12V300mA方案設(shè)計非隔離恒壓驅(qū)動電源icSM7055替換CYT

驅(qū)動芯片SM7055-12 是采用電流模式 PWM 控制方式的功率開關(guān)芯片，集成高壓啟動電路

和高壓功率管，可實現(xiàn)低成本、高性價比開關(guān)電源系統(tǒng)解決方案。





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芯片應(yīng)用于 BUCK、BUCK-BOOST 系統(tǒng)方案，支持 12V 輸出電壓，很方便的應(yīng)用于小家電

產(chǎn)品領(lǐng)域。并提供了過溫、過流、過壓、欠壓等完善的保護(hù)功能，保證了系統(tǒng)的可靠性。

通過高壓 MOS 的電流 ID 分成兩個部分，其中一部分為 IS，這部分電流為芯片采樣電流

。IS 與 ID 成比例關(guān)系：

ID? = GID ? IS

通過上圖可知：(I S I FB ) ? R2 ? 0.23V?

驅(qū)動電源管理芯片SM7055-12主要特性:

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持：低成本 BUCK、 BUCK-BOOST 等方案

采用 730V 單芯片集成工藝

85Vac~265Vac 寬電壓輸入

待機(jī)功耗小于 120mW@220Vac

集成高壓啟動電路

集成高壓功率開關(guān)

60KHz 固定開關(guān)頻率

內(nèi)置抖頻技術(shù)，提升 EMC 性能

電流模式 PWM 控制方式

內(nèi)置過溫、過流、過壓、欠壓等保護(hù)功能

內(nèi)置軟啟動

內(nèi)置智能軟驅(qū)動技術(shù)（提高

EMC 性能）

封裝形式：TO252-2、DIP8

SM7055驅(qū)動電源管理芯片應(yīng)用領(lǐng)域:

電飯煲、電壓力鍋等小家電產(chǎn)品電源

漏源擊穿電壓

DRAIN 端關(guān)斷態(tài)漏電流

源漏端導(dǎo)通電阻

HVDD 開啟電壓

HVDD 關(guān)閉電壓

HVDD 遲滯閾值電壓

HVDD 工作電流

芯片充電電流

從上式可以看出，IFB 電流大，ID 的電流就??；IFB 電流小，ID 的電流就大。當(dāng) IFB?

的電流大于(0.23V / R2)

時，芯片會關(guān)閉 PWM，同時芯片會自動進(jìn)入突發(fā)模式。

注（1）：芯片要焊接在有 200mm2 銅箔散熱的 PCB 板，銅箔厚度 35um，銅箔連接到所

有的 GND 腳。

上圖為典型的 SM7055-12驅(qū)動電源管理icBUCK-BOOST 電路，其中 C1、C2、L1 組成π型濾波，有益于改善 EMI 特

性；R1 電阻為浪涌抑制元件；D1 為整流二極管，構(gòu)成半波整流電路。

當(dāng)開關(guān)電源啟動后，C2 電容上的電壓會通過芯片內(nèi)部的高壓啟動 MOS 管向芯片 HVDD 電

容 C3 充電，當(dāng)

C3 電容電壓達(dá)到 11.5V，內(nèi)部高壓啟動 MOS 管關(guān)閉，同時 PWM 開啟，系統(tǒng)開始工作。

當(dāng) C3 電容電壓下降到 9V 以下，關(guān)閉 PWM 信號，同時芯片將會產(chǎn)生復(fù)位信號，使系統(tǒng)

重新啟動，這就是欠壓保護(hù)。

IC 的 DRAIN 腳與 GND 及 HVDD 之間需要開槽，以滿足安規(guī)要求。

初級環(huán)路與測試環(huán)路的走線距離盡量粗而短，以便更容易通過 EMC 測試。