--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-3封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SK2158A-T2B-AT-VB 型號的產(chǎn)品簡介
2SK2158A-T2B-AT-VB 是一款單通道N型功率MOSFET,采用溝槽技術(shù),具有低電壓、低功率的特點。其封裝形式為SOT23-3,適合在低功率應(yīng)用中進(jìn)行功率控制和開關(guān)應(yīng)用。
### 二、2SK2158A-T2B-AT-VB 型號的詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式(Package):** SOT23-3
- **配置(Configuration):** 單N型通道(Single N-Channel)
- **漏源電壓(VDS):** 60V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 0.3A
- **技術(shù)(Technology):** 溝槽(Trench)

### 三、適用領(lǐng)域和模塊示例
2SK2158A-T2B-AT-VB 功率MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **低功率開關(guān)電路:** 由于其低功率特性,該MOSFET適用于各種低功率開關(guān)電路,如小型電子設(shè)備中的電源管理、信號處理等。
2. **電源管理:** 在便攜式設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中,2SK2158A-T2B-AT-VB 可用于電源管理模塊,提供有效的功率控制和管理。
3. **LED驅(qū)動器:** 該器件適用于LED照明產(chǎn)品中的驅(qū)動器模塊,實現(xiàn)對LED的高效能控制和調(diào)節(jié)。
4. **手機(jī)和平板電腦:** 2SK2158A-T2B-AT-VB 可用于手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備中的功率控制模塊,提供穩(wěn)定的電源輸出。
5. **電池管理:** 在需要對電池進(jìn)行充放電管理的應(yīng)用中,該MOSFET可用于控制電池的充放電過程,確保電池的安全和穩(wěn)定性。
綜上所述,2SK2158A-T2B-AT-VB 具有低功率、低電壓的特點,適用于各種低功率應(yīng)用領(lǐng)域,特別是便攜式設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中的功率控制和開關(guān)應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12