導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
3811 
負(fù)載開關(guān)基本電路及發(fā)展概況
負(fù)載開關(guān)基本電路 功率MOSFET是一種具有良好開關(guān)特性的器件：導(dǎo)通時(shí)其導(dǎo)通電阻RDS(ON)很小；在關(guān)斷時(shí)其漏電流IDSS很小。另外，它的耐壓
2009-12-12 11:48:283026 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083396 選擇負(fù)載開關(guān)時(shí)，需要確保它具有針對你的應(yīng)用的正確額定值。尤其要注意最大電壓、最大電流以及導(dǎo)通電阻 （RON）。在確認(rèn)負(fù)載開關(guān)具有正確的電壓和電流額定值后，需要決定可接受的功率損耗（V = IR壓降）。
2015-05-13 14:56:401819 
2.4-2.6次方增長，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。為了獲得低導(dǎo)通電阻值，就必須增大硅片面積，需要更大晶片面積降低導(dǎo)通電阻，一些大電流應(yīng)用需要更大封裝尺寸，成本隨之增加，Crss電容增加導(dǎo)致開關(guān)損耗增加，系統(tǒng)功率密度很難提高，應(yīng)用受到很大限制。 高
2023-10-07 09:57:368691 
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關(guān)
2019-03-08 15:06:392742 、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
降低損耗”為目標(biāo)開發(fā)而成的。一般而言，導(dǎo)通電阻和Qg存在權(quán)衡關(guān)系，但利用ROHM獨(dú)有的工藝技術(shù)和優(yōu)化技術(shù)優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)了兩者的高度平衡?！鵓restoMOS是ROHM的商標(biāo)。開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗更低
2018-12-04 10:23:36
FDC6324L是一款集成負(fù)載開關(guān) 是使用ON生產(chǎn)的半導(dǎo)體專有的高單元密度DMOS技術(shù)。這種非常高密度的工藝特別適合于將導(dǎo)通電阻降至最低，并提供優(yōu)越的開關(guān)性能 這些設(shè)備特別適用于需要低導(dǎo)通損耗和簡單
2021-11-27 12:14:08
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開關(guān)的導(dǎo)通電阻對傳遞函數(shù)的影響”。本次也采用同樣的方法展開探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為和，同樣按兩個(gè)步驟來推導(dǎo)。開關(guān)
2018-11-30 11:48:22
與這款TI解決方案的比較。TPS22968使該客戶能將它們的占位面積減少80％以上，同時(shí)集成更多的功能，如受控的壓擺率和快速輸出放電功能。 圖2：雙通道分立開關(guān)與集成式負(fù)載開關(guān)（TPS22968）的尺寸
2018-09-05 15:37:50
輸入電壓和最大負(fù)載電流。負(fù)載開關(guān)的導(dǎo)通電阻是導(dǎo)通FET 的特性，將用于計(jì)算負(fù)載開關(guān)的功耗。導(dǎo)通FET 既可以是N 溝道FET，也可以是P 溝道FET，這將決定負(fù)載開關(guān)的架構(gòu)。2. 柵極驅(qū)動(dòng)器以控制方式
2016-01-11 16:39:00
器件MOSFET的導(dǎo)通電阻逐年下降，導(dǎo)通電阻小的可做到幾mΩ。集成負(fù)載開關(guān)中的MOSFET導(dǎo)通電阻稍大，目前可做到幾十mΩ左右。為了改善開關(guān)的性能，使開關(guān)慢啟動(dòng)（慢啟動(dòng)是指開關(guān)接通時(shí)，其電壓上升率是一
2011-07-11 11:52:48
負(fù)載開關(guān)IC是一種集成了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的集成電路，能夠?qū)崿F(xiàn)對負(fù)載的快速、高效和安全的開關(guān)控制。它具有低導(dǎo)通電阻、低漏電流、高電壓隔離等特點(diǎn)，可以滿足不同應(yīng)用場景的需求
2024-09-29 16:42:47
德州儀器 (TI) Philippe Pichot 電池供電系統(tǒng)中正越來越多地采用集成電源開關(guān)，旨在斷開所有未用子系統(tǒng)。這些應(yīng)用包括 RF 功率放大器、無線局域網(wǎng) (WLAN) 或藍(lán)牙&
2011-07-28 08:39:25
第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級(jí)結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快的特點(diǎn)，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強(qiáng)了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開關(guān)已經(jīng)開發(fā)了通過減少音頻爆破音的可能性來加強(qiáng)語音體驗(yàn)。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時(shí)間和允許負(fù)電壓信號(hào)的能力。
2011-03-02 23:11:29
NCP45521的典型（負(fù)載開關(guān)）電路是一種負(fù)載開關(guān)，可通過軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減小解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護(hù)和電源良好信號(hào)提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-20 08:07:20
忽略輸入開關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計(jì)算？另外Vstep為什么這樣計(jì)算？
2018-08-06 07:49:37
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開關(guān)，可通過軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護(hù)和電源良好信號(hào)提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
的 TPS22959，可實(shí)現(xiàn)總輸出電流 30A。主要特色增加了最大輸出電流降低了總導(dǎo)通電阻 (RON)輸出上升時(shí)間更短功率耗散更低降低了快速輸出放電 (QOD) 電阻
2018-08-14 06:29:01
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
請問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個(gè)是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價(jià)是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流子導(dǎo)電雖能降低導(dǎo)通壓降，但付出的代價(jià)是開關(guān)速度的降低并出現(xiàn)拖尾電流，開關(guān)損耗增加，失去了MOSFET的高速的優(yōu)點(diǎn)?！ ∫陨蟽煞N辦法
2023-02-27 11:52:38
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低導(dǎo)通電阻，4A 集成負(fù)載開關(guān) 特性 說明 ? 輸入電壓范圍：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個(gè)
2024-03-18 14:36:43
JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時(shí)序的要求。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在
2024-03-18 14:39:12
FET導(dǎo)通電阻Ron的修正電路圖
2009-08-15 17:30:051716 
TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:061007 TI推出全面集成型負(fù)載開關(guān)TPS22924C
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類
2009-12-18 09:29:501078 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 IR智能電源開關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)
2010-03-19 09:14:551514 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p
2012-06-20 16:57:37
95 Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開關(guān)，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內(nèi)工作，具有低至20m?的導(dǎo)通電阻、低靜態(tài)電流， 導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:582187 MTM非晶硅反熔絲導(dǎo)通電阻_馬金龍
2017-01-07 20:43:120 消除模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻影響電路增益的方法_張慶思
2017-01-19 21:54:151 不同于市場上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導(dǎo)通電阻集成電源開關(guān)，集合了頂級(jí)FETIP與系統(tǒng)級(jí)保護(hù)功能。
2017-09-19 17:34:597 接地導(dǎo)通電阻測試儀檢定規(guī)程
2017-10-09 09:15:180 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻
2018-10-13 11:03:01728 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:404976 ADG1411/ADG1412/ADG1413：1.5?導(dǎo)通電阻，±15 V/+12 V/±5 V，iCMOS，四路單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-04-29 11:02:404 ADG1636：1Ω典型導(dǎo)通電阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3V雙Ω開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-04-29 13:58:5213 ADG1611/1612/1613：1Ω典型導(dǎo)通電阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3V四路單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-20 12:11:175 相比，集成式負(fù)載開關(guān)的優(yōu)勢是什么？
?
如圖1所示，典型的分立式解決方案包括一個(gè)P通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、一個(gè)N通道MOSFET和一個(gè)上拉電阻器。雖然這對開關(guān)電源軌來說
2021-11-24 14:40:565617 
導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測量導(dǎo)通電阻的方法有測量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬用表測量法、接地?fù)u表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029359 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開關(guān)的導(dǎo)通電阻對傳遞函數(shù)的影響”。
2023-02-24 09:51:161606 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 在一般情況下，場效應(yīng)管（FET）的導(dǎo)通電阻越小越好，因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，F(xiàn)ET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。
2024-03-06 16:44:5018812 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有反向電流保護(hù)和受控接通功能的 5.5V、3A、13mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS2296xC數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:43:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V、5A、14mΩ 導(dǎo)通電阻汽車負(fù)載開關(guān)TPS2295x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:47:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:51:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有受控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22929D數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:18:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V、6A、導(dǎo)通電阻為 16mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22975數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:17:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、4A、27mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22968-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:16:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V，6A，16mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22965數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:09:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3.6V、3A、導(dǎo)通電阻為 9mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22925數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:28:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3.6V、2A、導(dǎo)通電阻為 18.3mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22924x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:26:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3.6-V，2-A，14-mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS2292x 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:25:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有受控接通功能的超低導(dǎo)通電阻 4A集成負(fù)載開關(guān)TPS22920L數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:22:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、2A、37mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS2291xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:50:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、2A、導(dǎo)通電阻為 52mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22918數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:47:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22912 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:46:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、2A、導(dǎo)通電阻為 52mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22918-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:42:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有受控開通功能的3.6V、500mA、78mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS2290x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:08:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3.6-V，1-A，44-mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22907數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:05:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有熱保護(hù)的 2.7V-18V、79mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22810數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:25:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有熱保護(hù)功能的TPS22810-Q1 2.7V-18V、79mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:12:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V、6A、14mΩ 導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)TPS22976數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:43:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可調(diào)上升時(shí)間的5.5V、10A、4mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22997數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-25 11:36:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有穩(wěn)壓浪涌電流的4.5V、1.5A、7.5mΩ導(dǎo)通電阻快速導(dǎo)通負(fù)載開關(guān)TPS22999數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-26 10:38:480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、10A、導(dǎo)通電阻為 4mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22998數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 15:30:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、4A、16mΩ 導(dǎo)通電阻汽車負(fù)載開關(guān)TPS22965x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 18:17:410 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、3A、19mΩ 導(dǎo)通電阻汽車類負(fù)載開關(guān)TPS22995H-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-01 16:18:150 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有受控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS2291xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-02 10:45:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可調(diào)上升時(shí)間的5.5V、3.8A、18mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22995數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-03 11:24:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、4A、14mΩ 導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)TPS22996數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-07 10:50:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、10A、導(dǎo)通電阻為 3.9mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22990數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-07 11:18:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V，6A，4.4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22969數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-07 11:17:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V，10A，4.4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22962數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-07 14:14:510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V，15A，4.4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22959數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-07 14:10:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V、5A、14mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS2295x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-07 14:06:060 近日，銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 TPS22995是一款單通道負(fù)載開關(guān)，集成了N-channel MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時(shí)間，用于限制啟動(dòng)時(shí)的涌入電流。該開關(guān)適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應(yīng)用。
2025-05-07 17:52:38666 
Texas Instruments TPS22999導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)是一款單通道負(fù)載開關(guān)，旨在實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通時(shí)間和較低的浪涌電流。該負(fù)載開關(guān)具有N溝道MOSFET，可在0.1V至V~BIAS~ -1V
2025-08-08 09:51:111000 
Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)支持可配置上升時(shí)間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負(fù)載開關(guān)包含一個(gè)可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
2025-09-02 14:57:49637 
圣邦微電子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值電流能力，具備可編程軟啟動(dòng)、電流監(jiān)測和輸出放電功能的低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)。該器件可應(yīng)用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設(shè)備、固態(tài)硬盤和手持設(shè)備。
2025-11-05 17:24:162153 
在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)
2025-12-16 11:01:13198 
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