我們?nèi)A林科納研究了基于檸檬酸(CA)的清洗液來(lái)去除金屬污染物硅片表面。 采用旋涂法對(duì)硅片進(jìn)行Fe、Ca、Zn、Na、Al、Cu等標(biāo)準(zhǔn)污染,并在各種添加Ca的清洗液中進(jìn)行清洗。 金屬的濃度采用氣相分解耦合等離子體質(zhì)譜儀(VPD/ICP-MS)對(duì)清洗前后硅片表面的污染物進(jìn)行分析。 并對(duì)其表面微粗糙度進(jìn)行了測(cè)量通過(guò)原子力顯微鏡(AFM)來(lái)評(píng)估清洗溶液的效果。 結(jié)果表明:CA/H2O溶液呈酸性能去除硅表面的金屬污染物。 硅表面的Fe、Ca、Zn和Na從1012個(gè)原子/cm2的數(shù)量級(jí)下降到大約是109個(gè)原子/平方厘米即使在低CA濃度,低溫度下CA溶液,浸漬時(shí)間短。 CA在堿清洗溶液中也有很好的效果。 鐵,鈣,鋅,鈉和銅被還原為109個(gè)原子/平方厘米在CA加入NH4OH/H2O2/H2O溶液中不降解表面。
介紹
隨著 integrated (ULSI)設(shè)備超大規(guī)模工藝對(duì)污染物的要求越來(lái)越嚴(yán)格,清潔工藝變得更加重要。 晶圓片表面的金屬污染物是其性能的主要,例如增加p-n結(jié)漏電,降低氧化物擊穿電壓,加速載流子壽命的測(cè)定。據(jù)報(bào)道硅表面的金屬污染需要加以抑制小于1×1010原子/cm2用于制造64兆DRAM以防止上述故障的發(fā)生。 在未來(lái),這個(gè)級(jí)別應(yīng)該精確到1×109原子/平方厘米。首次提出了基于H2O2化學(xué)的濕法清洗技術(shù)通過(guò)Kern仍然主要用于半導(dǎo)體設(shè)備制造去除污染物,并已在最近幾年的各種方法,以提高清潔效果或減少化學(xué)物質(zhì)的消耗。

審核編輯:湯梓紅
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評(píng)論