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SN74CB3T16212 24 位 FET 總線交換器,具有 5V 容限電平轉(zhuǎn)換器的 2.5V/3.3V 低電壓總線開關(guān)

數(shù)據(jù):

描述

SN74CB3T16212是一款高速TTL兼容FET總線交換開關(guān),具有低導(dǎo)通電阻(r on ),允許最小的傳播延遲。該器件通過提供跟蹤V CC 的電壓轉(zhuǎn)換,完全支持所有數(shù)據(jù)I /O端口上的混合模式信號(hào)操作。 SN74CB3T16212支持采用5 V TTL,3.3 V LVTTL和2.5 V CMOS開關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng),以及用戶定義的開關(guān)電平(參見圖1)。

SN74CB3T16212采用24電路供電位總線開關(guān)或12位總線交換機(jī),提供四個(gè)信號(hào)端口之間的數(shù)據(jù)交換。選擇(S0,S1,S2)輸入控制總線交換開關(guān)的數(shù)據(jù)路徑。當(dāng)總線交換機(jī)開啟時(shí),A端口連接到B端口,允許端口之間的雙向數(shù)據(jù)流。當(dāng)總線交換開關(guān)關(guān)閉時(shí),A和B端口之間存在高阻抗?fàn)顟B(tài)。

該器件完全指定用于部分?jǐn)嚯姂?yīng)用,使用I off 。 I off 功能可確保損壞的電流在斷電時(shí)不會(huì)回流通過器件。器件在斷電期間具有隔離功能。

為了確保上電或斷電期間的高阻態(tài),每個(gè)選擇輸入應(yīng)通過下拉電阻連接到GND;電阻的最小值由驅(qū)動(dòng)器的電流源能力決定。

特性

  • 德州儀器廣播公司的成員?系列
  • 輸出電壓轉(zhuǎn)換軌跡V CC
  • 支持所有數(shù)據(jù)I /O端口上的混合模式信號(hào)操作
    • 5-V輸入低至3.3V輸出電平轉(zhuǎn)換,3.3VV CC
    • 5V /3.3V輸入低至2.5V輸出電平轉(zhuǎn)換,2.5VV CC
  • 器件上電或掉電時(shí)的5 V容差I(lǐng) /O
  • 雙向數(shù)據(jù)流,近 - 零傳播延遲
  • 低導(dǎo)通電阻(r on )特性(r on = 5 Typ)
  • 低輸入/輸出電容最小化加載(C io(OFF) = 9 pF Typ )
  • 數(shù)據(jù)和控制輸入提供下沖鉗位二極管
  • 低功耗(I CC =最大70μA)
  • V < sub> CC 工作范圍2.3 V至3.6 V
  • 數(shù)據(jù)I /O支持0至5V信號(hào)電平(0.8 V,1.2 V,1.5 V,1.8 V,2.5 V ,3.3 V,5 V)
  • 控制輸入Ca. n由TTL或5 V /3.3 V CMOS輸出驅(qū)動(dòng)
  • I off 支持部分省電模式操作
  • 閂鎖性能每JESD超過250 mA 17
  • 每個(gè)JESD測(cè)試的ESD性能22
    • 2000-V人體模型(A114-B,II類)
    • 1000-V充電設(shè)備型號(hào)(C101)
  • 支持?jǐn)?shù)字應(yīng)用:電平轉(zhuǎn)換,PCI接口,USB接口,存儲(chǔ)器交錯(cuò)和總線隔離
  • 適用于低功耗便攜式設(shè)備

Widebus是德州儀器公司的商標(biāo)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?模擬開關(guān)/多路復(fù)用器

?
Configuration
Number of Channels (#)
Power Supply Type
Vss (Min) (V)
Vss (Max) (V)
Vdd (Min) (V)
Vdd (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Bandwidth (MHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Supply Range (Max)
Ron (Max) (Ohms)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Supply Current (Max) (uA)
Features
OFF-state leakage current (Max) (μA)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
ESD Charged Device Model (kV)
ESD HBM (kV)
VIL (Max) (V)
VIH (Min) (V)
SN74CB3T16212
crosspoint/exchange ? ?
24 ? ?
Single ? ?
N/A ? ?
N/A ? ?
2.3 ? ?
3.6 ? ?
5 ? ?
100 ? ?
Catalog ? ?
-40 to 85 ? ?
56BGA MICROSTAR JUNIOR: 32 mm2: 4.5 x 7(BGA MICROSTAR JUNIOR)
56TSSOP: 113 mm2: 8.1 x 14(TSSOP)
56TVSOP: 72 mm2: 6.4 x 11.3(TVSOP) ? ?
BGA MICROSTAR JUNIOR
TSSOP
TVSOP ? ?
3.6 ? ?
9.5 ? ?
128 ? ?
20 ? ?
Powered off protection
Signal path Translation ? ?
10 ? ?
8 ? ?
9 ? ?
1 ? ?
2 ? ?
0.8 ? ?
1.7 ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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