摘要

在許多半導(dǎo)體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過(guò)程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。

介紹

半導(dǎo)體是一種固體物質(zhì)，其導(dǎo)電性介于絕緣體和導(dǎo)體之間。 半導(dǎo)體材料的定義性質(zhì)是，它可以摻雜雜質(zhì)，以可控的方式改變其電子性質(zhì)。 硅是開(kāi)發(fā)微電子器件最常用的半導(dǎo)體材料。 半導(dǎo)體器件制造是用來(lái)制造集成電路的過(guò)程，這些集成電路存在于日常的電氣和電子設(shè)備中。 在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，如沉積、去除、刻劃 。

硅片清洗程序 RCA清洗

RCA清洗是去除硅片中的有機(jī)物、重金屬和堿離子的“標(biāo)準(zhǔn)工藝”。 這里用超聲波攪拌去除顆粒。 圖2討論了RCA清洗方法。 第一步，硫酸和雙氧水的比例為1:1 - 1:4。 晶圓在100-1500C的溫度下浸泡10分鐘。 這個(gè)過(guò)程也被稱為pirhana清洗。 然后將晶片在氫氟酸(HF)溶液中浸泡1分鐘，其中HF和H2O的比例為1:10。

超音波和超聲波清洗

圖1所示。 不同類型的污染物，它們的來(lái)源和對(duì)硅片的影響

圖2所示。詳細(xì)的RCA清洗過(guò)程。

結(jié)論

污染物[18-19]發(fā)生在微電子集成電路制造過(guò)程中。 清洗是去除晶圓片污染物的最理想的工藝之一。 所有的清潔過(guò)程都是在一個(gè)無(wú)塵室內(nèi)進(jìn)行的。
審核編輯：湯梓紅