### 11N90G-TA3-T-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

VBsemi的11N90G-TA3-T-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO220封裝技術(shù)。這種MOSFET在900V的漏源電壓（VDS）和30V（±V）的柵源電壓（VGS）下工作。其開態(tài)電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為950mΩ。該器件的額定電流（ID）為7A，采用了SJ_Multi-EPI技術(shù)，具有高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻的特點，適用于高壓、高功率的應(yīng)用場景。

### 11N90G-TA3-T-VB MOSFET 參數(shù)說明

- **型號：** 11N90G-TA3-T-VB
- **封裝：** TO220
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 900V
- **柵源電壓（VGS）：** 30（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **開態(tài)電阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 950mΩ
- **額定電流（ID）：** 7A
- **技術(shù)：** SJ_Multi-EPI

### 11N90G-TA3-T-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源逆變器：**
  11N90G-TA3-T-VB MOSFET適用于太陽能逆變器和電網(wǎng)逆變器中的高壓開關(guān)。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其能夠在逆變器中穩(wěn)定地轉(zhuǎn)換直流電為交流電，提供可靠的電源輸出。

2. **工業(yè)高壓電源：**
  在工業(yè)設(shè)備中，特別是需要高壓電源的設(shè)備中，11N90G-TA3-T-VB MOSFET可用于控制高壓電源的開關(guān)。其高漏源電壓和高可靠性使其成為工業(yè)設(shè)備中的理想選擇。

3. **醫(yī)療設(shè)備：**
  在一些需要高壓開關(guān)的醫(yī)療設(shè)備中，如X射線機和核磁共振設(shè)備，11N90G-TA3-T-VB MOSFET可用于控制電源的開關(guān)。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻確保了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **電動車輛充電樁：**
  在電動車輛充電樁中，11N90G-TA3-T-VB MOSFET可用于控制充電樁的直流-直流變換器。其高額定電流和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地轉(zhuǎn)換電能，提供快速充電服務(wù)。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的實例，11N90G-TA3-T-VB MOSFET展示了其在高壓、高功率需求場景中的適用性，成為各類電子系統(tǒng)中不可或缺的核心組件。