--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個(gè)N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介:**
ELM16601EA-N-VB 是 VBsemi 品牌的一款雙通道 MOSFET,包含兩個(gè) N 溝道和兩個(gè) P 溝道 MOSFET,適用于雙極性應(yīng)用場(chǎng)景。該器件具有寬廣的工作電壓范圍,可達(dá)到 ±20V,適用于各種中低功率應(yīng)用。采用 SOT23-6 封裝,具有小型化、低成本的特點(diǎn),適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
1. 工作電壓(VDS):±20V
2. 典型電流(ID):7A(N 溝道)/ -4.5A(P 溝道)
3. 開通電阻(RDS(ON)):20mΩ(N 溝道 @ VGS=4.5V)/ 70mΩ(P 溝道 @ VGS=4.5V)
4. 閾值電壓(Vth):0.71V(N 溝道)/ -0.81V(P 溝道)
5. 封裝:SOT23-6

**產(chǎn)品適用領(lǐng)域和模塊舉例:**
1. **電源管理模塊:** ELM16601EA-N-VB 適用于雙極性電源管理模塊,如便攜式電子設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)和通信設(shè)備中的電源管理模塊。
2. **信號(hào)開關(guān):** 在需要控制雙極性信號(hào)的開關(guān)電路中,該器件可以作為信號(hào)開關(guān),實(shí)現(xiàn)雙極性信號(hào)的控制和處理。
3. **電流檢測(cè):** 該器件可以用于電流檢測(cè)電路,實(shí)現(xiàn)對(duì)雙極性電流的檢測(cè)和控制,如電池充放電管理系統(tǒng)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的電流檢測(cè)。
4. **自動(dòng)控制系統(tǒng):** 在需要雙極性信號(hào)控制的自動(dòng)控制系統(tǒng)中,ELM16601EA-N-VB 可以作為開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)的自動(dòng)控制和調(diào)節(jié)功能。
綜上所述,ELM16601EA-N-VB 適用于各種雙極性應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于電源管理、信號(hào)開關(guān)、電流檢測(cè)和自動(dòng)控制系統(tǒng)等領(lǐng)域和模塊。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛