在核聚變能源成為全球能源轉(zhuǎn)型重要方向的今天，托卡馬克等核聚變研究裝置的穩(wěn)定運(yùn)行與技術(shù)突破，離不開對(duì)等離子體狀態(tài)的精準(zhǔn)把控。等離子體診斷作為解析等離子體物理特性的核心手段，通過(guò)探針?lè)?、微波法、激光法、光譜法等多種技術(shù)，獲取電子密度、電子溫度、碰撞頻率等關(guān)鍵參數(shù)，為核聚變反應(yīng)的控制與優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。
2025-12-15 09:29:07
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華為與廣汽、東風(fēng)集團(tuán)達(dá)成全新合作，這一戰(zhàn)略聯(lián)盟對(duì)制造工藝提出了新的要求。在保持各自體系特色的同時(shí)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量提升，成為各方需要面對(duì)的課題。在這一背景下，等離子表面處理設(shè)備或許能夠提供一種新的工藝思路
2025-12-11 10:09:30384 方法，最終所展示出來(lái)的溫度曲線是極其不穩(wěn)定的，他會(huì)由于控制器件的靈敏程度、加熱頭的性能等等原因，導(dǎo)致最終的溫度曲線會(huì)在目標(biāo)周圍震蕩，達(dá)不到理想的控制效果，就像下圖：實(shí)際曲線（黑線） 在 目標(biāo)曲線（紅線
2025-11-28 07:17:28
IR2010SPBF驅(qū)動(dòng)器控制半橋電路輸出PWM設(shè)備安裝在地鐵上，在運(yùn)行過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)TMS檢測(cè)到輸出頻率占空比都是零，取回故障設(shè)備通電測(cè)量PWM正常輸出，什么原因會(huì)導(dǎo)致這種現(xiàn)象發(fā)生？
2025-11-26 09:38:58
氬離子拋光技術(shù)通過(guò)電場(chǎng)加速產(chǎn)生的高能氬離子束，在真空環(huán)境下對(duì)樣品表面進(jìn)行可控的物理濺射剝離。與傳統(tǒng)機(jī)械制樣方法相比，其核心優(yōu)勢(shì)在于：完全避免機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致的樣品損傷，能夠保持材料的原始微觀結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)
2025-11-25 17:14:14456 
摘要：電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室元素分析。本文采用電感耦合等離子發(fā)射光譜法（ICP-OES）同時(shí)測(cè)定堿性電池生產(chǎn)廢水中鐵、鋅、錳、鎳、銅、鉛、鋁、鉻金屬元素的含量。
2025-11-25 13:52:45345 
等離子透鏡實(shí)驗(yàn)方案 柏林馬克斯·伯恩研究所(MBI)與漢堡DESY研究中心組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)成功研制出可聚焦阿秒級(jí)光脈沖的等離子體透鏡。這一突破性進(jìn)展使得實(shí)驗(yàn)可用阿秒脈沖功率實(shí)現(xiàn)量級(jí)提升，為研究超快
2025-11-25 07:35:1798 
在TEM（透射電子顯微鏡）高精度的表征和FIB（聚焦離子束）切片加工技術(shù)之前，使用等離子體進(jìn)行樣品預(yù)處理是一個(gè)關(guān)鍵的步驟，主要用于清潔和表面改性，其直接目的是提升成像質(zhì)量或加工效率。
2025-11-24 17:17:031234 當(dāng)科技巨頭META宣布9月發(fā)布搭載 微型屏幕 的 智能眼鏡 時(shí)，輕巧機(jī)身內(nèi)的高精度光學(xué)系統(tǒng)引發(fā)關(guān)注。這款設(shè)備要在鏡片上實(shí)現(xiàn)虛實(shí)融合，依賴一項(xiàng) 納米級(jí)表面處理技術(shù) —— 等離子表面處理 。它通過(guò)
2025-11-19 09:37:28351 有沒(méi)有人知道這是什么原因導(dǎo)致的
2025-11-11 06:07:06
氬離子拋光技術(shù)作為一項(xiàng)前沿的材料表面處理手段，憑借其高效能與精細(xì)加工的結(jié)合，為多個(gè)科研與工業(yè)領(lǐng)域帶來(lái)突破性解決方案。該技術(shù)通過(guò)低能量離子束對(duì)材料表面進(jìn)行精準(zhǔn)處理，不僅能快速實(shí)現(xiàn)拋光還能在微觀尺度
2025-11-03 11:56:32205 
氬離子拋光和切割技術(shù)是現(xiàn)代微觀分析領(lǐng)域中不可或缺的樣品制備手段。該技術(shù)通過(guò)利用寬離子束（約1毫米寬）對(duì)樣品進(jìn)行切割或拋光，能夠精確地去除樣品表面的損傷層，并暴露出高質(zhì)量的分析區(qū)域，為后續(xù)的微觀結(jié)構(gòu)
2025-10-29 14:41:57192 
你是否想象過(guò)，有一種特殊的“火焰”，它并不灼熱，卻能瞬間讓材料表面煥然一新；它不產(chǎn)生煙霧，卻能精密地雕刻納米級(jí)的芯片電路？這種神奇的“火焰”，就是今天我們要介紹的主角——射頻等離子體（RF Plasma）。
2025-10-24 18:03:141303 堅(jiān)實(shí)有力的技術(shù)支撐。SEM分析在這之前，樣品的制備是至關(guān)重要的一步。傳統(tǒng)的研磨和拋光方法雖然在一定程度上能夠滿足樣品表面處理的需求，但往往會(huì)對(duì)樣品表面造成不可逆的損
2025-10-11 14:14:38217 
德國(guó)施泰因哈根2025年9月29日 /美通社/ -- 汽車行業(yè)正面臨重大挑戰(zhàn)：新材料應(yīng)用、輕量化結(jié)構(gòu)理念以及日益增長(zhǎng)的可持續(xù)性要求，這些都需要?jiǎng)?chuàng)新制造工藝的支持。等離子技術(shù)在應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)中發(fā)
2025-09-30 09:42:14380 RT-Thread Vision Board這個(gè)板子現(xiàn)在OTG那個(gè)口連我的電腦連上去電腦openmv識(shí)別不到我的openmv，我看設(shè)備管理器里面也沒(méi)有，然后我換了好多線也不管用，換電腦也不成功，不知道是什么原因，板子連線后閃藍(lán)燈
2025-09-23 06:20:18
最近在學(xué)習(xí)artpi2，發(fā)現(xiàn)圖片顯示的這里
這里用的是英文，但是setting這里是中文
gpio的setting上也有類似的現(xiàn)象，請(qǐng)問(wèn)這是什么原因導(dǎo)致的
2025-09-22 06:10:01
定位后，發(fā)現(xiàn)在調(diào)用棧中經(jīng)常會(huì)同時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)中斷，一個(gè)串口中斷和systick 中斷，就挺奇怪的，這是定時(shí)器中斷被別的中斷打斷了嗎? rt_sched_lock 的作用似乎就是關(guān)閉全局中斷吧。。。 請(qǐng)問(wèn)可能是什么原因？ 謝謝！
rt-thread 版本: 5.2.1
2025-09-09 06:56:39
電解電容鼓包是常見的失效現(xiàn)象，通常由內(nèi)部壓力積聚導(dǎo)致外殼變形，其根本原因與電解電容的結(jié)構(gòu)特性、工作條件及材料老化密切相關(guān)。以下是具體原因分析及預(yù)防措施： 一、電解電容鼓包的核心原因 1. 過(guò)電壓
2025-08-29 16:19:441344 拋光（PEP）工藝具有拋光效率高、適用于復(fù)雜零件等優(yōu)勢(shì)，可有效改善表面質(zhì)量。本文借助光子灣科技共聚焦顯微鏡等表征手段，研究電解質(zhì)等離子拋光工藝對(duì)激光選區(qū)熔化成形T
2025-08-21 18:04:38600 
行業(yè)背景 等離子清洗機(jī)是半導(dǎo)體、電子、醫(yī)療器械等精密制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，通過(guò)等離子體去除材料表面微污染物（如油污、氧化層），其處理效果（如清潔度、表面張力）直接影響后續(xù)焊接、鍍膜等工藝的良率，在傳統(tǒng)
2025-08-13 11:47:24458 
圖1.射頻放電診斷系統(tǒng)與相似射頻放電參數(shù)設(shè)計(jì) 核心摘要： 清華大學(xué)與密歇根州立大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)在頂級(jí)期刊《物理評(píng)論快報(bào)》發(fā)表重大成果，首次通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了射頻等離子體的相似性定律，并成功構(gòu)建全球首個(gè)
2025-07-29 15:58:47582 
dotnet配置如下：
log日志如下：
但是轉(zhuǎn)換時(shí)長(zhǎng)足足八個(gè)小時(shí)一直卡在50%，請(qǐng)問(wèn)這是什么原因？
看一下數(shù)據(jù)中的圖片和標(biāo)注是否同名，且一對(duì)一
2025-07-25 06:18:35
安規(guī)電容通常用于抑制噪聲、濾波或電氣隔離等。安規(guī)電容在設(shè)計(jì)時(shí)必須具備一定的安全標(biāo)準(zhǔn)，以保證在故障情況下不會(huì)對(duì)使用者造成電擊或火災(zāi)等危險(xiǎn)。然而，安規(guī)電容也有可能因各種原因發(fā)生損壞，常見的原因包括： 一
2025-07-13 11:03:59998 遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過(guò)非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工，其中熱輔助離子束刻蝕（TAIBE）作為前沿技術(shù)，尤其適用于碳氟化合物（FC）材料（如聚四氟乙烯PTFE）的精密處理。
2025-06-30 14:34:451129 
等離子體發(fā)生裝置通過(guò)外部能量輸入使氣體電離生成等離子體，在工業(yè)制造、材料科學(xué)、生物醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。高壓放大器作為能量供給的核心器件，直接影響等離子體的生成效率、穩(wěn)定性和可控性。 圖
2025-06-24 17:59:15486 
(如道路開挖)、重物碾壓、動(dòng)物啃咬(如老鼠咬斷)。 案例：某小區(qū)寬帶中斷，經(jīng)排查發(fā)現(xiàn)施工隊(duì)挖斷主干光纖，導(dǎo)致整棟樓斷網(wǎng)。 檢測(cè)方法：使用OTDR(光時(shí)域反射儀)定位斷點(diǎn)位置。 光纖彎曲過(guò)度 原因：布線時(shí)彎曲半徑過(guò)小( 案例：辦公室網(wǎng)絡(luò)時(shí)斷
2025-06-17 10:05:402958 
離子研磨技術(shù)的重要性在掃描電子顯微鏡（SEM）觀察中，樣品的前處理方法至關(guān)重要。傳統(tǒng)機(jī)械研磨方法存在諸多弊端，如破壞樣品表面邊緣、產(chǎn)生殘余應(yīng)力等，這使得無(wú)法準(zhǔn)確獲取樣品表層納米梯度強(qiáng)化層的真實(shí)、精準(zhǔn)
2025-06-13 10:43:20600 
圖1. 等離子體多通道Betatron振蕩產(chǎn)生的示意圖 近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所超強(qiáng)激光科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)提出了一種基于雙激光脈沖干涉的新型高亮度X射線源產(chǎn)生方案。該團(tuán)
2025-06-12 07:45:08393 
求助，使用51單片機(jī)和VL6180X傳感器測(cè)距，結(jié)果一直是0是什么原因，能讀到ID為0xB4
2025-06-09 06:38:46
，等離子清洗機(jī)在生產(chǎn)過(guò)程中面臨以下核心問(wèn)題： 數(shù)據(jù)孤島現(xiàn)象：傳統(tǒng)清洗機(jī)依賴本地PLC控制，數(shù)據(jù)分散在各車間，難以集中分析與優(yōu)化。 運(yùn)維效率低下：設(shè)備故障依賴人工巡檢，響應(yīng)滯后，導(dǎo)致停機(jī)時(shí)間延長(zhǎng)，影響生產(chǎn)計(jì)劃。 能耗與
2025-06-07 15:17:39625 
RT所示，我現(xiàn)在用這顆USB芯片，跑的USB High Speed模式，在win10上會(huì)出現(xiàn)跑著跑著USB設(shè)備消失了，設(shè)備管理器中都也找不到該設(shè)備了，必須要重新插拔一下才可以，有時(shí)候1天就會(huì)出現(xiàn)一次，有時(shí)候3-4天出現(xiàn)一次。這可能是什么原因造成的？
2025-06-03 07:56:16
樣品切割和拋光配溫控液氮冷卻臺(tái)，去除熱效應(yīng)對(duì)樣品的損傷，有助于避免拋光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié)構(gòu)變化，氬離子切割制樣原理氬離子切割制樣是利用氬離子束（?1mm）來(lái)切割樣品，以獲得相比
2025-05-26 15:15:22478 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓拋光作為關(guān)鍵工序，對(duì)設(shè)備穩(wěn)定性要求近乎苛刻。哪怕極其細(xì)微的振動(dòng)，都可能對(duì)晶圓表面質(zhì)量產(chǎn)生嚴(yán)重影響，進(jìn)而左右芯片制造的成敗。以下為您呈現(xiàn)一個(gè)防震基座在半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備拋光機(jī)上的經(jīng)典應(yīng)用案例。
2025-05-22 14:58:29551 
我做了兩版硬件，一版可以識(shí)別到fx3相機(jī)，另一版找不到。
但是兩版都能測(cè)試USBBulkSourceSink.img，并且速率都在4Gbps以上。
有區(qū)別的是不能識(shí)別fx3相機(jī)的版本用的是52m的參考時(shí)鐘，
請(qǐng)問(wèn)下可能的原因在哪里？
2025-05-22 06:53:05
/com.ifx.tb.tool.ezusbfx3sdk
但是，現(xiàn)在不可用，我無(wú)法訪問(wèn)文件“ Windows (x32-x64) (exe)”。
有什么原因導(dǎo)致我無(wú)法下載 SDK？
另外，我可以直接下載驅(qū)動(dòng)嗎？
2025-05-21 06:40:49
在使用STM32F103芯片的2個(gè)定時(shí)器捕獲2路PWM波時(shí)，當(dāng)2路信號(hào)同時(shí)輸入時(shí)，會(huì)出現(xiàn)捕獲的頻率不準(zhǔn)確，但是分開一路一路的輸入捕獲時(shí)，捕獲的PWM頻率是正確的，這是什么原因導(dǎo)致的呢？
2025-05-14 06:24:00
Puffer拋光，擴(kuò)大了非球面直徑。這使得適用CCP拋光方法的范圍更廣。隨后，Pea Puffer非球面通過(guò)中心磨削回到所需的透鏡直徑。
Pea Puffer通常導(dǎo)致更經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的制造鏈（見下面的 Gudr2
2025-05-09 08:48:08
氬離子拋光技術(shù)氬離子拋光技術(shù)（ArgonIonPolishing,AIP）作為一種先進(jìn)的樣品制備方法，為電子顯微鏡（SEM）和電子背散射衍射（EBSD）分析提供了高質(zhì)量的樣品表面。下面將介紹氬離子
2025-04-27 15:43:51640 
在使用STM32F103芯片的2個(gè)定時(shí)器捕獲2路PWM波時(shí)，當(dāng)2路信號(hào)同時(shí)輸入時(shí)，會(huì)出現(xiàn)捕獲的頻率不準(zhǔn)確，但是分開一路一路的輸入捕獲時(shí)，捕獲的PWM頻率是正確的，這是什么原因導(dǎo)致的呢？
2025-04-27 08:39:28
在現(xiàn)代制造業(yè)中，等離子焊設(shè)備憑借其高效、優(yōu)質(zhì)的焊接性能，廣泛應(yīng)用于航空航天、汽車制造、船舶工業(yè)等領(lǐng)域。然而，等離子焊設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中能耗較高，且傳統(tǒng)模式下缺乏對(duì)能耗數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)采集與分析，導(dǎo)致企業(yè)難以
2025-04-25 17:22:20689 在使用STM32F103芯片的2個(gè)定時(shí)器捕獲2路PWM波時(shí)，當(dāng)2路信號(hào)同時(shí)輸入時(shí)，會(huì)出現(xiàn)捕獲的頻率不準(zhǔn)確，但是分開一路一路的輸入捕獲時(shí)，捕獲的PWM頻率是正確的，這是什么原因導(dǎo)致的呢？
2025-04-25 08:29:21
LTC3350電容充電上升電流很慢，而規(guī)格書上寫的是電流從0上升到設(shè)置的滿電流只需要2ms，實(shí)際測(cè)試遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于2ms，而且電流峰值也達(dá)不到設(shè)置值。請(qǐng)問(wèn)是什么原因？
橙色波形為VIN處電流波形，原理圖見附件。
PDF
2025-04-17 07:54:03
5V供電的STC單片機(jī)串口引腳（TX/RX）接到快充適配器的D+/D-上面后，導(dǎo)致快充適配器輸出9V電壓，這是什么原因導(dǎo)致的？
2025-03-26 10:34:01
通快霍廷格電子等離子體射頻及直流電源為晶圓制造的沉積、刻蝕和離子注入等關(guān)鍵工藝提供精度、質(zhì)量和效率的有力保障。 立足百年電源研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，通快霍廷格電子將持續(xù)通過(guò)創(chuàng)新等離子體電源解決方案，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2025-03-24 09:12:28561 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LGK一40型空氣等離子弧切割機(jī)電氣原理圖.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-21 16:30:23
9 氬離子拋光技術(shù)的核心氬離子拋光技術(shù)的核心在于利用高能氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行精確的物理蝕刻。在拋光過(guò)程中，氬離子束與樣品表面的原子發(fā)生彈性碰撞，使表面原子或分子被濺射出來(lái)。這種濺射作用能夠在不引
2025-03-19 11:47:26626 
氬離子拋光技術(shù)又稱CP截面拋光技術(shù)，是利用氬離子束對(duì)樣品進(jìn)行拋光，可以獲得表面平滑的樣品，而不會(huì)對(duì)樣品造成機(jī)械損害。去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像
2025-03-17 16:27:36799 
絕對(duì)值編碼器位置丟失可能由多種原因引起，以下是一些常見原因及相應(yīng)的解決辦法： 一、原因分析 1. 電源干擾： ? ?● 錯(cuò)誤的電壓、電流或突然斷電可能會(huì)影響編碼器的讀數(shù)，導(dǎo)致位置丟失
2025-03-16 17:17:213484 ST25R3916B輸出功率達(dá)不到1.6W
2025-03-13 06:02:26
等離子體光譜儀（ICP-OES）憑借其高靈敏度、高分辨率以及能夠同時(shí)測(cè)定多種元素的顯著特點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。它以電感耦合等離子體（ICP）作為激發(fā)源，將樣品原子化、電離并激發(fā)至高能級(jí)，隨后
2025-03-12 13:43:573379 
6.12.1升級(jí)到6.13老是閃退，回到6.12.1又正常，問(wèn)一下大家是什么原因導(dǎo)致，有什么解決辦法？
2025-03-11 08:13:55
LSM6DSR工作一段時(shí)間后就算靜止不動(dòng)也會(huì)出現(xiàn)Y軸數(shù)據(jù)偏移,請(qǐng)問(wèn)一下是什么原因可能會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)這個(gè)異常？
2025-03-11 07:52:15
氬離子拋光技術(shù)作為一種先進(jìn)的材料表面處理方法，該技術(shù)的核心原理是利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行精細(xì)拋光，通過(guò)精確控制離子束的能量、角度和作用時(shí)間，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面的無(wú)損傷處理，從而獲得高質(zhì)量的表面效果
2025-03-10 10:17:50937 
使用MCSDK 5.4.8 生成工程，在上位機(jī)軟件中啟動(dòng)電機(jī)，設(shè)置目標(biāo)轉(zhuǎn)速達(dá)到3500rpm后，再設(shè)置更大就無(wú)法繼續(xù)升高了，轉(zhuǎn)速達(dá)不到3500rpm以上，而且還會(huì)緩慢減速，請(qǐng)問(wèn)這是什么原因呢？是速度
2025-03-10 08:04:34
部分stm32L0單片機(jī)電源管腳對(duì)地電阻異常，有的200歐姆左右，有的500歐姆左右。導(dǎo)致功耗變大，什么原因會(huì)導(dǎo)致電源管腳對(duì)地電阻變低異常。
2025-03-07 07:19:43
氬離子切割與拋光技術(shù)是現(xiàn)代材料科學(xué)研究中不可或缺的樣品表面制備手段。其核心原理是利用寬離子束（約1毫米）對(duì)樣品進(jìn)行精確加工，通過(guò)離子束的物理作用去除樣品表面的損傷層或多余部分，從而為后續(xù)的微觀結(jié)構(gòu)
2025-03-06 17:21:19762 
不良、絕緣層厚度不均勻等，可能會(huì)導(dǎo)致傳輸速度達(dá)不到千兆，甚至影響網(wǎng)絡(luò)連接的穩(wěn)定性。 水晶頭質(zhì)量：水晶頭的質(zhì)量和制作工藝同樣重要。如果水晶頭的金屬片接觸不良、有制造缺陷或材料不佳，會(huì)導(dǎo)致信號(hào)衰減或不穩(wěn)定，從而限
2025-03-05 10:26:411975 最近學(xué)習(xí)使用rtthread_studio 開發(fā)stm32f407網(wǎng)絡(luò)通信，打開lwip軟件包，結(jié)果變異報(bào)錯(cuò)，網(wǎng)上查了一下，沒(méi)人遇到過(guò)這個(gè)情況，好像簡(jiǎn)單設(shè)置一下就能編譯通過(guò)，怎么我這就這么倒霉，這個(gè)錯(cuò)誤是什么原因導(dǎo)致的呢，是我在軟件包初始配置時(shí)出錯(cuò)了，請(qǐng)各位幫忙給指導(dǎo)一下
2025-03-05 09:09:05
EBSD樣品制備EBSD樣品的制備過(guò)程對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性有著極為重要的影響。目前，常用的EBSD樣品制備方法包括機(jī)械拋光、電解拋光和聚焦離子束（FIB）等，但這些方法各有其局限性。1.
2025-03-03 15:48:01692 
隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對(duì)高能量電子和空穴注入柵氧化層、負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性、等離子體誘發(fā)損傷、應(yīng)力遷移等問(wèn)題的影響，從而影響集成電路可靠性。
2025-03-01 15:58:151548 
時(shí)可以投影，但是在不投影的時(shí)候使能信號(hào)一直是高，導(dǎo)致光機(jī)常亮。3個(gè)燈都一樣。這個(gè)是什么原因導(dǎo)致的。有沒(méi)有辦法通過(guò)軟件看到350當(dāng)前發(fā)出的使能信號(hào)狀態(tài)。
2025-02-28 08:06:44
微觀結(jié)構(gòu)的分析氬離子束拋光技術(shù)作為一種先進(jìn)的材料表面處理方法，憑借其精確的工藝參數(shù)控制，能夠有效去除樣品表面的損傷層，為高質(zhì)量的成像和分析提供理想的樣品表面。這一技術(shù)廣泛應(yīng)用于掃描電子顯微鏡（SEM
2025-02-26 15:22:11618 
使用DLPC910驅(qū)動(dòng)DLP6500顯示，在驅(qū)動(dòng)板上能測(cè)得和理論頻率一致的RST_ACTIVE信號(hào)變化，但是DMD的顯示圖像不正確。想咨詢一下，這可能是什么原因導(dǎo)致的？
2025-02-26 07:24:58
使用ILA抓取的數(shù)據(jù)是正確的。DMD顯示的圖像拉伸，并且有部分圖像無(wú)法顯示。是什么原因導(dǎo)致這種異常現(xiàn)象呢？這是因?yàn)镈LP9500的管腳設(shè)置錯(cuò)誤還是軟排線呢？
2025-02-26 06:43:14
我們自己做的dlpc3478+dlpa3000的板，可以正常投影，但是現(xiàn)在出現(xiàn)了一個(gè)情況，就是internal patterns模式下，關(guān)閉投圖，光機(jī)仍有殘影現(xiàn)象，請(qǐng)問(wèn)這是什么原因？
圖一為正常投射，圖二為關(guān)閉投射后的殘影
2025-02-26 06:29:15
DLPC4100輸出的RST_ACTIVE信號(hào)為高電平時(shí)，User FPGA無(wú)法抓到這個(gè)高電平，是什么原因導(dǎo)致的呢（管腳分配正確）？
2025-02-26 06:28:56
氬離子拋光技術(shù)作為一種前沿的材料表面處理手段，憑借其高效能與精細(xì)效果的結(jié)合，為眾多領(lǐng)域帶來(lái)了突破性的解決方案。它通過(guò)低能量離子束對(duì)材料表面進(jìn)行精準(zhǔn)加工，不僅能夠快速實(shí)現(xiàn)拋光效果，還能在微觀尺度上保留
2025-02-24 22:57:14774 
和不平整部分，達(dá)到高度平滑的效果。氬離子拋光的優(yōu)勢(shì)氬離子拋光的核心原理是利用氬氣在真空環(huán)境下的電離特性。當(dāng)氬氣被引入真空腔體并施加高電壓時(shí)，氬原子被電離成氬離子，形成
2025-02-21 14:51:49762 
我們使用的外部pattern模式，DLP_ON 長(zhǎng)時(shí)間為高電平。工作一段時(shí)間后會(huì)發(fā)現(xiàn)，在不投影時(shí)光機(jī)LED依然會(huì)有微弱的亮光。請(qǐng)問(wèn)可能是什么原因導(dǎo)致？
2025-02-21 10:27:57
您好，測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)SPI0 沒(méi)有輸出時(shí)鐘信號(hào)，從GUI設(shè)置DLPA100時(shí)，也測(cè)不到波形，顯示設(shè)置錯(cuò)誤，讀取也是錯(cuò)誤的，顯示DLPA100 not present，請(qǐng)問(wèn)是什么原因？
2025-02-21 09:26:44
--》stop--》delay--》START-->寫電流值--》stop一直循環(huán)進(jìn)行光控制。
初步測(cè)試到是寫IIC信號(hào)導(dǎo)致DLPC3478異常，無(wú)PAT_READY信號(hào)輸出。
請(qǐng)幫忙分析可能是什么原因導(dǎo)致長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行投影停止。謝謝
2025-02-21 07:53:46
是固定的
我嘗試修改Trigger_Out_1和Trigger_Out2的配置參數(shù)，但是并沒(méi)有任何變化，可能是什么原因呢？
我看投影的圖像是正確的。
2025-02-21 06:25:51
（3.3V左右），INT引腳也有復(fù)位動(dòng)作。請(qǐng)問(wèn)這是什么原因造成的，難道是初始化失敗的原因嗎？
2：想使用外部USB-IIC調(diào)試板進(jìn)行調(diào)試，我移除了mcu的iic引腳，當(dāng)我連接DLP Lightcrafeter Display時(shí)，提示如下圖錯(cuò)誤。請(qǐng)問(wèn)這是什么原因？
2025-02-19 06:27:22
您好，我們自制了4710-g2evm的控制板，通過(guò)4710-g2evm的光機(jī)進(jìn)行測(cè)試，斷斷續(xù)續(xù)會(huì)出現(xiàn)啟動(dòng)失敗，最終徹底連接不上。使用放大鏡查看發(fā)現(xiàn)，DMD芯片損壞，請(qǐng)問(wèn)可能是什么原因導(dǎo)致的？
2025-02-18 06:36:28
在燒錄一段視頻播放時(shí)，在純色較多的畫面時(shí)，會(huì)出現(xiàn)雪花（如圖藍(lán)色的底色）并不是視頻中的純藍(lán)色，在播放圖片模式下就沒(méi)有這種現(xiàn)象，請(qǐng)問(wèn)是什么原因，謝謝
2025-02-17 08:33:54
最大慢慢降到正常，第五次以后的值才會(huì)正常。
光電池和LED的上升下降時(shí)間都是us量級(jí)，我在采集前用定時(shí)器等待1ms以后才開始的。請(qǐng)問(wèn)專家，出現(xiàn)這種情況是由于什么原因造成的？
2025-02-13 08:33:32
等離子清洗機(jī)的基本結(jié)構(gòu)大致相同,一般由真空室、真空泵、高頻電源、電極、氣體導(dǎo)入系統(tǒng)、工件傳送系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等部分組成。可以通過(guò)選用不同種類的氣體和調(diào)整裝置的特征參數(shù)等方法滿足不同的清洗用途和要求,使
2025-02-11 16:37:51726 氬離子束拋光技術(shù)（ArgonIonBeamPolishing,AIBP），一種先進(jìn)的材料表面處理工藝，它通過(guò)精確控制的氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行加工，以實(shí)現(xiàn)平滑無(wú)損傷的拋光效果。技術(shù)概述氬離子束拋光技術(shù)
2025-02-10 11:45:38923 
氬離子拋光技術(shù)的原理氬離子拋光技術(shù)基于物理濺射機(jī)制。其核心過(guò)程是將氬氣電離為氬離子束，并通過(guò)電場(chǎng)加速這些離子，使其以特定能量和角度撞擊樣品表面。氬離子的沖擊能夠有效去除樣品表面的損傷層和雜質(zhì)，從而
2025-02-07 14:03:34867 
，
電路為照著數(shù)據(jù)手冊(cè)做的，就不上傳了，請(qǐng)問(wèn)有什么原因會(huì)導(dǎo)致這種現(xiàn)象，會(huì)不會(huì)是焊接時(shí)對(duì)芯片造成了損傷，以至于產(chǎn)生了這么大的偏差，謝謝
2025-02-06 07:24:29
按第一個(gè)圖來(lái)連接的。數(shù)據(jù)出來(lái)后，可以跟隨輸入的電壓變化，但是上下浮動(dòng)比較大。第二個(gè)圖是同一個(gè)電壓采樣多次的結(jié)果。不知道什么原因。是不是我的電阻電容沒(méi)用好呢？謝謝
2025-02-05 07:15:02
移動(dòng)電源（充電寶）不亮燈且不充電的問(wèn)題可能由多種因素導(dǎo)致，以下是對(duì)可能原因及相應(yīng)解決方法的詳細(xì)分析：
2025-01-27 16:25:0016956 氬離子拋光技術(shù)氬離子束拋光技術(shù)，亦稱為CP（ChemicalPolishing）截面拋光技術(shù)，是一種先進(jìn)的樣品表面處理手段。該技術(shù)通過(guò)氬離子束對(duì)樣品進(jìn)行精密拋光，利用氬離子束的物理轟擊作用，精確控制
2025-01-22 22:53:04759 
個(gè)用例中，我們以鍍銀鏡和高反射（HR）介質(zhì)涂層鏡為例，通過(guò)比較系統(tǒng)中的脈沖傳播來(lái)說(shuō)明這種效果。
建模任務(wù)
系統(tǒng)構(gòu)建模塊—元件
系統(tǒng)構(gòu)建模塊—探測(cè)器
總結(jié)—元件
光線和場(chǎng)追跡結(jié)果
脈沖評(píng)估
2025-01-21 09:53:48
等離子體（Plasma）是一種電離氣體，通過(guò)向氣體提供足夠的能量，使電子從原子或分子中掙脫束縛、釋放出來(lái)，成為自由電子而獲得，通常含有自由和隨機(jī)移動(dòng)的帶電粒子（如電子、離子）和未電離的中性粒子。由于
2025-01-20 10:07:169181 
為什么DAC7811輸出達(dá)不到Vref，并且根據(jù)手冊(cè)上的這個(gè)圖輸出怎么不是線性的,不滿足這個(gè)等式V OUT=-V REF x
CODE/4096
2025-01-17 07:38:26
我用圖一所示的升壓電路得到15V，然后通過(guò)分壓電阻接到TLC7226的REF腳，但是我通過(guò)電壓表測(cè)得REF腳實(shí)際電壓只有4V不到，這是什么原因呢？難道REF一定要接電壓跟隨嗎？
2025-01-17 06:07:44
去除表面損傷層和不平整部分，達(dá)到高度平滑的效果。與傳統(tǒng)機(jī)械研磨拋光相比，氬離子拋光在多個(gè)方面展現(xiàn)出無(wú)可比擬的優(yōu)越性。氬離子拋光的工作原理氬離子拋光的核心原理在于氬氣在
2025-01-16 23:03:28585 
當(dāng)前我們使用SPI數(shù)據(jù)模式.CLK的頻率為250K.通道為全部有效,高電平狀態(tài).發(fā)送SYNC信號(hào)后,接收到DRDY信號(hào)下降沿,讀取不到數(shù)據(jù),全部為低電平
請(qǐng)問(wèn)是什么原因造成的?
2025-01-16 07:51:52
在電視技術(shù)的發(fā)展史上，等離子電視曾是家庭娛樂(lè)的中心。然而，隨著科技的進(jìn)步，新的顯示技術(shù)不斷涌現(xiàn)，等離子電視逐漸退出了主流市場(chǎng)。本文將探討等離子電視與當(dāng)前主流顯示技術(shù)——液晶顯示（LCD）、有機(jī)
2025-01-13 09:56:301904 等離子電視以其出色的畫質(zhì)和大屏幕體驗(yàn)，曾經(jīng)是家庭娛樂(lè)中心的首選。盡管隨著技術(shù)的發(fā)展，液晶電視和OLED電視逐漸取代了等離子電視的市場(chǎng)地位，但等離子電視依然以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在某些領(lǐng)域保持著一席之地。 一
2025-01-13 09:54:282044 在現(xiàn)代家庭娛樂(lè)設(shè)備中，電視是不可或缺的一部分。隨著科技的發(fā)展，電視技術(shù)也在不斷進(jìn)步，從早期的顯像管電視發(fā)展到了現(xiàn)在的等離子電視和液晶電視。這兩種電視技術(shù)各有特點(diǎn)，消費(fèi)者在選擇時(shí)往往會(huì)感到困惑。 一
2025-01-13 09:51:394001
ADS8867的spi無(wú)輸出，spi主機(jī)為dsp2812發(fā)送偽數(shù)據(jù)，但是接受不到數(shù)據(jù)，示波器測(cè)試ADS8867的spi的輸出為3.3v直線。ADS8867連接為3線模式。是什么原因呢？有相關(guān)經(jīng)驗(yàn)的支支招啊。
2025-01-10 08:00:29
簡(jiǎn)介 ：
?表面等離子體激元（SPPs）是由于金屬中的自由電子和電介質(zhì)中的電磁場(chǎng)相互作用而在金屬表面捕獲的電磁波，并且它在垂直于界面的方向上呈指數(shù)衰減。[1]
?與絕緣體-金屬-絕緣體(IMI
2025-01-09 08:52:57
現(xiàn)在TLC1514的輸入時(shí)鐘為1MHz，SDI和CS信號(hào)都沒(méi)有問(wèn)題，發(fā)送寫CFR指令和讀CFR指令，但SDO沒(méi)有數(shù)據(jù)輸出，是一個(gè)不到2V的高電平。不知是什么原因，求指教！
2025-01-07 08:26:53
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