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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術(shù)>新型n型摻雜劑與ETL材料創(chuàng)造最佳OLED壽命與效率

新型n型摻雜劑與ETL材料創(chuàng)造最佳OLED壽命與效率

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通過鐵電材料產(chǎn)生摻雜調(diào)控電聲子耦合

超導(dǎo)創(chuàng)造有利條件。同時該工作顯示“鐵電金屬”中的“弱耦合”機(jī)制在摻雜鐵電材料中不一定有效。巡游電子和極化聲子的“同源”性可以產(chǎn)生較強(qiáng)的電聲子耦合。 電聲子相互作用是固體中除了電子庫倫相互作用外,最基本的相互
2021-04-25 16:19:063778

簡析金摻雜碲鎘汞紅外探測材料及器件技術(shù)

摘要:采用金摻雜替代作為深能級缺陷中心的汞空位,可明顯提高P碲鎘汞材料少子壽命,進(jìn)而降低以金摻雜P型材料為吸收層n-on-p碲鎘汞器件的暗電流,明顯提升了n-on-p碲鎘汞器件性能。 是目前
2021-06-24 16:12:435356

OLED器件測試應(yīng)用案例

常州某光源科技公司,是一家專業(yè)從事光源科技領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)開發(fā)的科技企業(yè),主要業(yè)務(wù)方向?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">OLED材料、器件的開發(fā),測試,以及應(yīng)用。OLED材料、器件的電性能特性測試,對選擇開發(fā)合適的原材料,設(shè)計(jì)合理實(shí)用的器件結(jié)構(gòu)具有重要意義。同時,對提高器件的效率壽命等性能,也具有很重要的指導(dǎo)作用。
2021-08-25 15:41:462225

光致抗蝕剝離和清洗對器件性能的影響

退火后對結(jié)特性的剝離和清潔對于實(shí)現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要,發(fā)現(xiàn)光致抗蝕剝離和清洗會導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化,植入條件可以增強(qiáng)這些效應(yīng),令人驚訝的是,剝離和清潔也會影響摻雜劑分布,并且
2022-05-06 15:55:47885

三星研發(fā)全新藍(lán)色OLED材料,旨在提升OLED面板的發(fā)光效率壽命

近日,據(jù)透露,三星顯示目前正在開展對藍(lán)色磷光OLED材料的研發(fā),這種OLED材料將會被應(yīng)用在QD OLED面板上,旨在提高OLED面板的發(fā)光效率以及使用壽命。 據(jù)了解,磷光OLED材料是目前多家
2022-05-22 15:23:053884

硅碳材料改性之化學(xué)摻雜!

熱解法直接選用含N的聚合物與硅共混,高溫?zé)峤夂蟮玫降陌蔡紝油ǔ?b class="flag-6" style="color: red">N。Che等[1]采用六亞甲基四胺(HMT)作為N源,將納米硅與HMT在溶液中共混后于1000°C煅燒制得N摻雜的硅/碳材料。
2022-07-04 11:05:107430

一種RhCu SAA催化的原理設(shè)計(jì)

單原子合金(SAAs)是一種單原子催化,由反應(yīng)性摻雜金屬原子分散在另一種金屬主體中組成。由于混合的熱力學(xué)有利于摻雜劑在惰性更大但選擇性更強(qiáng)的主體中的原子分散,許多SAAs對于各種各樣的反應(yīng)都是活躍的、選擇性的且健壯的。
2022-07-22 15:42:31896

一種N摻雜γ-Fe2O3電催化

以F127為模板,在含F(xiàn)e3+的緩沖溶液中,多巴胺(DA)發(fā)生原位聚合。將制備好的納米顆粒在N2氣氛下進(jìn)行煅燒后,得到了帶有CN殼層的N摻雜Fe2O3,如圖1a所示。根據(jù)ICP-OES結(jié)果,將不
2022-08-12 11:37:051981

Nanodcal半導(dǎo)體器件:計(jì)算n摻雜NiSi2-Si器件的輸運(yùn)特性

Nanodcal軟件通過虛晶近似(Virtual Crystal Approximation,VCA)的方法實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的n或者p摻雜。為了確保Si在中心區(qū)域的長度大于耗盡層的寬度,選用一個較長的n摻雜NiSi2-Si器件進(jìn)行輸運(yùn)特性計(jì)算。
2022-09-07 16:38:524196

利用稀土摻雜UCNCs作為光活性材料用于NIR PDs的研究進(jìn)展

本文綜述了近年來利用稀土摻雜UCNCs作為光活性材料用于NIR PDs的研究進(jìn)展,主要包括:提高UCNCs發(fā)光效率/發(fā)光強(qiáng)度以實(shí)現(xiàn)窄帶NIR探測的幾種主要策略;UCNCs與鈣鈦礦、石墨烯、MoS2結(jié)合應(yīng)用于NIR PDs的研究現(xiàn)狀;稀土摻雜上轉(zhuǎn)換鈣鈦礦基NIR PDs的最新研究進(jìn)展。
2022-11-17 10:23:312824

UDC嘗試OLED發(fā)光效率提高4倍

OLED發(fā)光分為磷光和熒光方式。磷光與熒光不同,如果技術(shù)進(jìn)步,內(nèi)部發(fā)光效率可以提高到100%。繼紅色和綠色之后,藍(lán)色磷光材料商用化后,可以大幅提高OLED效率
2022-11-30 11:03:283194

三星顯示與UDC簽署長期合同 提供OLED材料的供應(yīng)和許可

三星顯示器從UDC獲得摻雜劑,這是一種有助于OLED發(fā)光的材料。UDC壟斷了用于制造PHOLED(一種磷光OLED)發(fā)光層的紅色和綠色摻雜劑市場。
2022-12-08 11:00:41767

揭示鹵素摻雜Sn基催化促進(jìn)CO2電還原制甲酸鹽原因

非金屬摻雜的Sn基催化展現(xiàn)出優(yōu)異的電化學(xué)催化CO2還原活性。然而,非金屬摻雜原子在電化學(xué)還原電位下的流失以及相應(yīng)的催化結(jié)構(gòu)的動態(tài)演變過程仍然亟待厘清。
2022-12-29 11:53:303828

依賴于尺寸和載體的Ptn/X-石墨烯催化(X = C、B、N)減弱CO中毒

一氧化碳中毒是鉑基催化應(yīng)用于電催化過程的主要障礙之一。本文基于DFT+D3 計(jì)算,通過B 和N 摻雜石墨 烯并改變團(tuán)簇尺寸以減弱Pt 催化的CO 中毒現(xiàn)象。計(jì)算得到了能量上最有利的Ptn/X-石墨烯(X = C, B, N; n = 1?6, 13)結(jié)構(gòu)
2023-01-11 10:00:571702

Gianluigi A. Botton團(tuán)隊(duì)探索鎢作為高鎳正極摻雜劑的神秘行為

圖1. a)用機(jī)械融合制備的原始LNO和W摻雜LNO(1%、2%、4%和8% W)的SXRD模式和共沉淀制備的W摻雜LNO(1%和2% W)的SXRD模式。b)在19°到35°的2θ范圍內(nèi)出現(xiàn)的小峰以及廣泛的“駝峰”表明存在無定形相。
2023-03-31 09:43:262152

晶體管和芯片的關(guān)系介紹

最初是由美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家沃爾特·布拉頓(Walter Brattain)和約翰·巴?。↗ohn Bardeen)發(fā)明的,是一種基于半導(dǎo)體材料制造的電子器件。晶體管由三個材料構(gòu)成,即n半導(dǎo)體、p半導(dǎo)體和摻雜劑。摻雜劑含有離子,可以加強(qiáng)或減弱導(dǎo)
2023-08-25 15:29:375525

晶閘管可控硅是什么材料做的

晶閘管可控硅是由單晶硅材料制成的。單晶硅是一種高純度的硅材料,可以通過化學(xué)氣相沉積或其他物理和化學(xué)方法來制備。晶閘管可控硅中的硅晶體為N或P半導(dǎo)體材料。摻雜劑被摻入晶體中,以形成PN結(jié)構(gòu)。同時,摻雜劑還會形成薄層的PN半導(dǎo)體聯(lián)系電極。
2023-08-26 11:52:123184

p半導(dǎo)體主要靠什么導(dǎo)電

和太陽能電池板等等。i半導(dǎo)體、n半導(dǎo)體和p半導(dǎo)體是最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體類型。本文將詳細(xì)介紹p半導(dǎo)體是如何導(dǎo)電的。 什么是p半導(dǎo)體? p半導(dǎo)體是由硅、鍺等離子體(摻雜劑)加入純半導(dǎo)體材料中形成的半導(dǎo)體。摻雜劑材料
2023-08-27 15:49:065916

光纖光纜里面材料是什么

摻雜劑組成。其中,石英玻璃纖維芯可以傳輸光信號,聚合物涂層可以保護(hù)光纖不受外界環(huán)境的影響,摻雜劑則可以增加光纖的折射率。 此外,光纖光纜還可以使用高純度四氯化硅、高純度四氯化鍺等材料作為摻雜劑,以增加光纖的傳輸性能
2023-11-30 11:28:587355

專家訪談匯總:Micro OLED是AR/VR最佳顯示方案

壽命較短,所以就引出了Micro LED。Micro LED是無機(jī)材料,理論上壽命和亮度比Micro OLED的要高。
2024-01-05 17:17:152388

淺析硅中Sb摻雜和P摻雜的位錯影響

摻銻和摻磷硅單晶是兩種不同的半導(dǎo)體材料,它們的物理特性受到摻雜劑類型的影響。
2024-04-09 09:41:232966

N少子壽命為何超越P的原因解析

N硅片通常需要更高純度的硅料,這意味著它們含有的金屬雜質(zhì)較少,這些金屬雜質(zhì)可能會作為復(fù)合中心降低少子壽命
2024-04-25 11:46:012954

外延片和擴(kuò)散片的區(qū)別是什么

分子束外延(MBE)技術(shù)。外延層可以具有不同的摻雜類型和濃度,以滿足特定的電子特性。 擴(kuò)散片是通過在硅片上擴(kuò)散摻雜劑來制造的。這個過程通常在高溫下進(jìn)行,以使摻雜劑擴(kuò)散到硅片中。擴(kuò)散片的摻雜濃度和深度可以通過控制擴(kuò)散時間
2024-07-12 09:16:522550

N和PTOPCON區(qū)別在哪里

N和PTOPCon(隧道氧化物鈍化接觸)是太陽能電池領(lǐng)域中兩種不同的技術(shù),它們在材料、結(jié)構(gòu)和性能方面存在一些差異。以下是對這兩種技術(shù)的介紹。 材料差異 NTOPCon和PTOPCon的主要
2024-08-08 09:23:374387

光伏n和p怎么分別的

光伏電池是將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的設(shè)備,其核心部分是半導(dǎo)體材料。根據(jù)半導(dǎo)體材料的類型,光伏電池可以分為n和p兩種。 一、n和p光伏電池的區(qū)別 材料類型不同 n光伏電池使用的是n半導(dǎo)體材料,如
2024-08-08 09:25:028209

光伏組件怎么區(qū)分p還是N

光伏組件是太陽能發(fā)電系統(tǒng)的核心部件,其性能和質(zhì)量直接影響到整個系統(tǒng)的發(fā)電效率和使用壽命。光伏組件主要分為PN兩種,它們在材料、生產(chǎn)工藝、性能等方面都存在一定的差異。 一、PN光伏組件
2024-08-08 09:26:4416387

p半導(dǎo)體和n半導(dǎo)體區(qū)別是什么

P半導(dǎo)體和N半導(dǎo)體是半導(dǎo)體材料的兩種基本類型,它們在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用。 定義 P半導(dǎo)體和N半導(dǎo)體都是由半導(dǎo)體材料制成的,它們的主要區(qū)別在于摻雜元素的不同。P半導(dǎo)體是指在半導(dǎo)體材料
2024-08-16 11:22:1018431

天合光能nTOPCon太陽電池效率達(dá)到25.9%

今日,位于天合光能的光伏科學(xué)與技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室宣布,其自主研發(fā)的高效Ni-TOPCon電池,經(jīng)德國哈梅林太陽能研究所(ISFH)下屬的檢測實(shí)驗(yàn)室認(rèn)證,最高電池效率達(dá)到25.9%,創(chuàng)造了大面積產(chǎn)業(yè)化n單晶硅TOPCon電池效率新的世界紀(jì)錄,這是天合光能第27次創(chuàng)造和刷新世界紀(jì)錄。
2024-10-21 09:11:181119

N法蘭頭壽命使用多久

。以下是對N法蘭頭使用壽命的詳細(xì)分析: 材料質(zhì)量: 法蘭頭的材料質(zhì)量直接影響其耐腐蝕性和機(jī)械強(qiáng)度。 優(yōu)質(zhì)材料制成的法蘭頭具有更高的耐腐蝕性和抗磨損能力,能夠
2024-11-04 14:51:24702

n焊接頭需要用到哪些材料

德索工程師說道N焊接頭作為射頻同軸連接器的一種,其制造過程中需要使用多種材料以確保其性能的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對N焊接頭所需材料的詳細(xì)分析: 銅合金:N焊接頭的核心接觸件通常采用高導(dǎo)電性
2024-11-20 10:52:56953

定量識別摻雜位點(diǎn):解鎖富鋰正極材料的高性能與穩(wěn)定性

決這些問題,研究者們提出了多種改性策略,其中元素摻雜因其高效、簡便和低成本而受到重視。摻雜元素可以調(diào)整材料的價態(tài)、層間距、原子錨定和催化性能。然而,目前對于摻雜位點(diǎn)的精確識別仍然是一個挑戰(zhàn),這限制了對摻雜效應(yīng)的深
2024-12-09 09:15:462066

光纖芯是什么材料

光纖芯主要采用的材料是高純度的二氧化硅(SiO2),并摻有少量的摻雜劑以提高其光折射率。
2024-12-19 17:52:062065

光纖芯一般是由什么組成的

光纖芯主要采用的材料是高純度的二氧化硅(SiO2),并摻有少量的摻雜劑以提高其光折射率。以下是關(guān)于光纖芯材料的詳細(xì)解釋: 一、主要材料 光纖芯主要由高純度的二氧化硅(SiO2)構(gòu)成。二氧化硅是一種
2024-12-17 09:43:401174

離子注入的目的及退火過程

產(chǎn)生的晶格損傷,并激活摻雜劑離子,從而實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電學(xué)特性。 1. 離子注入的目的 離子注入是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中不可或缺的工藝之一。通過這一步驟,可以精確控制摻雜劑的種類、濃度和分布,以創(chuàng)建半導(dǎo)體器件所需的PN區(qū)
2025-01-02 10:22:232459

天合光能創(chuàng)造高效nHJT電池組件效率世界紀(jì)錄

今日,位于天合光能的光伏科學(xué)與技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室正式宣布,其自主研發(fā)的高效n全鈍化異質(zhì)結(jié)(HJT)電池組件,經(jīng)德國?弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所下屬的測試實(shí)驗(yàn)室(Fraunhofer CalLab
2025-01-06 15:02:201208

大氣壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)在BC電池中的應(yīng)用:從激光摻雜到高溫?cái)U(kuò)散

BC電池是一種先進(jìn)的太陽能電池結(jié)構(gòu),通過在電池背面交替排列pn摻雜區(qū)域,消除了正面的光學(xué)遮擋損失。本文提出了一種簡化的、無需掩膜的摻雜工藝,通過調(diào)整APCVD工藝中的硼和磷含量,可以自由調(diào)節(jié)p
2025-03-05 09:02:271530

從17.2%到19.2%效率提升:化學(xué)蝕刻在異位鉍摻雜CdSeTe電池中的應(yīng)用

CdSeTe是一種重要的光伏材料,理論光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)超30%,世界紀(jì)錄PCE達(dá)22.6%。當(dāng)前對CdSeTe太陽能電池的摻雜研究重點(diǎn)已從銅摻雜轉(zhuǎn)向V族元素摻雜,以降低開路電壓損失、提高穩(wěn)定性
2025-03-21 09:01:38725

摻雜C??/TaTm分子復(fù)合結(jié)實(shí)現(xiàn)22%效率鈣鈦礦/硅疊層電池:機(jī)理與性能研究

鈣鈦礦/硅串聯(lián)電池是突破硅單結(jié)效率極限(29.5%)的理想方案,但工業(yè)硅片表面粗糙性導(dǎo)致的漏電問題亟待解決。本研究提出一種新型復(fù)合結(jié)設(shè)計(jì),利用n摻雜C??與p摻雜TaTm的有機(jī)異質(zhì)結(jié),通過低橫向
2025-04-25 09:02:18860

天合光能至尊N極御組件斬獲RETC“全面最佳表現(xiàn)獎”

的發(fā)電性能和優(yōu)異的產(chǎn)品質(zhì)量,榮獲 “全面最佳表現(xiàn)獎”(Overall Highest Achiever),天合光能實(shí)現(xiàn)五年蟬聯(lián)。此前,天合光能至尊N700W+組件斬獲“全面最佳表現(xiàn)”獎,至尊N產(chǎn)品力持續(xù)獲得國際權(quán)威機(jī)構(gòu)認(rèn)可。
2025-06-18 10:36:401206

微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件發(fā)展中的作用

微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為,從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例,摻入五價砷(As)元素可為晶格引入多余電子,使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">n半導(dǎo)體,直接影響導(dǎo)電
2025-08-27 14:58:20652

晶科能源創(chuàng)下nTOPCon太陽能電池效率新紀(jì)錄

提升。 該太陽能電池效率新紀(jì)錄的實(shí)現(xiàn)得益于超薄氧化硅隧道層與摻雜多晶硅鈍化接觸技術(shù)的應(yīng)用。公司表示,新型鈍化材料與金屬化工藝升級為此次太陽能電池效率新紀(jì)錄提供了技術(shù)支持。 今年1月,晶科能源的鈣鈦礦-硅串聯(lián)太陽能電池效率曾達(dá)到33.84%。公司預(yù)計(jì)
2025-12-22 17:24:35405

功率半導(dǎo)體的N和P摻雜濃度技術(shù)探討

01 導(dǎo)率型號的符號上去的, 表示電導(dǎo)型號的符號上的, 用來表示摻雜水平。 - 和 P ?表示具有比臨近區(qū)域更 摻雜水平的N和P層N+ 和 pr 表示具有比臨近區(qū)域更 摻雜水平的N和P層 02 N
2025-12-26 14:20:0180

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