩陣計(jì)算時損耗較大，這是什么原因引起的，如何解決？
2025-12-16 14:36:49
SPM（硫酸-過氧化氫混合液）清洗是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗工藝，主要用于去除晶圓表面的有機(jī)物、光刻膠殘留及金屬污染。以下是SPM清洗的標(biāo)準(zhǔn)化步驟及技術(shù)要點(diǎn)：一、溶液配制配比與成分典型體積比
2025-12-15 13:23:26392 
關(guān)于NFC鎳鋅鐵氧體片的介紹
2025-12-04 10:52:39257 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓清洗是保障芯片性能與良率的核心環(huán)節(jié)之一。隨著制程技術(shù)向納米級演進(jìn)，污染物對器件功能的影響愈發(fā)顯著，而清洗材料的選擇直接決定了清潔效率、工藝兼容性及環(huán)境可持續(xù)性。以下是關(guān)鍵清潔
2025-11-24 15:07:29283 控制：結(jié)合設(shè)備身份認(rèn)證結(jié)果，芯源半導(dǎo)體安全芯片支持細(xì)粒度的訪問控制。物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)可以根據(jù)設(shè)備的身份、權(quán)限等級等信息，限制設(shè)備對系統(tǒng)資源的訪問。例如，在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中，普通傳感器設(shè)備只能上傳監(jiān)測數(shù)據(jù)，而不能
2025-11-18 08:06:15
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-11-12 08:09:25901 
之間，可實(shí)現(xiàn)氧化硅與基底材料的高選擇性刻蝕。例如，BOE溶液通過氟化銨穩(wěn)定HF濃度，避免反應(yīng)速率波動過大。 熱磷酸體系：85%以上的濃磷酸在150–180℃下對氮化硅的刻蝕速率可達(dá)50?/min，且對氧化硅和硅基底的選擇比優(yōu)異。 硝酸體系：主要用于硅材料的快速粗加工，
2025-11-11 10:28:48269 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 內(nèi)外行的朋友都知道：半導(dǎo)體制造過程復(fù)雜，工藝流程頗多，特別是前道的“流片”，更是繁瑣中的繁瑣。本章節(jié)要跟大家分享的就是關(guān)
2025-11-11 08:06:224296 
電子器件、材料、半導(dǎo)體和有源/無源元器件。
可以在 CV 和 IV 測量之間快速切換，無需重新連接線纜。
能夠捕獲其他傳統(tǒng)測試儀器無法捕獲的超快速瞬態(tài)現(xiàn)象。
能夠檢測 1 kHz 至 5 MHz
2025-10-29 14:28:09
晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的重要工藝手段，具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)：高選擇性與精準(zhǔn)保護(hù)通過選用特定的化學(xué)試劑和控制反應(yīng)條件，濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對目標(biāo)材料的高效去除，同時極大限度地減少對非目標(biāo)區(qū)域（如掩膜
2025-10-27 11:20:38369 
自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級
2025-10-23 14:24:06
氧化鋅避雷器測試儀的工作原理，核心是 同步采集避雷器的運(yùn)行電壓與泄漏電流信號，通過信號處理分離關(guān)鍵電氣分量，再計(jì)算參數(shù)并判斷避雷器絕緣狀態(tài) ，具體分 4 步：
信號同步采集 ：通過電壓取樣（如從
2025-10-21 15:29:54
SC2溶液通常不建議重復(fù)使用，主要原因如下：污染物累積導(dǎo)致效率下降SC2溶液（典型配方為HCl:H?O?:H?O）在清洗過程中會逐漸溶解金屬離子、顆粒物及其他雜質(zhì)。隨著使用次數(shù)增加，溶液中的污染物
2025-10-20 11:21:54407 
精準(zhǔn)洞察，卓越測量---BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測試平臺
原創(chuàng) 一覺睡到童年 陜西博微電通科技
2025年09月25日 19:08 陜西
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，每一顆微小的半導(dǎo)體
2025-10-10 10:35:17
傳輸線方法（TLM）作為常見的電阻測量技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統(tǒng)的TLM模型基于理想歐姆接觸假設(shè)，忽略了界面缺陷、勢壘等非理想因素引入的界面電阻，尤其在氧化物半導(dǎo)體如
2025-09-29 13:43:07430 
在全球科技浪潮洶涌澎湃的當(dāng)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)宛如一座精密運(yùn)轉(zhuǎn)的巨大引擎，驅(qū)動著信息技術(shù)革命不斷向前。而在這一復(fù)雜且嚴(yán)苛的生產(chǎn)體系中，半導(dǎo)體濕制程設(shè)備猶如一位默默耕耘的幕后英雄，雖不常現(xiàn)身臺前，卻以無可
2025-09-28 14:06:40
引言 晶圓濕法刻蝕工藝通過化學(xué)溶液對材料進(jìn)行各向同性或選擇性腐蝕，廣泛應(yīng)用于硅襯底減薄、氧化層開窗、淺溝槽隔離等工藝，其刻蝕深度均勻性、表面平整度、側(cè)向腐蝕量等參數(shù)直接影響器件性能。例如，MEMS
2025-09-26 16:48:41934 
半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點(diǎn)及其實(shí)現(xiàn)方式：一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過程。常用酸性溶液
2025-09-25 13:59:25951 
半導(dǎo)體腐蝕清洗機(jī)是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，其作用貫穿晶圓加工的多個核心環(huán)節(jié)，具體體現(xiàn)在以下幾個方面：一、精準(zhǔn)去除表面污染物與殘留物在半導(dǎo)體工藝中，光刻、刻蝕、離子注入等步驟會留下多種
2025-09-25 13:56:46497 
【博主簡介】 本人系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容如有雷同或是不當(dāng)之處
2025-09-24 18:23:164805 
半導(dǎo)體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種，每種均針對特定類型的污染物設(shè)計(jì)，并通過化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)高效清潔：SC-1（堿性清洗液）成分組成：由氫氧化銨（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水
2025-09-11 11:19:131329 
濕件的源頭。
在相關(guān)的研究中，目前已取得了一定的進(jìn)展，它將涉及到化學(xué)計(jì)算、生物計(jì)算等相關(guān)知識和技術(shù)。
所謂化學(xué)計(jì)算是指應(yīng)用計(jì)算機(jī)科學(xué)和化學(xué)原理進(jìn)行計(jì)算和模擬的跨學(xué)科領(lǐng)域，旨在研究化學(xué)反應(yīng)、分子結(jié)構(gòu)
2025-09-06 19:12:03
）宣布重磅推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關(guān)鍵工藝，不僅充分彰顯了中微公司在技術(shù)領(lǐng)域的硬核實(shí)力，更進(jìn)一步鞏固了其在高端半導(dǎo)體設(shè)備市場的領(lǐng)先地位，為加速向高端設(shè)備平臺化公司轉(zhuǎn)型注入強(qiáng)勁新動能。
2025-09-04 14:23:3147857 
濕法刻蝕的工藝指標(biāo)是確保半導(dǎo)體制造過程中圖形轉(zhuǎn)移精度和器件性能的關(guān)鍵參數(shù)，主要包括以下幾個方面：刻蝕速率定義與意義：指單位時間內(nèi)材料被去除的厚度（如μm/min或nm/s），直接影響生產(chǎn)效率和成本
2025-09-02 11:49:32764 
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)PCS中的應(yīng)用
2025-09-01 16:20:25
1 氧化層）選擇對應(yīng)的清洗方式。例如，RCA法中的SC-1溶液擅長去除顆粒和有機(jī)殘留，而稀HF則用于精確蝕刻二氧化硅層。對于頑固碳沉積物，可能需要采用高溫Piranha
2025-08-25 16:43:38449 
半導(dǎo)體行業(yè)中的程控電源全球半導(dǎo)體行業(yè)蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體生產(chǎn)商持續(xù)加大科研力度，擴(kuò)建或優(yōu)化產(chǎn)線以提高產(chǎn)能和效率。半導(dǎo)體研發(fā)和制造過程中的多種應(yīng)用會使用程控電源，如半導(dǎo)體設(shè)備供電、電子器件的性能測試和老化
2025-08-22 09:28:10816 
上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī), 離子束具有方向性強(qiáng)的特點(diǎn), 刻蝕過程中對材料的側(cè)向侵蝕 (鉆蝕)少, 能形成陡峭的光柵槽壁, 適合加工高精度, 高分辨率的光柵 (如中高溝槽密度的光柵).
2025-08-21 15:18:181021 
QV0201~0603E系列ESD靜電防護(hù)貼片壓敏電阻介紹：氧化鋅壓敏電阻是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物為添加劑、經(jīng)過空氣中高溫?zé)Y(jié)而制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件。壓敏電阻是一種限壓型保護(hù)器
2025-08-15 14:29:27411 
濕法刻蝕SC2工藝在半導(dǎo)體制造及相關(guān)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用，以下是其主要應(yīng)用場景和優(yōu)勢：材料選擇性去除與表面平整化功能描述：通過精確控制化學(xué)溶液的組成，能夠?qū)崿F(xiàn)對特定材料的選擇性去除。例如，它能
2025-08-06 11:19:181198 
濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，其效果受多種因素影響。以下是主要影響因素及詳細(xì)分析：1.化學(xué)試劑性質(zhì)與濃度?種類選擇根據(jù)被刻蝕材料的化學(xué)活性匹配特定溶液（如HF用于SiO?、KOH用于硅襯底
2025-08-04 14:59:281458 
在半導(dǎo)體制造中，溝槽刻蝕工藝的臺階高度直接影響器件性能。臺階儀作為接觸式表面形貌測量核心設(shè)備，通過精準(zhǔn)監(jiān)測溝槽刻蝕形成的臺階參數(shù)（如臺階高度、表面粗糙度），為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。Flexfilm費(fèi)
2025-08-01 18:02:17845 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，每個環(huán)節(jié)都對測試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測試測量儀器，在半導(dǎo)體器件測試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652 
一、核心功能與應(yīng)用場景半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī)是利用高頻超聲波（20kHz-1MHz）的空化效應(yīng)，通過液體中微射流和沖擊波的作用，高效剝離晶圓表面的顆粒、有機(jī)物、金屬污染及微小結(jié)構(gòu)內(nèi)的殘留物。廣泛應(yīng)用
2025-07-23 15:06:54
電子科技的快速發(fā)展離不開半導(dǎo)體，半導(dǎo)體作為現(xiàn)代科技的核心驅(qū)動力之一，其對于電子設(shè)備性能、功能拓展方面都起到關(guān)鍵的作用。熱重分析儀作為一款材料熱分析工具，能夠在半導(dǎo)體材料的研究、生產(chǎn)與應(yīng)用過
2025-07-21 11:31:09337 
在MEMS中，玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性（如與硅陽極鍵合），常被用作襯底、封裝結(jié)構(gòu)或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結(jié)構(gòu)的核心工藝，需根據(jù)精度要求、結(jié)構(gòu)尺寸及玻璃類型選擇合適的方法，玻璃刻蝕主要分為濕法腐蝕和干法刻蝕兩大類。
2025-07-18 15:18:011490 在半導(dǎo)體制造流程中，每一塊納米級芯片的誕生，背后都是一場在原子層面展開的極致精密較量。而在這場微觀世界的“精密之戰(zhàn)”中，刻蝕機(jī)堪稱光刻機(jī)的最佳搭檔，二者協(xié)同發(fā)力，推動著芯片制造的精密進(jìn)程。它們的性能
2025-07-17 10:00:29605 
、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、適用環(huán)境及選型依據(jù)等方面綜合分析： HHY5WZ-17/45氧化鋅避雷器一、型號含義解析根據(jù)JB/T 8459標(biāo)準(zhǔn)，型號中各字符代表以下含義：H
2025-07-16 15:24:07
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的工藝制造環(huán)節(jié)中，溫度控制的穩(wěn)定性直接影響芯片的性能與良率。其中，半導(dǎo)體冷盤chiller作為溫控設(shè)備之一，通過準(zhǔn)確的流體溫度調(diào)節(jié)，為半導(dǎo)體制造過程中的各類工藝提供穩(wěn)定的環(huán)境支撐，成為
2025-07-16 13:49:19580 
半導(dǎo)體制造過程中，清洗工序貫穿多個關(guān)鍵步驟，以確保芯片表面的潔凈度、良率和性能。以下是需要清洗的主要工序及其目的： 1. 硅片準(zhǔn)備階段 硅片切割后清洗 目的：去除切割過程中殘留的金屬碎屑、油污和機(jī)械
2025-07-14 14:10:021016 目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
氧化鋅避雷器（ZnO避雷器）是一種基于非線性電阻特性的過電壓保護(hù)裝置，主要用于電力系統(tǒng)防雷及限制操作過電壓。其核心元件為ZnO閥片，正常運(yùn)行時呈現(xiàn)高電阻，幾乎不導(dǎo)通電流；當(dāng)遭遇過電壓時，閥片電阻
2025-07-12 12:39:001056 
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
氧化鋅避雷器是現(xiàn)代電力系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵過電壓保護(hù)設(shè)備，其核心是氧化鋅（ZnO）電阻片。其工作原理和優(yōu)勢特點(diǎn)如下： 工作原理 1. ?非線性伏安特性：氧化鋅電阻片的核心在于其獨(dú)特的高度非線性伏安
2025-07-10 16:37:311531 在汽車電子領(lǐng)域，光電半導(dǎo)體器件的可靠性是保障汽車行駛安全與穩(wěn)定的關(guān)鍵因素。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)作為汽車用分立光電半導(dǎo)體元器件的可靠性測試規(guī)范，其中的高溫高濕試驗(yàn)對于評估器件在復(fù)雜汽車環(huán)境下的性能
2025-06-30 14:39:24487 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，對測試設(shè)備的要求也越來越高。吉時利2601B源表作為一款高性能的數(shù)字源表，以其卓越的精度、多功能性和靈活性，成為半導(dǎo)體測試領(lǐng)域的重要工具。本文將深入探討吉時利2601B在半導(dǎo)體測試中的具體應(yīng)用，分析其技術(shù)優(yōu)勢及如何助力半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)。
2025-06-27 17:04:58569 
近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼：688012）宣布其刻蝕設(shè)備系列喜迎又一里程碑：Primo Menova12寸金屬刻蝕設(shè)備全球首臺機(jī)順利付運(yùn)國內(nèi)一家重要
2025-06-27 14:05:32835 在半導(dǎo)體制造的精密鏈條中，半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過化學(xué)或物理手段去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等），為后續(xù)制程提供潔凈的基底。本文將從設(shè)備定義、核心特點(diǎn)
2025-06-25 10:31:51
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢?b class="flag-6" style="color: red">在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動方式有很多種，比如熱運(yùn)動引起的布朗運(yùn)動、電場作用下的漂移運(yùn)動和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動等等。它們都對半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響，但最終在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電流的只有漂移運(yùn)動和擴(kuò)散運(yùn)動。在此匯總集中介紹一下半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動。
2025-06-23 16:41:132108 
在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體光電器件是實(shí)現(xiàn)光電信號轉(zhuǎn)換與信息傳遞的核心元件，其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此，半導(dǎo)體光電器件測試成為貫穿研發(fā)、生產(chǎn)與質(zhì)檢全流程
2025-06-12 19:17:281516 
ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在反應(yīng)腔內(nèi)直接合成高活性水蒸氣，并解離生成原子氧(O*)，實(shí)現(xiàn)對硅表面的精準(zhǔn)氧化。
2025-06-07 09:23:294590 
穩(wěn)定的工藝控制，廣泛應(yīng)用于集成電路、MEMS器件、分立元件等領(lǐng)域的制造環(huán)節(jié)。二、核心功能與技術(shù)原理刻蝕原理利用高溫下磷酸溶液的強(qiáng)氧化性，對半導(dǎo)體材料進(jìn)行化學(xué)腐蝕。例
2025-06-06 14:38:13
摘要
可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）是一種常用的技術(shù)，由于其對光學(xué)參數(shù)的微小變化具有高靈敏度，而被用在許多使用薄膜結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中，如半導(dǎo)體、光學(xué)涂層、數(shù)據(jù)存儲、平板制造等。在本用例中，我們演示了
2025-06-05 08:46:36
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理
2025-05-30 11:09:301781 
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊，通過等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕，其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
2025-05-28 17:01:183197 
濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢，濕法刻蝕仍在特定場景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247 
漢思膠水在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用概覽漢思膠水在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢和市場價值，其產(chǎn)品體系覆蓋底部填充、固晶粘接、圍壩填充、芯片包封等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，并通過材料創(chuàng)新與工藝適配性設(shè)計(jì)，為
2025-05-23 10:46:58851 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，工藝制程對溫度控制的精度和響應(yīng)速度要求嚴(yán)苛。半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller實(shí)現(xiàn)快速升降溫及±0.5℃精度控制。一、半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller技術(shù)原理與核心優(yōu)勢半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller
2025-05-22 15:31:011418 
過電壓保護(hù)器和氧化鋅避雷器（MOA）均用于電力系統(tǒng)的過電壓防護(hù)，但兩者在原理、功能和應(yīng)用場景上存在顯著差異。以下從工作原理、核心作用及實(shí)際應(yīng)用角度進(jìn)行對比分析： 1. 工作原理對比 （1）氧化鋅
2025-05-13 16:53:35876 電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
芯片刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于將設(shè)計(jì)圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上，形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過化學(xué)或物理方法去除特定材料（如硅、金屬或介質(zhì)層），以下是芯片刻蝕的基本原理和分類： 1. 刻蝕
2025-05-06 10:35:311972 ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
2025-05-06 10:33:063901 在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。泰克中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。
2025-04-29 11:13:001029 半導(dǎo)體BOE（Buffered Oxide Etchant，緩沖氧化物蝕刻液）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝，尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣
2025-04-28 17:17:255516 刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層，具體而言，是通過物理及化學(xué)
2025-04-27 10:42:452200 
微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對它的檢測和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531708 
氧化鋅避雷器的核心在于其主體材料——氧化鋅（ZnO）晶粒。這種材料具有顯著的非線性伏安特性，即其電阻值隨外加電壓的變化呈現(xiàn)出強(qiáng)烈的非線性關(guān)系。具體而言，當(dāng)電壓較低時，氧化鋅呈現(xiàn)高電阻狀態(tài)，幾乎不
2025-04-22 15:06:381828 、Chiller在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用解析1、溫度控制的核心作用設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行保障：半導(dǎo)體制造設(shè)備如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等，其內(nèi)部光源、光學(xué)系統(tǒng)及機(jī)械部件在運(yùn)行過程中產(chǎn)生大量熱量。Ch
2025-04-21 16:23:481232 
，詳細(xì)分析直線電機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)中的關(guān)鍵作用。 一、直線電機(jī)的技術(shù)優(yōu)勢與半導(dǎo)體行業(yè)需求高度契合 高精度與高響應(yīng)速度 直線電機(jī)通過電磁力直接驅(qū)動負(fù)載，省去了傳統(tǒng)機(jī)械傳動中的齒輪、皮帶等中間環(huán)節(jié)，避免了因機(jī)械摩擦和間隙帶來
2025-04-15 17:21:211111 
——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜，再到測試封裝，一目了然。 全書共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息；總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
概述武漢凱迪正大KDYZ-201避雷器殘壓測試儀通過避雷器運(yùn)行參數(shù)檢測氧化鋅避雷器電氣性能狀態(tài)，可有效識別設(shè)備內(nèi)部絕緣受潮、閥片老化等隱患。其采用微機(jī)控制技術(shù)，可同步測量全電流、阻性電流及其諧波
2025-04-01 14:51:13
在SEMICON China 2025展會期間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo
2025-03-28 09:21:191193 近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布通過不斷提升反應(yīng)臺之間氣體控制的精度， ICP雙反應(yīng)臺刻蝕機(jī)Primo Twin-Star 又取得新的突破，反應(yīng)臺之間的刻蝕精度已達(dá)到0.2A（亞埃級）。
2025-03-27 15:46:001178 
，在特定場景中展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢。讓我們走進(jìn)濕法刻蝕的世界，探索這場在納米尺度上上演的微觀雕刻。 濕法刻蝕的魔法：化學(xué)的力量 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液的腐蝕性，選擇性地去除晶圓表面的材料。它的工作原理簡單而高效：將晶圓浸入特定的
2025-03-12 13:59:11983 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)工藝在電子產(chǎn)業(yè)中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。封裝工藝不僅保護(hù)著脆弱的半導(dǎo)體芯片，還確保了芯片與外界電路的有效連接。在半導(dǎo)體封裝過程中，各種氣體被廣泛應(yīng)用于不同的工序
2025-03-11 11:12:002219 
2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了國際領(lǐng)先地位，也為我國
2025-03-07 11:43:222412 
美國機(jī)構(gòu)分析，認(rèn)為中國在支持下一代計(jì)算機(jī)的基礎(chǔ)研究方面處于領(lǐng)先地位。如果這些研究商業(yè)化，有人擔(dān)心美國為保持其在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和生產(chǎn)方面的優(yōu)勢而實(shí)施的出口管制可能會失效。 喬治城大學(xué)新興技術(shù)觀察站（ETO
2025-03-06 17:12:23728 （Yamatake Semiconductor）
領(lǐng)域 ：半導(dǎo)體設(shè)備
亮點(diǎn) ：全球領(lǐng)先的晶圓加工設(shè)備供應(yīng)商，產(chǎn)品包括干法去膠、刻蝕設(shè)備等，2024年科創(chuàng)板IPO已提交注冊，擬募資30億元用于研發(fā)中心建設(shè)，技術(shù)
2025-03-05 19:37:43
影響半導(dǎo)體器件的成品率和可靠性。 晶圓表面污染物種類繁多，大致可分為顆粒污染、金屬污染、化學(xué)污染（包括有機(jī)和無機(jī)化合物）以及天然氧化物四大類。 圖1：硅晶圓表面可能存在的污染物 01 顆粒污染 顆粒污染主要來源于空氣中的粉
2025-02-20 10:13:134063 
生長4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶仍沿用了細(xì)籽晶誘導(dǎo)+錐面放肩技術(shù)，籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面襯底，適合SBD等高功率器件應(yīng)用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材
2025-02-17 09:13:241340 的導(dǎo)電型摻雜，為下游客戶提供更加豐富的產(chǎn)品選擇，助力行業(yè)發(fā)展。該VB法氧化鎵長晶設(shè)備及工藝包已全面開放銷售。 【圖1】鎵仁半導(dǎo)體VB法4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶底面 【圖2】 鎵仁半導(dǎo)體VB法4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶頂面 2025年1月，鎵仁半導(dǎo)體在
2025-02-14 10:52:40901 
微型導(dǎo)軌在半導(dǎo)體設(shè)備中承載著執(zhí)行精確定位運(yùn)動控制的重任，其磨損問題不容忽視。
2025-02-06 18:01:30747 
摘要
可變角度橢圓偏振光譜儀（VASE）是一種常用的技術(shù)，由于其對光學(xué)參數(shù)的微小變化具有高靈敏度，而被用在許多使用薄膜結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中，如半導(dǎo)體、光學(xué)涂層、數(shù)據(jù)存儲、平板制造等。在本用例中，我們演示了
2025-02-05 09:35:38
碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664 ? ? 【研究 梗概 】 在科技的快速發(fā)展中，超寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點(diǎn)。而在近日， 沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室一項(xiàng)關(guān)于超寬禁帶氧化鎵
2025-01-22 14:12:071133 
的刻蝕劑（諸如酸性、堿性或氧化性溶液）與半導(dǎo)體材料之間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)。這些反應(yīng)促使材料轉(zhuǎn)化為可溶性化合物，進(jìn)而溶解于刻蝕液中，達(dá)到材料去除的目的。 2 刻蝕速率的精細(xì)調(diào)控：刻蝕速率不僅受到化學(xué)反應(yīng)動力學(xué)的影響，還取決于
2025-01-08 16:57:451468 氧化鋅避雷器在電力系統(tǒng)中起著關(guān)鍵的過電壓保護(hù)作用。其核心元件氧化鋅閥片具有獨(dú)特的非線性電阻特性。 在正常工作電壓下，氧化鋅閥片呈現(xiàn)高電阻狀態(tài)，避雷器如同開路，僅有極其微小的泄漏電流通過，系統(tǒng)正常運(yùn)行
2025-01-08 15:41:111006 在半導(dǎo)體加工制造工藝中，北京環(huán)球聯(lián)合水冷機(jī)一直發(fā)揮著不可或缺的作用，有其不容忽視的積極意義。作為半導(dǎo)體制造過程中極其重要的輔助加工設(shè)備，北京環(huán)球聯(lián)合水冷機(jī)在多個環(huán)節(jié)都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，確保了
2025-01-08 10:58:11727 
8寸晶圓的清洗工藝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，它直接關(guān)系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關(guān)于8寸晶圓的清洗工藝介紹吧！ 顆粒去除清洗 目的與方法：此步驟旨在去除晶圓表面的微小顆粒物，這些顆粒
2025-01-07 16:12:00813 隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。在眾多半導(dǎo)體材料中，鎵因其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，在半導(dǎo)體制造中占據(jù)了一席之地。 鎵的基本性質(zhì) 鎵是一種柔軟、銀白色的金屬，具有低熔點(diǎn)
2025-01-06 15:11:592707 在半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中，它們會因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱，過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因此，熱測試對于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導(dǎo)體熱測試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580
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