--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
以下是QM2402V-VB型號的產(chǎn)品簡介和詳細(xì)參數(shù)說明:
### 產(chǎn)品簡介:
QM2402V-VB是VBsemi生產(chǎn)的N—Channel溝道功率場效應(yīng)晶體管,具有以下特點:
- 負(fù)載工作電壓:30V
- 最大漏極電流:6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻:30mΩ @ VGS=10V
- 靜態(tài)漏極-源極電阻:30mΩ @ VGS=20V
- 門極閾值電壓:1.2V
- 封裝:SOT23-6

### 參數(shù)說明:
- **負(fù)載工作電壓 (VDS)**: 30V,指定了晶體管在負(fù)載工作時的最大電壓。
- **最大漏極電流 (ID)**: 6A,表示晶體管能夠承受的最大漏極電流。
- **靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON))**: 在不同的門極電壓下,靜態(tài)漏極-源極電阻都為30mΩ。這個參數(shù)表示了晶體管導(dǎo)通時的導(dǎo)通電阻。
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 1.2V,是晶體管開始導(dǎo)通的門極電壓閾值。
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **便攜式電子產(chǎn)品**:QM2402V-VB的小封裝和高性能特點使其非常適合用于便攜式電子產(chǎn)品中,如智能手機(jī)、平板電腦等的功率管理模塊。
2. **電源開關(guān)**:可用于各種電源開關(guān)電路,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)穩(wěn)壓器等,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出電壓。
3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,QM2402V-VB可用于控制汽車的電動馬達(dá)、電池管理系統(tǒng)等,提供高效的功率輸出和節(jié)能性能。
QM2402V-VB的特性使其在上述領(lǐng)域和模塊中都能發(fā)揮重要作用,提供高效、穩(wěn)定的功率控制和管理功能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12