--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個(gè)N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
AM3865L-T1-PF-VB是VBsemi品牌的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有2個(gè)N+P—Channel溝道。它支持雙向電流傳輸,能夠承受正負(fù)20V的電壓,其中N溝道最大電流為7A,P溝道最大電流為-4.5A。關(guān)鍵參數(shù)包括RDS(ON)=20mΩ(N溝道)/ 70mΩ(P溝道)@VGS=4.5V,VGS=20V,以及閾值電壓Vth分別為0.71V(N溝道)/ -0.81V(P溝道)。該晶體管采用SOT23-6封裝,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)合。
詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- 品牌: VBsemi
- 型號(hào): AM3865L-T1-PF-VB
- 絲印: VB5222
- 溝道類型: 2個(gè)N+P—Channel
- 電壓范圍: ±20V
- 最大電流: 7A(N溝道)/ -4.5A(P溝道)
- RDS(ON): 20mΩ(N溝道)/ 70mΩ(P溝道) @ VGS=4.5V
- 閾值電壓(Vth): 0.71V(N溝道)/ -0.81V(P溝道)
- 封裝: SOT23-6

應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:
1. 電源開關(guān)模塊:由于AM3865L-T1-PF-VB支持雙向電流傳輸,可用于電源開關(guān)模塊,包括電源逆變器、電源管理單元和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2. 電池管理系統(tǒng):適用于電池管理系統(tǒng)中的充電和放電控制,如電池充電器、電池保護(hù)模塊和電池管理單元。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:可用于雙電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,如機(jī)器人、電動(dòng)車輛和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,以實(shí)現(xiàn)雙向電流控制。
4. 電源保護(hù)模塊:在各種電路中,可用于過(guò)壓、過(guò)流和反向電壓保護(hù)模塊,確保電路的安全運(yùn)行。
5. 混合信號(hào)集成電路:可用于混合信號(hào)集成電路中的電源管理和信號(hào)處理,以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的電路控制和數(shù)據(jù)處理功能。
通過(guò)以上示例,可以看出AM3865L-T1-PF-VB適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,包括但不限于電源開關(guān)、電池管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源保護(hù)和混合信號(hào)集成電路。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛