91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK1087-VB一種N-Channel溝道TO220F封裝MOS管

型號: 2SK1087-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 2SK1087-VB MOSFET 產品概述

**簡介:**
2SK1087-VB是VBsemi設計的N-Channel MOSFET,適用于需要高壓、低導通電阻和高電流承載能力的各種應用。采用Trench技術,具有穩(wěn)定的性能和可靠性,是對性能和可靠性要求高的應用的理想選擇。

**特點:**
- **漏極-源極電壓(VDS):** 100V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.8V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 86mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** 18A
- **技術:** Trench
- **封裝:** TO220F
- **配置:** 單N-Channel

### 詳細規(guī)格

1. **電氣特性:**
  - **最大漏極-源極電壓(VDS):** 100V
  - **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
  - **閾值電壓(Vth):** 1.8V
  - **導通電阻(RDS(ON)):** 86mΩ @ VGS = 10V
  - **連續(xù)漏極電流(ID):** 18A

2. **熱性能和機械特性:**
  - **封裝類型:** TO220F
  - **結-外界熱阻:** 標準TO220F封裝的熱阻
  - **最大結溫(Tj):** 由制造商指定

3. **性能特點:**
  - **技術:** Trench
  - **柵極電荷(Qg):** 基于VGS和ID的典型值
  - **輸入電容(Ciss):** 高頻操作的典型值

### 應用示例

1. **電源逆變器:**
  2SK1087-VB可用于電源逆變器中,將直流電轉換為交流電。其高漏極-源極電壓和穩(wěn)定性能確保了在家庭和工業(yè)應用中的可靠運行。

2. **電動汽車充電樁:**
  由于2SK1087-VB具有高電壓承載能力和穩(wěn)定性能,因此可用于電動汽車充電樁中的電源管理和驅動器,確保充電過程的安全和高效。

3. **工業(yè)電源系統(tǒng):**
  2SK1087-VB可用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的電源管理和驅動器。其高電流承載能力和低導通電阻使其成為工業(yè)環(huán)境中的理想選擇,確保設備的穩(wěn)定運行。

4. **太陽能逆變器:**
  由于2SK1087-VB具有高電流承載能力和低導通電阻,因此可用于太陽能逆變器中,確保太陽能電池板向電網輸送電能時的高效率和穩(wěn)定性。

總之,VBsemi的2SK1087-VB MOSFET是一款多功能且高性能的組件,適用于廣泛的應用,包括電源逆變器、電動汽車充電樁、工業(yè)電源系統(tǒng)和太陽能逆變器。其穩(wěn)定的性能和高可靠性使其成為苛刻環(huán)境下的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    554瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    473瀏覽量