近日，飛易通迎來重要里程碑——公司FeasyBlue藍(lán)牙協(xié)議棧成功通過ASPICE CL2認(rèn)證！中汽研公司兩位領(lǐng)導(dǎo)親臨企業(yè)，為飛易通隆重頒發(fā)認(rèn)證證書，共同見證這一值得銘記的里程碑時刻。
2026-01-04 14:26:59
199 eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲，它彌補(bǔ)了 FPGA 芯片自身存儲能力的不足，為 FPGA 提供一個高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283983 
。 I2C接口模塊實(shí)現(xiàn)了I2C協(xié)議的標(biāo)準(zhǔn)模式和快速模式，支持多主機(jī)I2C總線架構(gòu)。其標(biāo)準(zhǔn)模式為100K，快速模式400K。而EEPROM，作為一種支持字節(jié)級單獨(dú)擦寫、數(shù)據(jù)掉電不丟失的存儲器，其存儲容量（從幾字節(jié)到數(shù)百千字節(jié)）恰好滿足了大量嵌入式應(yīng)用對中小規(guī)模非易失性數(shù)據(jù)存儲的需求
2025-12-21 21:39:36446 
在存儲技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04243 概述 1.1 產(chǎn)品簡介 AMD Kria K24 SOM 集成了定制的 AMD Zynq UltraScale+ MPSoC，搭配 LPDDR4 內(nèi)存、非易失性存儲設(shè)備、安全模塊和鋁制散熱外殼。它
2025-12-15 14:35:02194 在電子設(shè)備設(shè)計中，數(shù)據(jù)存儲是一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）因其非易失性和可重復(fù)編程的特性，成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天，我們就來深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42446 
在鋰電池的生產(chǎn)與應(yīng)用領(lǐng)域，安全始終是重中之重。鋰電池外殼的氣密性直接關(guān)系到電池的性能、壽命以及使用安全。傳統(tǒng)的檢測方法往往存在一定的局限性，而如今，非破壞性檢測新選擇——鋰電池外殼氣密性檢測儀
2025-12-02 14:31:48134 
的10資源;如系統(tǒng)需要更多管腳，亦可支持LQFP100封裝，靈活應(yīng)對多樣化應(yīng)用擴(kuò)展。
除了大容量 PSRAM，該MCU還內(nèi)置2K CPLD (FPGA)邏輯資源，實(shí)現(xiàn)了“MCU+可編程邏輯+大內(nèi)
2025-12-01 16:47:34
在存儲技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35248 在嵌入式存儲應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 TPL0102配備兩個線性錐形數(shù)字電位器（DPOT），共有256個擦拭位置。 每個電位器既可作為三端子電位器，也可以作為兩端子電阻器使用。這 TPL0102-100的端到端電阻為100 k
2025-11-19 11:33:38623 
，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來分，存儲芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲芯片就像電腦的內(nèi)存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402724 
于管理等優(yōu)點(diǎn)。
[]()
設(shè)計原則
設(shè)計基于2K3000處理器的全功能COM-E（Type6）核心板，覆蓋處理器所有資源，避免因需求變化，而必須對核心板進(jìn)行裁剪及重新設(shè)計的工作量，增強(qiáng)通用性和可靠性
2025-11-15 11:43:19
海振遠(yuǎn)推薦的AG32系列MCU作為高性價比異構(gòu)計算平臺，其獨(dú)特架構(gòu)和功能特性在嵌入式領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。以下是核心特性分析：
1、FPGA+MCU融合設(shè)計?
內(nèi)置2K邏輯單元的FPGA
2025-11-06 11:15:22
與CPLD進(jìn)行通信
2、DMA配置流程
?在MCU端預(yù)先配置DMA控制器，設(shè)置讀取CPLD中已準(zhǔn)備數(shù)據(jù)的參數(shù)
?配置完成后，DMA控制器進(jìn)入待命狀態(tài)
3、數(shù)據(jù)傳輸過程
?當(dāng)CPLD
2025-10-31 15:42:18
MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44414 一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111442 
CMOS bq3285E/L 是一款低功耗微處理器外設(shè)，提供時間時鐘和 100 年日歷，具有鬧鐘功能和電池供電功能。bq3285L 支持 3V 系統(tǒng)。bq3285E/L 的其他特性包括三個可屏蔽中斷源、方波輸出和 242 字節(jié)的通用非易失性存儲。
2025-09-23 10:40:06698 
兆易創(chuàng)新NOR Flash以其高速讀取、車規(guī)級可靠性和XIP技術(shù)，為車載導(dǎo)航系統(tǒng)提供快速啟動、實(shí)時數(shù)據(jù)存儲和完整路徑規(guī)劃支持，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)安全性。
2025-09-23 09:22:003759 
博維邏輯MC62W12816是一款2M低功耗SRAM，采用55ns高速訪問設(shè)計，為VR設(shè)備提供高性能非易失性存儲解決方案，顯著提升圖像處理與數(shù)據(jù)讀寫效率。
2025-09-22 09:55:00525 
傳統(tǒng)光端機(jī)方案中，采用 CPLD +串化器+解串器 等外圍電路實(shí)現(xiàn)信號處理是常見選擇。 ? 現(xiàn)在我們推出 全新替代方案——只需AG32(內(nèi)置2k CPLD 的 MCU ) + MS21112S
2025-09-18 13:02:33399 
在當(dāng)下，核心技術(shù)的自主可控已是發(fā)展的重中之重，而龍芯2K3000國產(chǎn)芯片，無疑是國產(chǎn)科技領(lǐng)域的一顆耀眼明星，為我國信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展帶來了無限希望。
2025-09-05 18:18:03710 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗(yàn)證！這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)實(shí)力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592248 cpld中實(shí)現(xiàn)DMA的邏輯：
Mcu為master，cpld為slave，mcu對cpld的交互方式為存取寄存器的方式；
mcu中配置好DMA（讀取cpld中準(zhǔn)備好的數(shù)據(jù)）；
cpld中準(zhǔn)備好數(shù)據(jù)后
2025-08-12 09:22:56
在芯片工藝不斷演進(jìn)的今天，材料的物理特性與器件層面的可靠性測試正變得前所未有的重要。近日，在泰克云上大講堂關(guān)于《芯片的物理表征和可靠性測試》的直播中，大家就新型存儲技術(shù)、先進(jìn)材料電學(xué)表征等話題展開了熱烈討論。相變存儲作為新一代非易失性存儲的代表，其器件性能的測試與優(yōu)化自然也成為了焦點(diǎn)之一。
2025-08-11 17:48:371171 
高速編程（寫入）和讀取操作，尤其適合大塊數(shù)據(jù)連續(xù)傳輸。 擦除與寫入管理：以“塊”（Block）為單位進(jìn)行擦除，以“頁”（Page）為單位寫入，需專用控制器管理磨損均衡。 2. 關(guān)鍵特性 非易失性：無需持續(xù)供電即可保留數(shù)據(jù)。 高密度低成本：
2025-08-11 10:43:441645 uboot(最大512k)到sram并執(zhí)行，
一級boot引導(dǎo)二級uboot(功能比較全的uboot)，
opensbi
kernel
app
有2個uboot的原因是因?yàn)樽铋_始在sram里面執(zhí)行程序?qū)Τ绦虼笮∮幸螅?級uboot要小于512K主要是內(nèi)存初始化。
2025-07-11 06:42:11
前言：6月26日，廣州眺望電子作為龍芯硬件生態(tài)在大灣區(qū)的核心合作伙伴，在北京中關(guān)村國際創(chuàng)新中心舉行的2025龍芯產(chǎn)品發(fā)布會暨用戶大會上登臺展示基于龍芯2K3000核心板、工控板、工控機(jī)等產(chǎn)品。其中
2025-07-04 14:02:061496 
。 ? 半導(dǎo)體存儲器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲和非易失性(Non-Volatile)存儲。利基型DRAM屬于易失性存儲，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
k230_sdk使用sd卡啟動，能看到sdcard嗎，我sd卡啟動后無法找到sd卡里的文件,還有我用倉庫下的模型在大核終端運(yùn)行卻被告知內(nèi)存不足，這咋搞
2025-06-25 07:39:12
，代表不同數(shù)據(jù)狀態(tài)（如SLC=1bit, MLC=2bits, TLC=3bits, QLC=4bits）。數(shù)據(jù)以“塊”為單位擦除和寫入。
特點(diǎn)：
優(yōu)點(diǎn)：非易失性，容量大（單位成本低），抗震抗摔（無機(jī)
2025-06-24 09:09:39
純分享帖，需要者可點(diǎn)擊附件免費(fèi)獲取完整資料~~~*附件：同步電機(jī)失步淺析.pdf【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請第一時間告知，刪除內(nèi)容！
2025-06-20 17:42:06
深圳市三佛科技有限公司 分享 非隔離18V500mA小家電電源方案FT8443BD2，原裝現(xiàn)貨
使用FT8443BD2設(shè)計的高精度，高效率，低成本的恒壓輸出開關(guān)電源
規(guī)格: 90~264Vac
2025-06-19 11:01:26
國內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域取得的一項(xiàng)重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)，為客戶定制開發(fā)的EEPROM IP，已順利通過客戶全流程的PVT測試
2025-06-12 17:42:071065 在高性能計算、邊緣物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和云計算等應(yīng)用領(lǐng)域，要確保先進(jìn)SoC設(shè)計的安全性與正確配置，一次性可編程（OTP）非易失性內(nèi)存（NVM）至關(guān)重要。隨著這些技術(shù)朝著先進(jìn)FinFET節(jié)點(diǎn)發(fā)展，OTP
2025-06-03 10:41:501781 
資料，方便用戶從0開始，快速上手開發(fā)。
AGM AG32 MCU和FPGA 目前廣泛應(yīng)用于工業(yè)，消費(fèi)，測試測量和醫(yī)療等場景。
AG32內(nèi)置的FPGA( AGRV2K) 可升級替代EP570
2025-05-30 11:10:50
為了解決高壓大容量變頻器調(diào)速異步電機(jī)失電后的重啟動問題,本文作者曾經(jīng)采用過直流側(cè)最小電流法、交流側(cè)最小電流法等多種控制方法檢測轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速。在現(xiàn)場應(yīng)用中,發(fā)現(xiàn)這些方法存在提取信號困難、數(shù)據(jù)量大以及穩(wěn)定性
2025-05-27 16:23:32
32K高可靠性固定同軸衰減器（2.92mm，2 W，DC-40 GHz）是一種高性能的射頻衰減器，以下是其詳細(xì)信息：### 技術(shù)參數(shù)- **頻率范圍**：DC-40 GHz。- **平均功率**：2
2025-05-27 14:58:33
的FunctionName + 空格 + CPLD信號名稱
其中，
這里的 FunctionName，同 1 中的 FunctionName，就是 MCU 里的通路定義。更多定義參考《AGRV2K
2025-05-26 16:22:38
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41749 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對數(shù)
2025-05-26 09:50:50683 
深圳市易飛揚(yáng)通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新非相干與相干DWDM解決方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展會（5月27-29日，展位號3E2-5），展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長距離光傳輸領(lǐng)域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04630 
前言：龍芯2K0300蜂鳥開發(fā)板支持通過TF卡啟動系統(tǒng)。相較于EMMC存儲方案，TF卡具備靈活拆卸、便于鏡像修改、不受存儲容量限制等優(yōu)勢。本指南詳細(xì)說明在Windows/Linux系統(tǒng)下制作TF卡
2025-05-23 08:32:52811 DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
AGM 軟件中的型號，實(shí)際是 AG32 MCU 系列芯片中的邏輯部分。所以芯片封裝 絲印為 AG32 MCU 的 AG32VF 系列型號。訂貨時只需參考 MCU 型號的對應(yīng)封裝，即可作為 AGRV2K 系列 CPLD 使用。
請聯(lián)系海振遠(yuǎn)科技。
2025-04-14 09:44:29
與鏈接類似的問題S32K344 IAR 啟動代碼問題 （SW32K3_S32M27x_RTD_R21-11_5.0.0_D2410）
export the project from SDK
2025-04-10 07:12:55
芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735 
參考《AGRV2K_Rev2.0.pdf》中的說明。
除了cpld自帶的內(nèi)存，cpld還可以使用mcu的內(nèi)存sram。
AG32整個芯片系列，內(nèi)存sram大小都是128K。
如果mcu用不了
2025-04-07 09:25:33
），還有3路可以使用。
3、 cpld可用的時鐘（除去SYSCLK的另外4路）：
cpld的時鐘除了以上輸入的sys_clock，還有4路可以獨(dú)立使用。
參考《AGRV2K_邏輯設(shè)置.pdf》，如下
2025-04-02 10:08:43
我正在使用 nxp s32k312-100 引腳 mcu。
我正在嘗試使用基于模型的設(shè)計工具箱使用 i2c。
在 simulink 中是否有一種方法我可以在啟動和停止條件之間發(fā)送和接收多個字節(jié)。
我正在嘗試連接 TMP75溫度傳感器。
2025-03-31 07:17:36
中，使用內(nèi)置CPLD資源設(shè)計提供額外的串口。每個串口為內(nèi)置串口的簡化版，串口個數(shù)可以自定義。例程中使用了10個串口，占用大約1.8K 的邏輯。加上AG32自帶的5個UART,可以實(shí)現(xiàn)15+的UART
2025-03-28 10:53:38
，又可再對它寫入，為可讀/寫存儲器， 或隨機(jī)訪問存儲器。? 易失性
p 若存儲器在斷電之后，仍能保存其中的內(nèi)容，則稱為非易失性存儲器；否則，為易失性存儲器；
p 只讀存儲器（ROM）是非易失性的，隨機(jī)
2025-03-26 11:12:24
、AG32/AGRV2K系列：
.bin文件，用Supra軟件，通過JTAG燒錄。
具體使用方法：
Supra軟件中選Tools –> Program，AGRV2K僅支持JLINK或
2025-03-14 09:54:06
和CPLD 聯(lián)合編程）；
如果：
用于1（僅用做MCU），不必關(guān)注此文檔。
用于2（僅用做CPLD），硬件設(shè)計和操作流程，請參考《MANUAL_AGRV2K_3.0.pdf》，或者《AGRV2K Manual
2025-03-13 10:32:21
角形接線接入系統(tǒng)。2臺機(jī)組分別于2006年1,3月 投入系統(tǒng)運(yùn)行。投運(yùn)后不久，31號機(jī)組發(fā)生了一起 因施工質(zhì)量和施工工藝問題引起的磁場開關(guān)誤分 閘，造成發(fā)電機(jī)失磁跳機(jī)事故。純屬分享，點(diǎn)擊下方附件免費(fèi)下載*附件：20250312_磁場開關(guān)誤跳造成發(fā)電機(jī)失磁跳機(jī)事故分析.docx
2025-03-12 17:05:42
NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145322 
三一挖掘機(jī)一鍵啟動開關(guān)易壞的原因雖然三一挖掘機(jī)的一鍵啟動系統(tǒng)設(shè)計旨在提高便利性和安全性，但在實(shí)際使用中，可能會出現(xiàn)一些問題導(dǎo)致開關(guān)易壞。這些問題可能包括：頻繁使用：挖掘機(jī)在施工過程中頻繁啟動和關(guān)閉
2025-03-12 09:29:10
無感直流BLDC，大占空比情況下失步問題
2025-03-11 08:00:38
特性低成本、低功耗的復(fù)雜可編程邏輯器件（CPLD）即時啟動，非易失性架構(gòu)待機(jī)電流低至 2 毫安提供快速的傳播延遲和時鐘到輸出時間提供四個全局時鐘，每個邏輯陣列塊（LAB）有兩個時鐘可用高達(dá) 8 千
2025-03-07 15:19:03
全球嵌入式非易失性內(nèi)存（eNVM）解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商力旺電子，與旗下專注于PUF（物理不可克隆功能）安全I(xiàn)P的子公司熵碼科技，今日正式推出全球首款結(jié)合PUF技術(shù)的后量子加密（PQC）解決方案。此
2025-03-05 11:43:101003 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時時鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43995 
DS9034PCX PowerCap作為非易失性計時RAM的鋰電源，采用Dallas Semiconductor的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。PowerCap模塊板焊接到位并清潔
2025-02-28 10:07:12805 
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被
2025-02-28 10:00:43986 
帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17807 
帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45745 
DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問都通過字節(jié)寬接口實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實(shí)時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58891 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實(shí)時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41748 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50932 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1744內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行
2025-02-27 09:31:07996 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54821 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09951 
龍芯中科攜手正點(diǎn)原子發(fā)布龍芯ATK-DL2K0300B開發(fā)板。該開發(fā)板為正點(diǎn)原子發(fā)布的首款龍芯開發(fā)板，為基于龍芯2K0300處理器打造，是一款性價比高、集低功耗與自主創(chuàng)新能力于一身的國產(chǎn)芯片開發(fā)平臺
2025-02-25 15:29:191352 
可達(dá)90 MB/s?STR和DTR支持的協(xié)議——擴(kuò)展I/O協(xié)議——雙I/O協(xié)議——四I/O協(xié)議?就地執(zhí)行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設(shè)置?軟
2025-02-19 16:15:14
M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM，采用SPI接口，具有32Kbit的存儲容量。該器件專為需要非易失性存儲的應(yīng)用設(shè)計，能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)
2025-02-18 21:57:03
特點(diǎn)Intel?MAX?10設(shè)備是單芯片、非易失性低成本可編程邏輯器件（PLD），以集成最佳的系統(tǒng)組件集。Intel MAX 10設(shè)備的亮點(diǎn)包括：?內(nèi)置雙配置閃存?用戶閃存?即時支持?集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器
2025-02-14 14:25:08
2024年6月，龍芯中科發(fā)布了又一款重磅產(chǎn)品龍芯2K0300，龍芯2K0300芯片是一款基于LA264處理器核的多功能SoC芯片，可廣泛適用于工業(yè)控制、通信設(shè)備、信息家電和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。經(jīng)過半年多的打磨，北京迅為電子正式推出基于龍芯2K0300的HMI產(chǎn)品(帶殼/不帶殼子)。
2025-02-13 14:30:09982 
半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存儲器，具有 16 Kbit 的存儲容量，專為需要非易失性存儲的應(yīng)用設(shè)計。這款器件采
2025-02-10 07:41:41
龍芯LS2K1000LA-i產(chǎn)品簡介 LS2K1000LA-i是龍芯雙核LoongArch LA264自主架構(gòu)處理器。創(chuàng)龍科技基于LS2K1000LA-i設(shè)計的工業(yè)核心板(SOM-TL2K
2025-01-24 09:26:26977 
隨著汽車工業(yè)的快速發(fā)展，汽車電子系統(tǒng)變得越來越復(fù)雜，對電子控制單元（ECU）的性能要求也越來越高。CPLD作為一種可編程邏輯器件，以其靈活性、低功耗和快速響應(yīng)的特點(diǎn)，在汽車電子領(lǐng)域得到了廣泛
2025-01-23 10:05:301319 在數(shù)字電子領(lǐng)域，CPLD和ASIC是兩種廣泛使用的集成電路技術(shù)。它們各自有著獨(dú)特的優(yōu)勢和局限性，適用于不同的應(yīng)用場景。 1. 定義與基本原理 1.1 CPLD（復(fù)雜可編程邏輯器件） CPLD是一種
2025-01-23 10:04:171338 CPLD（復(fù)雜可編程邏輯器件）是一種介于簡單PLD（可編程邏輯器件）和FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）之間的可編程邏輯器件。它們通常用于實(shí)現(xiàn)中等復(fù)雜度的數(shù)字電路設(shè)計。優(yōu)化CPLD性能可以通過以下幾個方面
2025-01-23 10:03:001207 CPLD的電源供應(yīng)穩(wěn)定且符合規(guī)格要求。 接口檢查 ：檢查所有與CPLD相連的接口，包括I/O引腳和外部設(shè)備連接。 物理檢查 ：檢查CPLD是否有物理損傷，如引腳彎曲或斷裂。 2. 軟件驗(yàn)證 軟件是CPLD功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵，因此軟件驗(yàn)證是故障排除的第一步。 代碼編譯
2025-01-23 10:01:243046 CPLD（Complex Programmable Logic Device，復(fù)雜可編程邏輯器件）的功耗控制是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中的重要考慮因素，特別是在便攜式或電池供電的設(shè)備中。以下是一些關(guān)鍵
2025-01-23 10:00:031116 。它具有中等規(guī)模的邏輯資源和較高的集成度，適用于中小型邏輯設(shè)計。 CPLD的優(yōu)勢 1. 集成度高 CPLD具有較高的集成度，可以在一個芯片上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的邏輯功能，減少了外部元件的使用，從而降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。 2. 編程靈活性 CPLD可以通過編程來實(shí)現(xiàn)不同的邏輯功能，這使得它們可以被用于多種不同
2025-01-23 09:54:362222 。與FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）相比，CPLD通常具有更少的邏輯資源，但具有更低的功耗和成本。CPLD的可編程性使其能夠快速適應(yīng)設(shè)計變更，這對于快速迭代的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)至關(guān)重要。 2. CPLD的優(yōu)勢 快速開發(fā)周期 ：CPLD允許設(shè)計者快速實(shí)現(xiàn)和修改邏輯功能，加速
2025-01-23 09:50:331932 隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，可編程邏輯器件在各個領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。CPLD作為一種靈活、成本效益高的解決方案，被廣泛應(yīng)用于多種電子系統(tǒng)設(shè)計中。 CPLD概述 CPLD是一種可編程邏輯器件，它通過
2025-01-23 09:48:122314 在數(shù)字電路設(shè)計領(lǐng)域，CPLD和FPGA是兩種常用的可編程邏輯器件。它們都允許工程師根據(jù)需要設(shè)計和重新配置數(shù)字電路，但它們在結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用上存在顯著差異。 CPLD和FPGA的定義 CPLD
2025-01-23 09:46:362762 在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
有人用過數(shù)字電位器TPL0501-100么？器件比較中說它采用的是易失性存儲介質(zhì)，但是datasheet中關(guān)于這點(diǎn)只字未提，不知道上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？
2025-01-14 08:37:07
瓜熟方能蒂落，成長需要?dú)v練。易飛揚(yáng)宣布于2025年初啟動職員類全員持股行動，向美好的明天說再見，再見，不是不見，是再一次遇見！
2025-01-07 17:43:54971 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-345：SHARC處理器的啟動內(nèi)核定制和固件可升級性.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:14:46
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