--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**VBsemi N-Channel MOSFET STT3434-VB**
- **絲?。?* VB7322
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
- N-Channel溝道
- 額定電壓:30V
- 額定電流:6A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓(Vth):1.2V
- **封裝:** SOT23-6

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
STT3434-VB是一款N-Channel溝道的MOSFET器件,由VBsemi生產(chǎn)。它具有低導(dǎo)通電阻和低閾值電壓的特性,適用于各種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
1. **額定電壓(VDS):** 該器件的額定電壓為30V,使其適用于低至中等電壓的應(yīng)用,如電源開(kāi)關(guān)和電流控制器。
2. **額定電流(ID):** STT3434-VB具有6A的額定電流,提供了足夠的電流承載能力,適用于各種電流要求較高的場(chǎng)合。
3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在VGS=10V時(shí),該器件的導(dǎo)通電阻為30mΩ,表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗和提高效率。
4. **閾值電壓(Vth):** N-Channel溝道的閾值電壓為1.2V,確保了準(zhǔn)確的驅(qū)動(dòng)和控制。
**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**
1. **電源開(kāi)關(guān):** 可用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器等領(lǐng)域中的功率開(kāi)關(guān)控制。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)控制器,如電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛和家用電器中的電機(jī)控制。
3. **照明應(yīng)用:** 可用于LED驅(qū)動(dòng)和照明控制,如LED燈具、汽車前照燈和背光模塊中的LED驅(qū)動(dòng)。
4. **電池管理:** 用于充電管理、電池保護(hù)和電池供電系統(tǒng)中的電源管理和電流控制。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛