--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
2N80K5-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220封裝,由VBsemi提供。該器件具有850V的漏極-源極電壓,適用于中功率應用。采用了Plannar技術,提供了可靠的性能和穩(wěn)定性。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:850V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **柵閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:2700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:4A
- **技術**:Plannar

### 應用領域和模塊
2N80K5-VB MOSFET 在多個領域和模塊中具有廣泛的應用,以下是一些典型的應用示例:
1. **電源管理**:
由于其高漏極-源極電壓,該器件適用于電源管理應用,如開關電源、逆變器等。
2. **照明控制**:
在照明系統(tǒng)中,2N80K5-VB 可以用作照明控制電路中的開關器件,幫助實現對燈光的控制和調節(jié)。
3. **工業(yè)自動化**:
在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,該MOSFET 可以用于驅動電路中的開關器件,實現對各種設備和機械的控制。
4. **電動汽車充電**:
2N80K5-VB 可以用作電動汽車充電樁中的開關器件,幫助實現對電動汽車充電的控制和管理。
5. **醫(yī)療設備**:
該器件適用于醫(yī)療設備中的電源管理和控制電路,保證設備的穩(wěn)定性和可靠性。
以上應用示例展示了2N80K5-VB 的廣泛應用領域和多功能性,使其成為各種電子系統(tǒng)中的理想選擇。
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