摘要:本文研究白光干涉儀在肖特基二極管晶圓深溝槽 3D 輪廓測量中的應(yīng)用,分析其工作原理及適配深溝槽結(jié)構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢,通過實際案例驗證其測量精度,為肖特基二極管晶圓深溝槽制造的質(zhì)量控制與性能優(yōu)化提供
2025-10-20 11:13:27
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再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場景等方面。以下是具體分析:定義與來源差異普通晶圓:指全新生產(chǎn)的硅基材料,由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55
771 
根據(jù)集邦咨詢最新報告數(shù)據(jù)顯示,在2025年第二季度,全球前十大晶圓代工廠營收增長至417億美元以上,季增高達(dá)14.6%;創(chuàng)下新紀(jì)錄。在2025年第二季度,前十晶圓代工廠市場份額約達(dá)96.8%。其中
2025-09-03 15:54:51
4762 WD4000晶圓厚度翹曲度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV
2025-08-25 11:29:30
WD4000晶圓顯微形貌測量系統(tǒng)通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓顯微
2025-08-20 11:26:59
WD4000晶圓膜厚測量系統(tǒng)通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓膜厚測量
2025-08-12 15:47:19
退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟,通過控制加熱和冷卻過程,退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子,并改善材料的電學(xué)和機械性質(zhì)。這些改進對于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-08-01 09:35:23
2023 
格羅方德(GlobalFoundries)推出GlobalShuttle多項目晶圓(multi-project wafer, MPW),計劃通過將多個芯片設(shè)計項目集成于同一片晶圓上,助力客戶將差異化芯片設(shè)計轉(zhuǎn)化為實際產(chǎn)品,同時無需承擔(dān)測試硅片的成本限制。
2025-07-26 15:27:04
945 晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,用于去除晶圓表面的污染物(如顆粒、有機物、金屬離子和氧化物),確保后續(xù)工藝(如光刻、沉積、刻蝕)的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同,晶圓
2025-07-23 14:32:16
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晶圓清洗機中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計原理、技術(shù)要點及實現(xiàn)方式: 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸(如2英寸到12英寸)和工藝需求,夾持
2025-07-23 14:25:43
928 不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異,主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應(yīng)用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸(如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等)的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點:一、晶圓
2025-07-22 16:51:19
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厚度不均勻 。切割深度動態(tài)補償技術(shù)通過實時調(diào)整切割深度,為提升晶圓 TTV 厚度均勻性提供了有效手段,深入研究其提升機制與參數(shù)優(yōu)化方法具有重要的現(xiàn)實意義。
二、
2025-07-17 09:28:18
404 
產(chǎn)生的切削熱分布及其與工藝的耦合效應(yīng),會對晶圓 TTV 產(chǎn)生復(fù)雜影響 。深入研究兩者耦合效應(yīng)對 TTV 的作用機制,對優(yōu)化晶圓切割工藝、提升晶圓質(zhì)量具有重要意義。
二、
2025-07-12 10:01:07
437 
WD4000晶圓厚度THK幾何量測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV
2025-07-10 13:42:33
目前二者常被獨立研究,難以實現(xiàn)最佳切割效果,構(gòu)建協(xié)同優(yōu)化模型迫在眉睫。
二、振動監(jiān)測系統(tǒng)與進給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化的必要性
2.1 振動對進給參數(shù)的影響
晶圓切割時
2025-07-10 09:39:05
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超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時對振動更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對性的振動控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓(
2025-07-09 09:52:03
580 
在集成電路生產(chǎn)過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個常見但復(fù)雜的問題。每個環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個工藝參數(shù),尤其是對邊緣區(qū)域的處理,以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。
2025-07-09 09:43:08
759 性的影響機制,并提出有效抑制方法,是提升晶圓加工精度、推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵所在。
二、振動 - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對晶圓厚度均勻性的影響
2.1 振動引發(fā)
2025-07-08 09:33:33
591 
近日,全球半導(dǎo)體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù),預(yù)計在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注,尤其是在當(dāng)前競爭激烈的半導(dǎo)體市場環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈
2025-07-07 10:33:22
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On Wafer WLS無線晶圓測溫系統(tǒng)通過自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成,實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導(dǎo)體制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:37:30
TC Wafer 晶圓測溫系統(tǒng)通過利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將耐高溫的熱電偶傳感器鑲嵌在晶圓表面,實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導(dǎo)體制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:16:41
RTD Wafer 晶圓測溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到 晶圓表面,實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導(dǎo)體 制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝
2025-06-27 10:12:00
RTD Wafer 晶圓測溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到晶圓表面,實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導(dǎo)體 制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝
2025-06-27 10:08:43
并購重組審核委員會審議通過,后續(xù)尚需取得中國證監(jiān)會同意注冊的決定后方可實施。 芯聯(lián)集成是全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一,根據(jù)ChipInsights發(fā)布的《2024年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓代工排行榜》,芯聯(lián)集成躋身2024年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓代工榜單前十,中
2025-06-25 18:11:40
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在半導(dǎo)體制造的精密流程中,晶圓載具清洗機是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專門用于清潔承載晶圓的載具(如載具、花籃、托盤等),避免污染物通過載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面,從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
WD4000晶圓厚度測量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,TTV,BOW
2025-06-18 15:40:06
摘要:本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導(dǎo)體制造中的重要意義,分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時研究測量方法、測量設(shè)備精度等因素對測量結(jié)果的作用,為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58
551 
晶圓經(jīng)切割后,表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物,這些物質(zhì)會對后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘附力主要來自范德華力的物理吸附作用,因此業(yè)界主要采用物理或化學(xué)方法對顆粒物進行底切處理,通過逐步減小其與晶圓表面的接觸面積,最終實現(xiàn)脫附。
2025-06-13 09:57:01
864 晶圓檢測是指在晶圓制造完成后,對晶圓進行的一系列物理和電學(xué)性能的測試與分析,以確保其質(zhì)量和性能符合設(shè)計要求。這一過程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接影響后續(xù)封裝和芯片的良品率。 隨著圖形化和幾何結(jié)構(gòu)
2025-06-06 17:15:28
715 
貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓(Wafer)固定在一層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍(lán)色,業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割(劃片)工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:59
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晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材,所有集成電路(IC)均構(gòu)建于晶圓之上,其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性,是摩爾定律持續(xù)推進的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度(THK)、翹曲度(Warp) 和彎曲度(Bow
2025-05-28 16:12:46
表面與清洗設(shè)備(如夾具、刷子、兆聲波噴嘴)或化學(xué)液膜接觸時,因材料電子親和力差異(如半導(dǎo)體硅與金屬夾具的功函數(shù)不同),發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移。例如,晶圓表面的二氧化硅(SiO?)與聚丙烯(PP)材質(zhì)的夾具摩擦后,可能因電子轉(zhuǎn)移產(chǎn)生凈電荷。 液體介質(zhì)影響:清洗
2025-05-28 13:38:40
737 )增大,影響器件性能與良品率。因此,探索提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法,對推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。 二、提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法 2.1 鍵合前晶圓處理 鍵合前對晶圓的處理是提高 TTV 質(zhì)量的基礎(chǔ)。首先,嚴(yán)格把控晶圓表面平整度,采
2025-05-26 09:24:36
850 
摘要:本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差(TTV)的管控問題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進及檢測反饋機制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV,提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57
508 
摘要:本文聚焦于降低晶圓 TTV(總厚度偏差)的磨片加工方法,通過對磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進,有效控制晶圓 TTV 值,提升晶圓質(zhì)量,為半導(dǎo)體制造提供實用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞:晶
2025-05-20 17:51:39
1022 
WD4000晶圓Warp翹曲度量測系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-05-20 14:02:17
前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中,晶圓需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進行,直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:44
1109 
在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形,并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異:4英寸晶圓厚度約為520微米,6
2025-05-09 13:55:51
1975 圓片級封裝(WLP),也稱為晶圓級封裝,是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測試程序,再進行切割制成單顆組件的先進封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問世以來,已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù),深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:36
2066 
、低成本的可靠性評估,成為工藝開發(fā)的關(guān)鍵工具,本文分述如下:
晶圓級可靠性(WLR)技術(shù)概述
晶圓級電遷移評價技術(shù)
自加熱恒溫電遷移試驗步驟詳述
晶圓級可靠性(WLR)技術(shù)概述
WLR技術(shù)核心優(yōu)勢
2025-05-07 20:34:21
法) RCA清洗是晶圓清洗的經(jīng)典工藝,分為兩個核心步驟(SC-1和SC-2),通過化學(xué)溶液去除有機物、金屬污染物和顆粒124: SC-1(APM溶液) 化學(xué)配比:氫氧化銨(NH?OH,28%)、過氧化氫(H?O?,30%)與去離子水(H?O)的比例為1:1:5。 溫度與時
2025-04-22 09:01:40
1289 本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:37
2155 
在半導(dǎo)體行業(yè)中,晶圓的良品率是衡量制造工藝及產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)。提高晶圓良品率不僅可以降低生產(chǎn)成本,還能提高產(chǎn)品的市場競爭力。Keithley 6485靜電計作為一種高精度的電測量設(shè)備,其對靜電放電
2025-04-15 14:49:13
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晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過程中的一種重要清洗技術(shù),它旨在通過將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中,去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物,以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對晶圓浸泡式清洗方法的詳細(xì)
2025-04-14 15:18:54
765 5.3%的平均。中國在主流制程節(jié)點(22nm到40nm)的產(chǎn)能增長尤為顯著,預(yù)計到2028年,中國在全球主流半導(dǎo)體制造產(chǎn)能中的占比將達(dá)到42%。 近期,中芯國際和聯(lián)電作為全球排名前四中的兩家中國晶圓代工廠,先后發(fā)布了最新年度財報。兩家財報顯示,中芯國際營收超越聯(lián)電,凈利潤指
2025-03-29 03:31:29
4007 
在半導(dǎo)體制造過程中,晶圓甩干機發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,晶圓甩干過程中的碎片問題一直是影響生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。晶圓作為半導(dǎo)體器件的載體,其完整性對于后續(xù)的制造工藝至關(guān)重要。即使是極小
2025-03-25 10:49:12
766 本文介紹了晶圓清洗的污染源來源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。
2025-03-18 16:43:05
1684 
圓不僅是芯片制造的基礎(chǔ)材料,更是連接設(shè)計與現(xiàn)實的橋梁。在這張畫布上,光刻、刻蝕、沉積等工藝如同精妙的畫筆,將虛擬的電路圖案轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實的功能芯片。 晶圓:從砂礫到硅片 晶圓的起點是普通的砂礫,其主要成分是二氧化硅(SiO?
2025-03-10 17:04:25
1542 日本硅晶圓制造商Sumco宣布,將在2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。 Sumco報告稱,主要用于消費、工業(yè)和汽車應(yīng)用的小直徑晶圓需求仍然疲軟。具體而言,隨著客戶要么轉(zhuǎn)向200毫米晶圓,要么在
2025-02-20 16:36:31
815 根據(jù)SEMI SMG在其硅晶圓行業(yè)年終分析報告中的最新數(shù)據(jù),全球硅晶圓市場在經(jīng)歷了一段時間的行業(yè)下行周期后,于2024年下半年開始呈現(xiàn)復(fù)蘇跡象。 報告指出,盡管2024年全球硅晶圓出貨量同比
2025-02-17 10:44:17
840 近日,日本知名硅晶圓制造商Sumco宣布了一項重要戰(zhàn)略決策,計劃于2026年底前停止其宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。這一舉措是Sumco為優(yōu)化產(chǎn)品組合、提高盈利能力而采取的關(guān)鍵步驟。
2025-02-13 16:46:52
1215 大家元宵節(jié)快樂!
半導(dǎo)體新人,想尋求一家紙箱供應(yīng)商。
用于我司成品晶圓發(fā)貨,主要是6寸和8寸晶圓。
我司成立尚短,采購供應(yīng)商庫里沒有合適的廠家,因此來求助發(fā)燒友們。
我們的需求是:
瓦楞紙箱(質(zhì)量
2025-02-12 18:04:36
Dicing 是指將制造完成的晶圓(Wafer)切割成單個 Die 的工藝步驟,是從晶圓到獨立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個 Die 都是一個功能單元,Dicing 的精準(zhǔn)性直接影響芯片的良率和性能。
2025-02-11 14:28:49
2943 2024年,全球晶圓代工市場迎來了強勁的增長勢頭,年增長率高達(dá)22%。這一顯著增長主要得益于人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展和半導(dǎo)體需求的持續(xù)復(fù)蘇。 在過去的一年里,全球代工行業(yè)經(jīng)歷了強勁的復(fù)蘇和擴張
2025-02-11 09:43:15
910 代工業(yè)務(wù)上的策略調(diào)整。 回顧過去幾年,三星晶圓代工業(yè)務(wù)在2021至2023年期間處于投資高峰期,每年的設(shè)備投資規(guī)模高達(dá)15至20萬億韓元。然而,進入2024年后,該部門的設(shè)備投資規(guī)模開始呈現(xiàn)下降趨勢,而今年的預(yù)算更是大幅縮減。 與此同時,臺積電在晶圓
2025-02-08 15:35:58
933 來自于先進制程需求的激增,受AI應(yīng)用加速導(dǎo)入數(shù)據(jù)中心與邊緣計算所驅(qū)動。而晶圓代工領(lǐng)頭羊臺積電則憑借5/4nm與3nm先進制程的強勁需求,抓住市場機會,加上CoWoS等先進封裝技術(shù)的發(fā)展,也進一步助推產(chǎn)業(yè)增長。 而報告還指出,晶圓代工產(chǎn)業(yè)將在2025年挑戰(zhàn)20%的營收增長,其中AI需求持
2025-02-07 17:58:44
920 在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中,晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性,因此需匹配不同的切割工藝,以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:00
3048 
,相較于2024年的10萬億韓元投資規(guī)模,這一數(shù)字出現(xiàn)了大幅下降。這一決策的背后,反映了三星電子在當(dāng)前市場環(huán)境下的戰(zhàn)略調(diào)整。 回顧過去幾年,三星晶圓代工在2021年至2023年期間進行了大力投資,累計花費約20萬億韓元來擴大產(chǎn)能并推進技術(shù)革新
2025-01-23 14:36:19
859 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材,其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW(彎曲度)的精確測量。而在測量過程中,特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性,這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24
520 
都說晶圓清洗機是用于晶圓清洗的,既然說是全自動的。我們更加好奇的點一定是如何自動實現(xiàn)晶圓清洗呢?效果怎么樣呢?好多疑問。我們先來給大家介紹這個根本問題,就是全自動晶圓清洗機的工作是如何實現(xiàn)
2025-01-10 10:09:19
1113 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要,其中對晶圓 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測量過程中,而晶圓的環(huán)吸方案因其獨特
2025-01-09 17:00:10
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晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料,超過90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成電路的整體性能和競爭力。今天我們將詳細(xì)介紹
2025-01-09 09:59:26
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