--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 2個N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
ELM16603EA-S-VB是VBsemi品牌的雙通道功率MOSFET,包括N-Channel和P-Channel溝道,采用SOT23-6封裝。具有±20V的電壓極限、7A(正通道)和4.5A(負通道)的電流極限,以及低導(dǎo)通電阻,適用于各種需要高性能功率開關(guān)的電子應(yīng)用場合。
### 詳細參數(shù)說明
- **電壓極限**:±20V
- **正通道電流極限**:7A
- **負通道電流極限**:4.5A
- **正通道導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)=20mΩ @ VGS=4.5V
- **負通道導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)=70mΩ @ VGS=4.5V
- **門源極電壓**:VGS=20V
- **門懸掛電壓**:N-Channel: Vth=0.71V,P-Channel: Vth=-0.81V

### 適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理模塊**:由于ELM16603EA-S-VB包含N-Channel和P-Channel溝道,適用于各種電源管理模塊,包括開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池充放電管理。例如,在服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和工業(yè)自動化設(shè)備中,提供高效的電源管理解決方案。
2. **電機控制器**:雙通道設(shè)計使得該器件可用于電機控制器中的功率開關(guān)部分。例如,在電動汽車、工業(yè)機械和機器人中,用于控制電機的啟停和速度調(diào)節(jié)。
3. **LED照明控制**:LED照明系統(tǒng)需要高效的功率開關(guān)器件來實現(xiàn)LED燈具的驅(qū)動和調(diào)光功能。ELM16603EA-S-VB可用于LED驅(qū)動器和照明控制模塊,確保LED燈具的穩(wěn)定工作和優(yōu)質(zhì)照明效果,例如在室內(nèi)照明、汽車照明和舞臺照明中的應(yīng)用。
4. **電池管理系統(tǒng)**:雙通道設(shè)計也使得該器件適用于電池管理系統(tǒng)中的充放電保護模塊。例如在電動車輛、無人機等應(yīng)用中,確保電池的安全運行和充放電控制。
以上是ELM16603EA-S-VB在不同領(lǐng)域和模塊中的典型應(yīng)用示例,其高性能和可靠性使其成為各種電子系統(tǒng)中的重要組成部分,為系統(tǒng)的高效運行提供了可靠的支持。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12