--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品型號(hào):** SSM2302N-VB
**絲印:** VB1240
**品牌:** VBsemi
**參數(shù):**
- 封裝:SOT23
- 溝道類型:N—Channel
- 額定電壓:20V
- 額定電流:6A
- 導(dǎo)通電阻:RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 閾值電壓:Vth = 0.45~1V
**封裝:** SOT23

**產(chǎn)品說明:**
SSM2302N-VB是一款N-Channel型號(hào),采用SOT23封裝。其設(shè)計(jì)定位于在20V電壓下工作,具有6A的額定電流。在不同電壓下(VGS=4.5V, VGS=8V),其導(dǎo)通電阻RDS(ON)為24mΩ,閾值電壓Vth在0.45~1V范圍內(nèi)。
**應(yīng)用領(lǐng)域舉例:**
1. **電源模塊:** SSM2302N-VB適用于電源模塊,尤其是需要在20V以下工作的應(yīng)用場(chǎng)景。其低導(dǎo)通電阻和適中的閾值電壓使其成為電源管理模塊的理想選擇,能夠有效降低功耗。
2. **電動(dòng)工具:** 由于其6A的額定電流和較低的導(dǎo)通電阻,SSM2302N-VB可用于電動(dòng)工具控制電路,提供可靠的功率開關(guān)性能。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,這款器件可用于控制小型電機(jī),提供高效的電流調(diào)節(jié)和保護(hù)功能。
4. **照明控制:** SSM2302N-VB適用于LED照明控制模塊,其低導(dǎo)通電阻有助于減小照明系統(tǒng)的功耗,并提供穩(wěn)定的電流輸出。
**總結(jié):** SSM2302N-VB是一款多功能N-Channel溝道MOSFET,適用于多種領(lǐng)域,包括電源模塊、電動(dòng)工具、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和照明控制等。其性能參數(shù)使其成為設(shè)計(jì)中低功耗、高效能的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛