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硅外延片近期價格出現(xiàn)兩極化

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單片LTM8067隔離輸出電流不夠,是否可將兩片或多并聯(lián)使用?

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2025-04-18 07:01:20

在晶圓襯底上生長外延層的必要性

本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39867

導(dǎo)熱脂科普指南:原理、應(yīng)用與常見問題解答

一、導(dǎo)熱脂是什么? 導(dǎo)熱脂(Thermal Paste),俗稱散熱膏或?qū)岣啵且环N用于填充電子元件(如CPU、GPU)與散熱器之間微小空隙的高效導(dǎo)熱材料。其主要成分為硅油基材與導(dǎo)熱填料(如金屬
2025-04-14 14:58:20

預(yù)計4月電視面板價格出現(xiàn)拐點

“今年3月,在美國關(guān)稅政策頻繁變動、國內(nèi)品牌春季新品集中放量及“以舊換新”政策帶動下,短期需求仍維持高位,因面板供應(yīng)端持續(xù)高稼動出貨,面板價格漲幅開始收窄。進入4月,隨著二季度部分需求提前釋放疊加美對華關(guān)稅貿(mào)易戰(zhàn)升級,面板供需進入弱平衡狀態(tài),預(yù)計4月面板價格出現(xiàn)拐點?!?/div>
2025-04-11 11:07:04763

太陽誘電觸覺技術(shù)和音響用壓電振動

今天為您介紹觸覺技術(shù)和音響用壓電振動。 對壓電體施加應(yīng)力,就會產(chǎn)生成比例的電極化,由此產(chǎn)生電壓,這叫做壓電效應(yīng)。反之,對壓電體施加電壓,就會產(chǎn)生與電壓成比例的位移,這叫做逆壓電效應(yīng)。振動利用逆壓
2025-04-09 15:56:25

ADMV4821 24至29.5GHz TX/RX 雙極化波束形成器技術(shù)手冊

ADMV4821 是一款鍺 (SiGe)、24 GHz 毫米波 (mmW) 至 29.5 GHz 毫米波 5G 波束成形器。RF IC 高度集成,包含 16 個獨立通道,具有發(fā)射和接收功能。ADMV4821通過獨立的 RFV 和 RFH 輸入/輸出公共引腳支持 8 個水平和 8 個垂直極化天線。
2025-04-09 10:30:201008

ADMV4928 37.0 GHz至43.5 GHz發(fā)射/接收雙極化波束形成器技術(shù)手冊

ADMV4928是一款絕緣體上(SOI)、37.0 GHz至43.5 GHz、mmW 5G波束形成器。RF集成電路(RFIC)高度集成,包含16個獨立的發(fā)射和接收通道。ADMV4928通過獨立的RFV和RFH輸入/輸出支持八個水平和八個垂直極化天線。
2025-04-08 17:41:55989

芯片制造中的多晶介紹

多晶(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數(shù)微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,多晶的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453607

高壓放大器在鐵電陶瓷極化過程研究中的應(yīng)用

實驗名稱: 鐵電陶瓷雙軸應(yīng)力作用下的極化研究 研究方向: 在新型鐵電陶瓷中,鈦酸鋇壓電陶瓷的居里溫度較低導(dǎo)致其無法通過提高溫度促進極化過程;而對于新型高溫鐵電陶瓷,其矯頑電場較高并超過了其材料本身
2025-04-08 10:46:57521

【「芯片通識課:一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗】了解芯片怎樣制造

TSMC,中芯國際SMIC 組成:核心:生產(chǎn)線,服務(wù):技術(shù)部門,生產(chǎn)管理部門,動力站(雙路保障),廢水處理站(環(huán)保,循環(huán)利用)等。生產(chǎn)線主要設(shè)備: 外延爐,薄膜設(shè)備,光刻機,蝕刻機,離子注入機,擴散爐
2025-03-27 16:38:20

上揚軟件助力SiC外延頭部企業(yè)部署CIM系統(tǒng)解決方案

近日,上揚軟件正式啟動國內(nèi)SiC外延頭部企業(yè)的 CIM系統(tǒng)部署。此次部署的系統(tǒng)基于客戶在生產(chǎn)、工藝、質(zhì)量、設(shè)備等方面的管理需求,定制化部署MES、EAP、RMS、FDC以及 YMS系統(tǒng),幫助企業(yè)實現(xiàn)生產(chǎn)效率和良率的雙提升。
2025-03-26 11:21:04959

常見的幾種薄膜外延技術(shù)介紹

薄膜外延生長是一種關(guān)鍵的材料制備方法,其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。
2025-03-19 11:12:232317

多晶錠定向凝固生長方法

鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶。近年來,為提升多晶電池轉(zhuǎn)換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121126

使用STM32F103驅(qū)動W5500,多臺設(shè)備接入交換機時,偶發(fā)出現(xiàn)臺設(shè)備只要同時都接入后就會互相影響,怎么解決?

使用STM32F103驅(qū)動W5500,單臺設(shè)備連接電腦網(wǎng)絡(luò)助手通訊沒有問題,多臺設(shè)備接入交換機的時候,偶發(fā)出現(xiàn)臺設(shè)備只要同時都接入后就會互相影響,導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)交互堵塞,丟幀等問題。這臺設(shè)備只要
2025-03-13 07:05:25

見證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價格首次低于IGBT!

進入2025年以來,全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見證功率半導(dǎo)體歷史拐點:SiC碳化硅MOSFET價格開始低于IGBT!主要源于技術(shù)突破、產(chǎn)能
2025-03-03 16:28:221386

龍騰半導(dǎo)體加速功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級

公司副總裁張欣女士表示,2025年隨著結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能的進一步釋放,公司預(yù)計全年產(chǎn)能同比增速有望突破300%,以滿足市場對高質(zhì)量半導(dǎo)體外延的迫切需求。
2025-02-28 09:24:271156

應(yīng)變的由來與原理

應(yīng)變的由來和原理
2025-02-26 15:07:372846

導(dǎo)熱硅膠片與導(dǎo)熱脂應(yīng)該如何選擇?

在電子設(shè)備散熱領(lǐng)域,導(dǎo)熱硅膠片和導(dǎo)熱脂是種常用材料。如何根據(jù)實際需求進行選擇?以下從性能、場景和操作維度進行對比分析。 一、核心差異對比?特性?導(dǎo)熱硅膠片?導(dǎo)熱脂 ?形態(tài)固體片狀(厚度
2025-02-24 14:38:13

去除碳化硅外延揭膜后臟污的清洗方法

引言 碳化硅(SiC)作為新一代半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延的制備過程中,揭膜后的臟污問題一直是影響外延
2025-02-24 14:23:16260

DLPC3479+DLPA3005+4710無HDMI輸入,兩片3479互連的PDATA可以不接嗎?

請問下,DLPC3479+DLPA3005+4710 無HDMI輸入,兩片3479互連的PDATA可以不接嗎?應(yīng)該是可以的吧
2025-02-20 07:55:00

使用一DLP3010的時候,出現(xiàn)工作一段時間后被擊穿的現(xiàn)象,怎么解決?

我司在使用一DLP3010的時候,出現(xiàn)工作一段時間后被擊穿的現(xiàn)象,取下來進行檢查發(fā)現(xiàn)VRST管腳對地電阻僅有5歐姆,外觀無任何異常。我們想確定問題的原因,ESD/熱/電擊穿,結(jié)果在OM顯微鏡下出現(xiàn)了下面的圖像,猜測可能是問題點。 請問針對可能的原因或者下一步的排查方向,是否有什么建議呢?
2025-02-18 06:38:24

ADS1298的WCT引腳輸出的電流,是否足夠驅(qū)動兩片?

ADS1298的WCT引腳輸出的電流,是否足夠驅(qū)動兩片,共11路的ADS1298的反相端。
2025-02-14 06:53:29

SiC外延的化學(xué)機械清洗方法

引言 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而,在SiC外延的制造過程中,表面污染物的存在會嚴(yán)重影響
2025-02-11 14:39:46414

使用兩片ADS1232/4AD芯片會有干擾嗎?

做項目時遇到了這樣的問題,用了兩片TI的 ADS123424位AD,共電源、共地、共參考電壓,一個增益設(shè)置為2倍另一個是64倍,但是MSP430采集來增益設(shè)為2倍的數(shù)不穩(wěn),如果都設(shè)成2倍,數(shù)據(jù)就是
2025-02-11 07:55:39

有效抑制SiC外延掉落物缺陷生成的方法

影響外延質(zhì)量和器件性能的關(guān)鍵因素。這些缺陷不僅會降低外延的良品率,還可能對后續(xù)器件的可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重影響。因此,有效抑制SiC外延掉落物缺陷的生成,對于提升Si
2025-02-10 09:35:39401

DDR4內(nèi)存價格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告顯示,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
2025-02-08 16:41:02930

應(yīng)力消除外延生長裝置及外延生長方法

影響外延質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素。為了克服這一問題,應(yīng)力消除外延生長裝置及外延生長方法應(yīng)運而生。本文將詳細(xì)介紹這種裝置和方法的工作原理、技術(shù)特點以及應(yīng)用前景。 應(yīng)力
2025-02-08 09:45:00268

切割液潤濕劑用哪種類型?

解鎖晶切割液新活力 ——[麥爾化工] 潤濕劑 晶切割液中,潤濕劑對切割效果影響重大。[麥爾化工] 潤濕劑作為廠家直銷產(chǎn)品,價格優(yōu)勢明顯,品質(zhì)有保障,供貨穩(wěn)定。 你們用的那種類型?歡迎交流
2025-02-07 10:06:58

碳化硅外延晶片面貼膜后的清洗方法

引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過程中,面貼膜是一道關(guān)鍵步驟,用于保護外延層免受機械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37317

增強反鐵電材料能量存儲性能的反極化調(diào)控策略

忽略的剩余極化和在場致鐵電態(tài)中的高最大極化,在高性能儲能方面具有重要的意義。然而,低反鐵電-鐵電相變場和伴隨的大磁滯損耗會降低能量密度和可靠性。
2025-02-06 10:52:381131

提高SiC外延生長速率和品質(zhì)的方法

SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中,晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā),嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長速率和品質(zhì)的同時,有效避免這些問題的產(chǎn)生,可以從以下幾個方面入手。?
2025-02-06 10:10:581349

兩片TLK3101之間用光收發(fā)模塊通過光纖互聯(lián),TLK3101和光收發(fā)模塊之間的接口匹配不存在問題,為什么?

我們將兩片 TLK 3101之間用光收發(fā)模塊通過光纖互聯(lián),TLK 3101和光收發(fā)模塊之間的接口匹配不存在問題,光功率都在正常的范圍之內(nèi) ,但在實驗室測試中經(jīng)常出現(xiàn)TLK 3101幀同步丟失
2025-02-05 07:22:59

使用兩片ADS8568進行16通道同步采樣遇到的疑問求解

使用兩片ADS8568進行16通道同步采樣,原理圖在附件中,使用的是串行、軟件模式。采樣速率不高于10KHz,所以輸出只用了一個SDO_A。在采樣之前對芯片的配置應(yīng)該是SDI(pin22
2025-02-05 06:21:28

集成電路外延詳解:構(gòu)成、工藝與應(yīng)用的全方位剖析

集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石,而外延作為集成電路制造過程中的關(guān)鍵材料,其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延的組成、制備工藝及其對芯片性能的影響。
2025-01-24 11:01:382185

請教一下,兩片ADS8568在PCB布線是應(yīng)該注意什么

請教一下,兩片ADS8568在PCB布線是應(yīng)該注意什么,數(shù)字地和模擬地的組合方式,或者有多ADC的布線文檔沒,急用,謝謝。
2025-01-21 08:25:51

想把2TLV5628并聯(lián)起來使用遇到的疑問求解

現(xiàn)想把2TLV5628并聯(lián)起來使用,數(shù)據(jù)接口采用如下時序 DATA,LOAD直接并聯(lián),分別用路CLK(路CLK信號不同時出現(xiàn))來選擇其中一路TLV5628工作,即其中一路CLK出現(xiàn)時,一TLV5628工作,另一TLV5628沒有CLK不工作,請問這樣使用是否可以? 謝謝!
2025-01-16 08:25:11

ADS1298R內(nèi)部硬件有沒有去除耐極化電壓?還是直接在軟件上面設(shè)計了?

你好,請問: 一:心電的耐極化電壓正負(fù)300mV,算不算共模電壓? 二:ADS1298R內(nèi)部硬件有沒有去除耐極化電壓?還是直接在軟件上面設(shè)計了?
2025-01-16 07:06:57

用2ADS1258同時采集同一電壓信號,采集的模擬電壓信號出現(xiàn)了周期性的抖動怎么解決?

我設(shè)計了用2ADS1258 同時采集同一電壓信號,用示波器測量時發(fā)現(xiàn),采集的模擬電壓信號出現(xiàn)了周期性的抖動。想問問各位有沒有遇到過這種情況。
2025-01-16 06:54:09

氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

相信最近關(guān)心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵(GaN)”,這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后,“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14

ATA-67100高壓放大器在鐵電材料極化測試中的應(yīng)用

實驗名稱:鐵電材料極化測試 實驗原理:鐵電材料是指具有自發(fā)極化的晶體材料,具有一系列特殊的電學(xué)和物理性質(zhì)。鐵電測試是研究鐵電材料性質(zhì)的關(guān)鍵實驗手段之一。隨著新型鐵電材料的不斷涌現(xiàn),正確的獲得材料的電
2025-01-09 12:00:22762

用于半導(dǎo)體外延生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)

一、引言 在半導(dǎo)體制造業(yè)中,外延生長技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色?;瘜W(xué)氣相沉積(CVD)作為一種主流的外延生長方法,被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延。而在CVD外延生長過程中,石墨托盤作為承載和支撐半導(dǎo)體
2025-01-08 15:49:10364

OptiFDTD應(yīng)用:用于光纖入波導(dǎo)耦合的納米錐仿真

介紹 在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] 耦合器由高折射率比材料組成,是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] 錐形耦合器實際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
2025-01-08 08:51:53

鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延生長裝置

一、引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料,在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延是實現(xiàn)高性能SiC
2025-01-07 15:19:59423

基波導(dǎo)集成的上光譜儀綜述

近日,天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院的光子芯片實驗室綜述了近年來基波導(dǎo)集成的上光譜儀的研究成果,論文以“Integrated optical spectrometers on silicon photonics platforms”為題發(fā)表在《Laser & Photonics Reviews》上。
2025-01-06 16:30:381627

電容系列一:電容概述

電容是一種采用了作為材料,通過半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容,和當(dāng)前的先進封裝非常適配
2025-01-06 11:56:482187

天域半導(dǎo)體IPO:國內(nèi)碳化硅外延行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局

銷量第一,營收受市場價格下跌明顯 當(dāng)前,天域半導(dǎo)體已經(jīng)成為中國首家技術(shù)領(lǐng)先的專業(yè)碳化硅外延供應(yīng)商,其及其技術(shù)可以用于在汽車、5G基站、數(shù)據(jù)中心、雷達(dá)及家用電器等場景。同時也是中國首批實現(xiàn)4英吋及6英吋碳化硅外延量產(chǎn)的公司之一,以及中國首
2025-01-06 06:58:004474

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