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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTGD4167CT1G-VB一種2個N+P—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號: NTGD4167CT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**NTGD4167CT1G-VB**是VBsemi品牌的雙通道(N+P)場效應管。絲印標識為VB5222,封裝為SOT23-6。該器件具有以下主要參數(shù):

- **漏極-源極電壓(VDS):** ±20V
- **漏極電流(ID):** 7A(N-Channel) / -4.5A(P-Channel)
- **導通電阻(RDS(ON)):** 20mΩ @ VGS=4.5V(N-Channel) / 70mΩ @ VGS=4.5V(P-Channel)
- **閾值電壓(Vth):** 0.71V(N-Channel) / -0.81V(P-Channel)

**產(chǎn)品簡介:**

NTGD4167CT1G-VB是一款高性能的雙通道場效應管,具有N溝道和P溝道兩種型號。它適用于需要同時控制正負電壓的電路設計,提供了靈活性和效率。

**詳細參數(shù)說明:**

- **型號:** NTGD4167CT1G-VB
- **品牌:** VBsemi
- **器件類型:** 雙通道(N+P)場效應管
- **絲?。?* VB5222
- **封裝:** SOT23-6
- **N-Channel參數(shù):**
 - **漏極-源極電壓(VDS):** ±20V
 - **漏極電流(ID):** 7A
 - **導通電阻(RDS(ON)):** 20mΩ @ VGS=4.5V
 - **閾值電壓(Vth):** 0.71V
- **P-Channel參數(shù):**
 - **漏極-源極電壓(VDS):** ±20V
 - **漏極電流(ID):** -4.5A
 - **導通電阻(RDS(ON)):** 70mΩ @ VGS=4.5V
 - **閾值電壓(Vth):** -0.81V

**適用領域和模塊舉例:**

1. **電源管理:** NTGD4167CT1G-VB可用于電源管理模塊中的功率開關和電流調(diào)節(jié)器,靈活地控制正負電壓。例如,用于電池充放電管理系統(tǒng)中的電流保護和電源開關。

2. **電路保護:** 在電路保護領域,該器件可以應用于過壓、欠壓保護電路中,保護各種類型的負載。例如,用于電路開關和斷路器中的電流和電壓保護功能。

3. **信號開關:** NTGD4167CT1G-VB可用于高頻信號開關模塊中,控制信號通路的開關。例如,在無線通信系統(tǒng)中的射頻開關電路和天線切換器中。

4. **傳感器接口:** 在傳感器接口電路中,該器件可用于控制傳感器信號的放大和反向保護。例如,在溫度傳感器和壓力傳感器接口電路中,以確保傳感器信號的準確性和穩(wěn)定性。

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