TDK PiezoBrush PZ3 - c評(píng)估套件：探索冷等離子體解決方案的利器 在電子工程領(lǐng)域，不斷探索和創(chuàng)新新的技術(shù)與產(chǎn)品是推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。今天，我們就來(lái)詳細(xì)了解一下TDK
2025-12-25 16:35:11
110 SPS-5T-2000是一款溫度可達(dá)2000℃、壓力最高5T的智能放電等離子體熱壓燒結(jié)系統(tǒng)（Spark Plasma Sintering），其原理是利用通-斷直流脈沖電流直接通電燒結(jié)的加壓燒結(jié)
2025-12-20 15:25:12459 
一、行業(yè)背景：半導(dǎo)體設(shè)備從“能運(yùn)行”走向“長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行”對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備制造商（EquipmentMaker）而言，刻蝕、薄膜沉積、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等核心設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng)力，早已不再停留在
2025-12-19 17:10:215866 
在核聚變能源成為全球能源轉(zhuǎn)型重要方向的今天，托卡馬克等核聚變研究裝置的穩(wěn)定運(yùn)行與技術(shù)突破，離不開對(duì)等離子體狀態(tài)的精準(zhǔn)把控。等離子體診斷作為解析等離子體物理特性的核心手段，通過探針法、微波法、激光法、光譜法等多種技術(shù)，獲取電子密度、電子溫度、碰撞頻率等關(guān)鍵參數(shù)，為核聚變反應(yīng)的控制與優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。
2025-12-15 09:29:07522 
芯源MOSFET采用超級(jí)結(jié)技術(shù)，主要有以下幾種應(yīng)用：
1）電腦、服務(wù)器的電源--更低的功率損耗；
2）適配器（筆記本電腦、打印機(jī)等）--更輕、更便捷。
3）照明（HID燈、工業(yè)照明、道路照明等）--更高的功率轉(zhuǎn)換效率；
4）消費(fèi)類電子產(chǎn)品（液晶電視、等離子電視等）--更輕、更薄、更高能效。
2025-12-12 06:29:10
華為與廣汽、東風(fēng)集團(tuán)達(dá)成全新合作，這一戰(zhàn)略聯(lián)盟對(duì)制造工藝提出了新的要求。在保持各自體系特色的同時(shí)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量提升，成為各方需要面對(duì)的課題。在這一背景下，等離子表面處理設(shè)備或許能夠提供一種新的工藝思路
2025-12-11 10:09:30384 基于衍射的光學(xué)計(jì)量方法（如散射測(cè)量術(shù)）因精度高、速度快，已成為周期性納米結(jié)構(gòu)表征的關(guān)鍵技術(shù)。在微電子與生物傳感等前沿領(lǐng)域，對(duì)高性能等離子體納米結(jié)構(gòu)（如金屬光柵）的精確測(cè)量提出了迫切需求，然而現(xiàn)有傳統(tǒng)
2025-12-03 18:05:28274 
目前常見的智能手持移動(dòng)終端設(shè)備有：PDA手持終端，RFID讀寫器，條碼掃碼移動(dòng)終端、二維碼掃碼手持終端、NFC手持終端、工業(yè)平板、測(cè)溫測(cè)振PDA、熱成像手持終端、低頻RFID設(shè)備、高頻RFID設(shè)備、超高頻RFID讀寫器以及巡檢設(shè)備、Lora設(shè)備、人臉識(shí)別、證件識(shí)別PDA、ETC手持終端設(shè)備等等。
2025-12-03 11:14:20518 
1）電腦、服務(wù)器的電源--更低的功率損耗；
2）適配器（筆記本電腦、打印機(jī)等）--更輕、更便捷;
3）照明（HID燈、工業(yè)照明、道路照明等）--更高的功率轉(zhuǎn)換效率；
4）消費(fèi)類電子產(chǎn)品（液晶電視、等離子電視等）--更輕、更薄、更高能效。
2025-11-26 06:54:56
氬離子拋光技術(shù)通過電場(chǎng)加速產(chǎn)生的高能氬離子束，在真空環(huán)境下對(duì)樣品表面進(jìn)行可控的物理濺射剝離。與傳統(tǒng)機(jī)械制樣方法相比，其核心優(yōu)勢(shì)在于：完全避免機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致的樣品損傷，能夠保持材料的原始微觀結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)
2025-11-25 17:14:14456 
摘要：電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室元素分析。本文采用電感耦合等離子發(fā)射光譜法（ICP-OES）同時(shí)測(cè)定堿性電池生產(chǎn)廢水中鐵、鋅、錳、鎳、銅、鉛、鋁、鉻金屬元素的含量。
2025-11-25 13:52:45345 
等離子透鏡實(shí)驗(yàn)方案 柏林馬克斯·伯恩研究所(MBI)與漢堡DESY研究中心組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)成功研制出可聚焦阿秒級(jí)光脈沖的等離子體透鏡。這一突破性進(jìn)展使得實(shí)驗(yàn)可用阿秒脈沖功率實(shí)現(xiàn)量級(jí)提升，為研究超快
2025-11-25 07:35:1798 
在TEM（透射電子顯微鏡）高精度的表征和FIB（聚焦離子束）切片加工技術(shù)之前，使用等離子體進(jìn)行樣品預(yù)處理是一個(gè)關(guān)鍵的步驟，主要用于清潔和表面改性，其直接目的是提升成像質(zhì)量或加工效率。
2025-11-24 17:17:031234 當(dāng)科技巨頭META宣布9月發(fā)布搭載 微型屏幕 的 智能眼鏡 時(shí)，輕巧機(jī)身內(nèi)的高精度光學(xué)系統(tǒng)引發(fā)關(guān)注。這款設(shè)備要在鏡片上實(shí)現(xiàn)虛實(shí)融合，依賴一項(xiàng) 納米級(jí)表面處理技術(shù) —— 等離子表面處理 。它通過
2025-11-19 09:37:28351 在集成電路制造的離子注入工藝中，完成離子注入與退火處理后，需對(duì)注入結(jié)果進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量檢查，以確保摻雜效果符合器件設(shè)計(jì)要求。當(dāng)前主流的質(zhì)量檢查方法主要有兩種：四探針法與熱波法，兩種方法各有特點(diǎn)，適用于不同的檢測(cè)場(chǎng)景。
2025-11-17 15:33:10726 
合成株式會(huì)社研發(fā)的 IXE 系列離子捕捉劑，就像一把 “魔法鑰匙”，通過精準(zhǔn)的離子捕捉技術(shù)，破解了這一行業(yè)頑疾，為電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。 一、“離子魔咒” 的本質(zhì)：看不見的電子殺手 電子設(shè)備中的雜質(zhì)離子，就像隱藏在精密結(jié)構(gòu)
2025-11-12 16:12:38378 
束，通常以鎵（Ga）離子為主，部分設(shè)備還配備氦（He）或氖（Ne）離子源。離子束在轟擊樣品時(shí)，會(huì)產(chǎn)生濺射現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)材料的精準(zhǔn)去除，同時(shí)通過二次電子信號(hào)獲取樣品的形貌
2025-11-11 15:20:05259 
氬離子拋光技術(shù)作為一項(xiàng)前沿的材料表面處理手段，憑借其高效能與精細(xì)加工的結(jié)合，為多個(gè)科研與工業(yè)領(lǐng)域帶來(lái)突破性解決方案。該技術(shù)通過低能量離子束對(duì)材料表面進(jìn)行精準(zhǔn)處理，不僅能快速實(shí)現(xiàn)拋光還能在微觀尺度
2025-11-03 11:56:32205 
氬離子拋光和切割技術(shù)是現(xiàn)代微觀分析領(lǐng)域中不可或缺的樣品制備手段。該技術(shù)通過利用寬離子束（約1毫米寬）對(duì)樣品進(jìn)行切割或拋光，能夠精確地去除樣品表面的損傷層，并暴露出高質(zhì)量的分析區(qū)域，為后續(xù)的微觀結(jié)構(gòu)
2025-10-29 14:41:57192 
近日，我所化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室大連光源科學(xué)研究室楊學(xué)明院士、張未卿研究員團(tuán)隊(duì)與深圳先進(jìn)光源研究院科研團(tuán)隊(duì)合作，在超快軟X射線自由電子激光(FEL)領(lǐng)域取得新進(jìn)展。研發(fā)團(tuán)隊(duì)提出一種基于等離子
2025-10-27 07:36:57135 
你是否想象過，有一種特殊的“火焰”，它并不灼熱，卻能瞬間讓材料表面煥然一新；它不產(chǎn)生煙霧，卻能精密地雕刻納米級(jí)的芯片電路？這種神奇的“火焰”，就是今天我們要介紹的主角——射頻等離子體（RF Plasma）。
2025-10-24 18:03:141303 PECVD（ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）是一種通過射頻（ RF ）電源激發(fā)等離子體，在低溫條件下實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的半導(dǎo)體制造技術(shù)。其核心在于利用等離子體中的高能粒子（電子、離子、自由基）增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)活性。
2025-10-23 18:00:412699 
堅(jiān)實(shí)有力的技術(shù)支撐。SEM分析在這之前，樣品的制備是至關(guān)重要的一步。傳統(tǒng)的研磨和拋光方法雖然在一定程度上能夠滿足樣品表面處理的需求，但往往會(huì)對(duì)樣品表面造成不可逆的損
2025-10-11 14:14:38217 
傾佳先進(jìn)等離子體電源系統(tǒng)：市場(chǎng)動(dòng)態(tài)、拓?fù)溲葸M(jìn)與碳化硅器件的變革性影響 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-10-09 17:55:31912 
德國(guó)施泰因哈根2025年9月29日 /美通社/ -- 汽車行業(yè)正面臨重大挑戰(zhàn)：新材料應(yīng)用、輕量化結(jié)構(gòu)理念以及日益增長(zhǎng)的可持續(xù)性要求，這些都需要?jiǎng)?chuàng)新制造工藝的支持。等離子技術(shù)在應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)中發(fā)
2025-09-30 09:42:14380 什么是離子污染物離子污染物是指產(chǎn)品表面未被清洗掉的殘留物質(zhì)，這些物質(zhì)在潮濕環(huán)境中會(huì)電離為導(dǎo)電離子,例如電鍍藥水、助焊劑、清洗劑、人工汗液等，很容易在產(chǎn)品上形成離子殘留。一旦這些物質(zhì)在產(chǎn)品表面殘留并
2025-09-18 11:38:28502 
離子注入單晶靶材時(shí)，因靶體存在特定晶向，其對(duì)入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體部分晶向觀察，能發(fā)現(xiàn)晶格間存在特定通道（圖 1）。當(dāng)離子入射方向與靶材主晶軸平行時(shí)，部分離子會(huì)直接
2025-09-12 17:16:011974 
）宣布重磅推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關(guān)鍵工藝，不僅充分彰顯了中微公司在技術(shù)領(lǐng)域的硬核實(shí)力，更進(jìn)一步鞏固了其在高端半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，為加速向高端設(shè)備平臺(tái)化公司轉(zhuǎn)型注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
2025-09-04 14:23:3147856 
FIB是聚焦離子束的簡(jiǎn)稱，由兩部分組成。一是成像，把液態(tài)金屬離子源輸出的離子束加速、聚焦，從而得到試樣表面電子像（與SEM相似）；二是加工，通過強(qiáng)電流離子束剝離表面原子，從而完成微，納米級(jí)別的加工
2025-08-26 15:20:22727 
*附件：ATA-7100單頁(yè)手冊(cè)V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~1.2kHz
電壓：20kVp-p（±10kVp）
電流：2mAp
功率：20Wp
壓擺率：≥53V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:23:59
*附件：ATA-7050單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~5kHz
電壓：10kVp-p（±5kVp）
電流：20mAp
功率：100Wp
壓擺率：≥111V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:22:53
*附件：ATA-7050B單頁(yè)手冊(cè)V1.1.pdf
帶寬：（-3dB）DC~5kHz
電壓：10kVp-p（±5kVp）
電流：20mAp
功率：100Wp
壓擺率：≥111V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:22:35
*附件：ATA-7030單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~5kHz
電壓：6kVp-p（±3kVp）
電流：30mAp
功率：90Wp
壓擺率：≥67V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:21:35
*附件：ATA-7025單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~10kHz
電壓：5kVp-p（±2.5kVp）
電流：30mAp
功率：75Wp
壓擺率：≥112V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:21:07
*附件：ATA-7020單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~30kHz
電壓：4kVp-p（±2kVp）
電流：30mAp
功率：60Wp
壓擺率：≥267V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:19:50
*附件：ATA-7015單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~80kHz
電壓：3kVp-p（±1.5kVp）
電流：40mAp
功率：60Wp
壓擺率：≥534V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:19:31
*附件：ATA-7015B單頁(yè)手冊(cè)V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~40kHz
電壓：3kVp-p（±1.5kVp）
電流：40mAp
功率：60Wp
壓擺率：≥266V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:17:54
*附件：ATA-7010單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~100kHz
電壓：2kVp-p（±1kVp）
電流：40mAp
功率：40Wp
壓擺率：≥445V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:17:28
拋光（PEP）工藝具有拋光效率高、適用于復(fù)雜零件等優(yōu)勢(shì)，可有效改善表面質(zhì)量。本文借助光子灣科技共聚焦顯微鏡等表征手段，研究電解質(zhì)等離子拋光工藝對(duì)激光選區(qū)熔化成形T
2025-08-21 18:04:38600 
去離子水沖洗是半導(dǎo)體、微電子等領(lǐng)域的關(guān)鍵工藝步驟，其正確操作直接影響產(chǎn)品的潔凈度和性能。以下是標(biāo)準(zhǔn)化流程及注意事項(xiàng)：一、前期準(zhǔn)備設(shè)備檢查與校準(zhǔn)確保去離子水系統(tǒng)的電阻率≥18MΩ·cm（符合
2025-08-20 13:35:48801 
行業(yè)背景 等離子清洗機(jī)是半導(dǎo)體、電子、醫(yī)療器械等精密制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，通過等離子體去除材料表面微污染物（如油污、氧化層），其處理效果（如清潔度、表面張力）直接影響后續(xù)焊接、鍍膜等工藝的良率，在傳統(tǒng)
2025-08-13 11:47:24458 
什么是離子色譜離子色譜（IonChromatography，IC）是高效液相色譜（HPLC）家族中的專門分支，其核心任務(wù)是對(duì)水溶液中呈離子態(tài)的化合物進(jìn)行分離與定量。儀器通過高壓輸液泵將流動(dòng)相（淋洗
2025-08-08 11:41:05859 
鋁合金反射鏡是大型太空望遠(yuǎn)鏡等光學(xué)系統(tǒng)核心部件，表面質(zhì)量影響成像精度。NiP鍍層經(jīng)單點(diǎn)金剛石車削后殘留螺旋狀刀痕，導(dǎo)致色散和重影，需進(jìn)一步拋光。磁流變拋光因高效、優(yōu)質(zhì)、低成本成為潛在方案。光子灣
2025-08-05 18:02:35629 鈣鈦礦/硅疊層電池可突破單結(jié)電池效率極限，但半透明頂電池（ST-PSC）的ITO濺射會(huì)引發(fā)等離子體損傷。傳統(tǒng)ALD-SnO?緩沖層因沉積速率慢、成本高制約產(chǎn)業(yè)化。本研究提出溶液法金屬氧化物納米顆粒
2025-08-04 09:03:361040 
相較于傳統(tǒng)CMOS工藝，TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn)，從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開始，經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子層的多層沉積，到銅電鍍填充及改進(jìn)型化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）處理厚銅層，每一步均需對(duì)既有設(shè)備與材料進(jìn)行適應(yīng)性革新，最終構(gòu)成三維集成的主要工藝成本來(lái)源。
2025-08-01 09:13:511974 等離子體“尺度網(wǎng)絡(luò)”模型。該研究利用國(guó)產(chǎn)逐光IsCMOS相機(jī)(TRC411-H20-U)的超高時(shí)空分辨率，成功捕捉納米秒級(jí)等離子體動(dòng)態(tài)，為半導(dǎo)體核心工藝設(shè)備(等離子體蝕刻與沉積)從實(shí)驗(yàn)室小型原型等比例放大至工業(yè)級(jí)晶圓廠規(guī)模提供了關(guān)鍵理論依據(jù)和實(shí)
2025-07-29 15:58:47582 
一、CMP工藝與拋光材料的核心價(jià)值化學(xué)機(jī)械拋光（ChemicalMechanicalPlanarization，CMP）是半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過“化學(xué)腐蝕+機(jī)械研磨
2025-07-05 06:22:087009 
化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, 簡(jiǎn)稱 CMP）技術(shù)是一種依靠化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)工件表面材料去除的超精密加工技術(shù)。下圖是一個(gè)典型的 CMP 系統(tǒng)示意圖：
2025-07-03 15:12:552208 
(CMP)DSTlslurry斷供：物管通知受臺(tái)灣出口管制限制，F(xiàn)ab1DSTSlury(料號(hào):M2701505,AGC-TW)暫停供貨，存貨僅剩5個(gè)月用量(267桶)。DSTlslurry?是一種用于半導(dǎo)體制造過程中的拋光液，主要用于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝。這種拋光液在制造過程中起著
2025-07-02 06:38:104459 遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工，其中熱輔助離子束刻蝕（TAIBE）作為前沿技術(shù)，尤其適用于碳氟化合物（FC）材料（如聚四氟乙烯PTFE）的精密處理。
2025-06-30 14:34:451129 
集成電路研發(fā)設(shè)計(jì)及制造服務(wù)商。此項(xiàng)里程碑既標(biāo)志著中微公司在等離子體刻蝕領(lǐng)域的又一自主創(chuàng)新，也彰顯了公司持續(xù)研發(fā)的技術(shù)能力與穩(wěn)步發(fā)展的綜合實(shí)力。
2025-06-27 14:05:32835 等離子體發(fā)生裝置通過外部能量輸入使氣體電離生成等離子體，在工業(yè)制造、材料科學(xué)、生物醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。高壓放大器作為能量供給的核心器件，直接影響等離子體的生成效率、穩(wěn)定性和可控性。 圖
2025-06-24 17:59:15486 
離子研磨技術(shù)的重要性在掃描電子顯微鏡（SEM）觀察中，樣品的前處理方法至關(guān)重要。傳統(tǒng)機(jī)械研磨方法存在諸多弊端，如破壞樣品表面邊緣、產(chǎn)生殘余應(yīng)力等，這使得無(wú)法準(zhǔn)確獲取樣品表層納米梯度強(qiáng)化層的真實(shí)、精準(zhǔn)
2025-06-13 10:43:20600 
圖1. 等離子體多通道Betatron振蕩產(chǎn)生的示意圖 近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所超強(qiáng)激光科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)提出了一種基于雙激光脈沖干涉的新型高亮度X射線源產(chǎn)生方案。該團(tuán)
2025-06-12 07:45:08393 
等離子清洗機(jī)，也叫等離子表面處理儀，能夠去除肉眼看不見的有機(jī)污染物和表面吸附層，以及工件表面的薄膜層，從而實(shí)現(xiàn)清潔、涂覆等目的。隨著工業(yè)4.0的推進(jìn)，企業(yè)對(duì)設(shè)備管理的智能化、遠(yuǎn)程化需求日益迫切。當(dāng)前
2025-06-07 15:17:39625 
樣品切割和拋光配溫控液氮冷卻臺(tái)，去除熱效應(yīng)對(duì)樣品的損傷，有助于避免拋光過程中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié)構(gòu)變化，氬離子切割制樣原理氬離子切割制樣是利用氬離子束（?1mm）來(lái)切割樣品，以獲得相比
2025-05-26 15:15:22478 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓拋光作為關(guān)鍵工序，對(duì)設(shè)備穩(wěn)定性要求近乎苛刻。哪怕極其細(xì)微的振動(dòng)，都可能對(duì)晶圓表面質(zhì)量產(chǎn)生嚴(yán)重影響，進(jìn)而左右芯片制造的成敗。以下為您呈現(xiàn)一個(gè)防震基座在半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備拋光機(jī)上的經(jīng)典應(yīng)用案例。
2025-05-22 14:58:29551 
化學(xué)機(jī)械拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中關(guān)鍵的功能性耗材，其本質(zhì)是一個(gè)多組分的液體復(fù)合體系，在拋光過程中同時(shí)起到化學(xué)反應(yīng)與機(jī)械研磨的雙重作用，目的是實(shí)現(xiàn)晶圓表面多材料的平整化處理。
2025-05-14 17:05:541222 
01背景介紹隨著聚變研究的深入發(fā)展，對(duì)等離子體參數(shù)測(cè)量的精度、時(shí)間分辨率和數(shù)據(jù)處理能力提出了更高的要求。湯姆遜散射診斷讀出電子學(xué)系統(tǒng)作為該技術(shù)的核心硬件載體，其性能直接決定了等離子體參數(shù)診斷的可靠性
2025-05-14 10:29:37247 
德國(guó)施泰因哈根 2025年5月9日 /美通社/ -- 普思瑪?shù)腛penair-Plasma ? 等離子技術(shù)專用于電池電芯及外殼表面的精細(xì)清洗、活化和鍍膜處理。該技術(shù)無(wú)需使用有害環(huán)境的溶劑，即可
2025-05-11 17:37:23633 
摘要 ： 一種用于小直徑非球面 CCP 拋光的新概念，稱為Pea Puffer非球面，能夠生成那些對(duì)于大多數(shù) CCP 拋光方法來(lái)說(shuō)孔徑太小的非球面。Pea Puffer方法能夠在工業(yè)中以高質(zhì)量
2025-05-09 08:48:08
）、彈性發(fā)射加工（EEM）、磁流變拋光（MRF）、激光火焰拋光（LP）、離子束修形（IBF）、磨料漿射流加工（ASJ）、等離子體輔助化學(xué)蝕刻（PACE）、激光誘導(dǎo)背面濕法刻蝕（LIBWE）。
若分析
2025-05-07 09:01:47
氬離子拋光技術(shù)氬離子拋光技術(shù)（ArgonIonPolishing,AIP）作為一種先進(jìn)的樣品制備方法，為電子顯微鏡（SEM）和電子背散射衍射（EBSD）分析提供了高質(zhì)量的樣品表面。下面將介紹氬離子
2025-04-27 15:43:51640 
在現(xiàn)代制造業(yè)中，等離子焊設(shè)備憑借其高效、優(yōu)質(zhì)的焊接性能，廣泛應(yīng)用于航空航天、汽車制造、船舶工業(yè)等領(lǐng)域。然而，等離子焊設(shè)備運(yùn)行過程中能耗較高，且傳統(tǒng)模式下缺乏對(duì)能耗數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)采集與分析，導(dǎo)致企業(yè)難以
2025-04-25 17:22:20689 TSMC，中芯國(guó)際SMIC 組成:核心:生產(chǎn)線，服務(wù):技術(shù)部門，生產(chǎn)管理部門，動(dòng)力站（雙路保障），廢水處理站(環(huán)保，循環(huán)利用)等。生產(chǎn)線主要設(shè)備: 外延爐，薄膜設(shè)備，光刻機(jī)，蝕刻機(jī)，離子注入機(jī)，擴(kuò)散爐
2025-03-27 16:38:20
射頻電源（RF Power Supply）是一種能夠產(chǎn)生高頻交流電（通常在kHz至GHz范圍）的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于需要高頻電磁場(chǎng)、等離子體生成或精密能量控制的領(lǐng)域。以下是其主要應(yīng)用領(lǐng)域與行業(yè)： 一
2025-03-24 16:42:451430 通快霍廷格電子等離子體射頻及直流電源為晶圓制造的沉積、刻蝕和離子注入等關(guān)鍵工藝提供精度、質(zhì)量和效率的有力保障。 立足百年電源研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，通快霍廷格電子將持續(xù)通過創(chuàng)新等離子體電源解決方案，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2025-03-24 09:12:28561 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LGK一40型空氣等離子弧切割機(jī)電氣原理圖.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-21 16:30:23
9 氬離子拋光技術(shù)的核心氬離子拋光技術(shù)的核心在于利用高能氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行精確的物理蝕刻。在拋光過程中，氬離子束與樣品表面的原子發(fā)生彈性碰撞，使表面原子或分子被濺射出來(lái)。這種濺射作用能夠在不引
2025-03-19 11:47:26626 
氬離子拋光技術(shù)又稱CP截面拋光技術(shù)，是利用氬離子束對(duì)樣品進(jìn)行拋光，可以獲得表面平滑的樣品，而不會(huì)對(duì)樣品造成機(jī)械損害。去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像
2025-03-17 16:27:36799 
等離子體光譜儀（ICP-OES）憑借其高靈敏度、高分辨率以及能夠同時(shí)測(cè)定多種元素的顯著特點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。它以電感耦合等離子體（ICP）作為激發(fā)源，將樣品原子化、電離并激發(fā)至高能級(jí)，隨后
2025-03-12 13:43:573379 
光學(xué)材料在許多現(xiàn)代應(yīng)用中都是必不可少的，但控制材料表面反射光的方式既昂貴又困難。現(xiàn)在，在最近的一項(xiàng)研究中，來(lái)自日本的研究人員發(fā)現(xiàn)了一種利用等離子體調(diào)整鉛筆芯樣品反射光譜的簡(jiǎn)單而低成本的方法。他們
2025-03-11 06:19:55636 
，驅(qū)動(dòng)并維持等離子體電流，產(chǎn)生自舉電流，進(jìn)而維持等離子體的平衡和約束，確保核聚變反應(yīng)持續(xù)進(jìn)行。
▍輔助系統(tǒng)供能
為真空系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等輔助設(shè)備供電，保障這些系統(tǒng)的正常運(yùn)行，為托卡馬克裝置營(yíng)造穩(wěn)定
2025-03-10 18:56:12
氬離子拋光技術(shù)作為一種先進(jìn)的材料表面處理方法，該技術(shù)的核心原理是利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行精細(xì)拋光，通過精確控制離子束的能量、角度和作用時(shí)間，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面的無(wú)損傷處理，從而獲得高質(zhì)量的表面效果
2025-03-10 10:17:50937 
氬離子切割與拋光技術(shù)是現(xiàn)代材料科學(xué)研究中不可或缺的樣品表面制備手段。其核心原理是利用寬離子束（約1毫米）對(duì)樣品進(jìn)行精確加工，通過離子束的物理作用去除樣品表面的損傷層或多余部分，從而為后續(xù)的微觀結(jié)構(gòu)
2025-03-06 17:21:19762 
EBSD樣品制備EBSD樣品的制備過程對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性有著極為重要的影響。目前，常用的EBSD樣品制備方法包括機(jī)械拋光、電解拋光和聚焦離子束（FIB）等，但這些方法各有其局限性。1.
2025-03-03 15:48:01692 
隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對(duì)高能量電子和空穴注入柵氧化層、負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性、等離子體誘發(fā)損傷、應(yīng)力遷移等問題的影響，從而影響集成電路可靠性。
2025-03-01 15:58:151548 
微觀結(jié)構(gòu)的分析氬離子束拋光技術(shù)作為一種先進(jìn)的材料表面處理方法，憑借其精確的工藝參數(shù)控制，能夠有效去除樣品表面的損傷層，為高質(zhì)量的成像和分析提供理想的樣品表面。這一技術(shù)廣泛應(yīng)用于掃描電子顯微鏡（SEM
2025-02-26 15:22:11618 
氬離子拋光技術(shù)作為一種前沿的材料表面處理手段，憑借其高效能與精細(xì)效果的結(jié)合，為眾多領(lǐng)域帶來(lái)了突破性的解決方案。它通過低能量離子束對(duì)材料表面進(jìn)行精準(zhǔn)加工，不僅能夠快速實(shí)現(xiàn)拋光效果，還能在微觀尺度上保留
2025-02-24 22:57:14774 
氬離子拋光技術(shù)憑借其獨(dú)特的原理和顯著的優(yōu)勢(shì)，在精密樣品制備領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。該技術(shù)以氬氣為介質(zhì)，在真空環(huán)境下，通過電離氬氣產(chǎn)生氬離子束，對(duì)樣品表面進(jìn)行精準(zhǔn)轟擊，實(shí)現(xiàn)物理蝕刻，從而去除表面損傷層
2025-02-21 14:51:49762 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過
2025-02-20 14:24:151043 了堅(jiān)實(shí)有力的技術(shù)支撐。SEM分析在這之前，樣品的制備是至關(guān)重要的一步。傳統(tǒng)的研磨和拋光方法雖然在一定程度上能夠滿足樣品表面處理的需求，但往往會(huì)對(duì)樣品表面造成不可逆
2025-02-20 12:05:02584 
和公共健康研究至關(guān)重要。綜述了現(xiàn)有的氟分析方法，重點(diǎn)探討了近年來(lái)發(fā)展的基于電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)技術(shù)的氟分析方法及應(yīng)用，深入討論了這類方法如何通過質(zhì)量轉(zhuǎn)移策略，
2025-02-19 13:57:431704 
束可以被聚焦到非常小的尺寸，從而實(shí)現(xiàn)很高的空間分辨率。FIB（聚焦離子束）是將液態(tài)金屬（大多數(shù)FIB都用Ga，也有設(shè)備具有He和Ne離子源）離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子
2025-02-14 12:49:241871 
本案例展示了EDFA中的兩種離子-離子相互作用效應(yīng)：
1.均勻上轉(zhuǎn)換（HUC）
2.非均勻離子對(duì)濃度淬滅（PIQ）
離子-離子相互作用效應(yīng)涉及稀土離子之間的能量轉(zhuǎn)移問題。當(dāng)稀有離子的局部濃度變得足夠
2025-02-13 08:53:27
等離子清洗機(jī)的基本結(jié)構(gòu)大致相同,一般由真空室、真空泵、高頻電源、電極、氣體導(dǎo)入系統(tǒng)、工件傳送系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等部分組成?？梢酝ㄟ^選用不同種類的氣體和調(diào)整裝置的特征參數(shù)等方法滿足不同的清洗用途和要求,使
2025-02-11 16:37:51726 氬離子束拋光技術(shù)（ArgonIonBeamPolishing,AIBP），一種先進(jìn)的材料表面處理工藝，它通過精確控制的氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行加工，以實(shí)現(xiàn)平滑無(wú)損傷的拋光效果。技術(shù)概述氬離子束拋光技術(shù)
2025-02-10 11:45:38923 
氬離子拋光技術(shù)的原理氬離子拋光技術(shù)基于物理濺射機(jī)制。其核心過程是將氬氣電離為氬離子束，并通過電場(chǎng)加速這些離子，使其以特定能量和角度撞擊樣品表面。氬離子的沖擊能夠有效去除樣品表面的損傷層和雜質(zhì)，從而
2025-02-07 14:03:34867 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)概述聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種通過離子源產(chǎn)生的離子束，經(jīng)過過濾和靜電磁場(chǎng)聚焦，形成直徑為納米級(jí)的高能離子束。這種技術(shù)用于對(duì)樣品表面進(jìn)行精密加工，包括切割、拋光和刻蝕
2025-01-24 16:17:291224 
殘留，從而影響電子產(chǎn)品的功能性和可靠性。離子污染最常見的危害包括表面腐蝕和結(jié)晶生長(zhǎng)，最終可能引發(fā)短路，導(dǎo)致過多電流通過連接器，造成電子產(chǎn)品損壞。因此，準(zhǔn)確檢測(cè)離子清
2025-01-24 16:14:371268 
氬離子拋光技術(shù)氬離子束拋光技術(shù)，亦稱為CP（ChemicalPolishing）截面拋光技術(shù)，是一種先進(jìn)的樣品表面處理手段。該技術(shù)通過氬離子束對(duì)樣品進(jìn)行精密拋光，利用氬離子束的物理轟擊作用，精確控制
2025-01-22 22:53:04759 
等離子體（Plasma）是一種電離氣體，通過向氣體提供足夠的能量，使電子從原子或分子中掙脫束縛、釋放出來(lái)，成為自由電子而獲得，通常含有自由和隨機(jī)移動(dòng)的帶電粒子（如電子、離子）和未電離的中性粒子。由于
2025-01-20 10:07:169181 
氬離子拋光技術(shù)氬離子拋光技術(shù)憑借其獨(dú)特的原理和顯著的優(yōu)勢(shì)，在精密樣品制備領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。該技術(shù)以氬氣為介質(zhì)，在真空環(huán)境下，通過電離氬氣產(chǎn)生氬離子束，對(duì)樣品表面進(jìn)行精準(zhǔn)轟擊，實(shí)現(xiàn)物理蝕刻，從而
2025-01-16 23:03:28585 
的FIB裝置是最為常見的類型，因其具有良好的分辨率和加工能力。FIB的三個(gè)基本功能1.濺射功能FIB的濺射功能是其最基礎(chǔ)的應(yīng)用之一。當(dāng)Ga離子束聚焦并照射到樣品表面時(shí)，
2025-01-14 12:04:311486 
在電視技術(shù)的發(fā)展史上，等離子電視曾是家庭娛樂的中心。然而，隨著科技的進(jìn)步，新的顯示技術(shù)不斷涌現(xiàn)，等離子電視逐漸退出了主流市場(chǎng)。本文將探討等離子電視與當(dāng)前主流顯示技術(shù)——液晶顯示（LCD）、有機(jī)
2025-01-13 09:56:301904 、等離子電視的基本接口 等離子電視通常配備有多種接口，以滿足不同設(shè)備的連接需求。以下是一些常見的接口類型： HDMI接口 ：高清多媒體接口（HDMI）是目前最主流的高清視頻和音頻傳輸接口，支持1080p甚至更高的分辨率傳輸。 AV接口
2025-01-13 09:54:282044 在現(xiàn)代家庭娛樂設(shè)備中，電視是不可或缺的一部分。隨著科技的發(fā)展，電視技術(shù)也在不斷進(jìn)步，從早期的顯像管電視發(fā)展到了現(xiàn)在的等離子電視和液晶電視。這兩種電視技術(shù)各有特點(diǎn)，消費(fèi)者在選擇時(shí)往往會(huì)感到困惑。 一
2025-01-13 09:51:394001 簡(jiǎn)介 ：
?表面等離子體激元（SPPs）是由于金屬中的自由電子和電介質(zhì)中的電磁場(chǎng)相互作用而在金屬表面捕獲的電磁波，并且它在垂直于界面的方向上呈指數(shù)衰減。[1]
?與絕緣體-金屬-絕緣體(IMI
2025-01-09 08:52:57
于2G、3G和4G網(wǎng)絡(luò)。以下是一些常見的FDD設(shè)備及其配置的概述： 1. 基站（Base Station） 基站是無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)中的關(guān)鍵設(shè)備，負(fù)責(zé)與移動(dòng)設(shè)備（如手機(jī)）進(jìn)行通信。在FDD系統(tǒng)中，基站會(huì)配置兩個(gè)不同的頻率：一個(gè)用于上行通信（用戶設(shè)備到基站），另一個(gè)用于下行通信（基站到用戶設(shè)備）。
2025-01-07 17:22:162139
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