在新設(shè)計(jì)及開發(fā)項(xiàng)目的開始，正確選擇有源與無(wú)源器件及完善的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，將有利于以最低的成本獲得EMC認(rèn)證，減少產(chǎn)品因屏蔽和濾波所帶來(lái)的額外的成本、體積和重量。 這些技術(shù)也可以提高數(shù)字信號(hào)的完整性及模擬信號(hào)信噪比，可以減少重復(fù)使用硬件及軟件至少一次，這也將有助于新產(chǎn)品達(dá)到其功能技術(shù)要求，盡早投入市場(chǎng)。以下是數(shù)字器件的選擇與電路技術(shù)：

器件的選擇：

大部分?jǐn)?shù)字IC生產(chǎn)商都至少能生產(chǎn)某一系列輻射較低的器件，同時(shí)也能生產(chǎn)幾種抗ESD的I/O芯片，有些廠商供應(yīng)EMC性能良好的VLSI（有些EMC微處理器比普通產(chǎn)品的輻射低40dB）；大多數(shù)數(shù)字電路采用方波信號(hào)同步，這將產(chǎn)生高次諧波分量。時(shí)鐘速率越高，邊沿越陡，頻率和諧波的發(fā)射能力也越高。 因此，在滿足產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)的前提下，盡量選擇低速時(shí)鐘。

在HC能用時(shí)絕不要使用AC，CMOS4000能行就不要用HC。要選擇集成度高并有EMC特性的集成電路，比如：電源及地的引腳較近、多個(gè)電源及地線引腳、輸出電壓波動(dòng)性小、可控開關(guān)速率、與傳輸線匹配的I/O電路、差動(dòng)信號(hào)傳輸、地線反射較低、對(duì)ESD及其他干擾現(xiàn)象的抗擾性、輸入電容小、輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)能力不超過(guò)實(shí)際應(yīng)用的要求電源瞬態(tài)電流低（有時(shí)也稱穿透電流）。

這些參數(shù)的最大、最小值應(yīng)由其生產(chǎn)商一一指明。由不同廠家生產(chǎn)的具有相同型號(hào)及指標(biāo)的器件可能有顯著不同的EMC特性，這一點(diǎn)對(duì)于確保陸續(xù)生產(chǎn)的產(chǎn)品具有穩(wěn)定的電磁兼容符合性是很重要的。

在早期設(shè)計(jì)階段，如果IC的EMC特性不清楚，可以通過(guò)一簡(jiǎn)單功能電路（至少時(shí)鐘電路要工作）進(jìn)行各種EMC測(cè)試，同時(shí)要盡量在高速數(shù)據(jù)傳輸狀態(tài)完成操作。發(fā)射測(cè)試可方便地在一標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試臺(tái)上進(jìn)行，將近場(chǎng)磁場(chǎng)探頭連接到頻譜分析儀（或?qū)拵?a href="http://m.makelele.cn/v/tag/577/" target="_blank">示波器）上，有些器件明顯地比其他一些器件噪聲小得多，測(cè)試抗擾度時(shí)可采用同樣的探頭，并連到信號(hào)發(fā)生器的輸出端（連續(xù)射頻或瞬態(tài)）。

但如果探頭是儀器專配的（不只是簡(jiǎn)單的短路環(huán)或?qū)Ь€），首先要檢查其功率承受能力是否滿足要求。測(cè)試時(shí)近場(chǎng)探頭需貼近器件或PCB板，為了定位“關(guān)鍵探測(cè)點(diǎn)”和最大化探頭方向 ， 應(yīng)首先在整個(gè)區(qū)域進(jìn)行水平及垂直掃描（使探頭在各個(gè)方向相互垂直），然后在信號(hào)最強(qiáng)的區(qū)域集中進(jìn)行掃描。

審核編輯：符乾江