91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SK2247-VB一款N-Channel溝道SOT89的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 2SK2247-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT89封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

2SK2247-VB是一款由VBsemi生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用SOT89封裝。這款MOSFET設計用于低壓應用,具備30V的漏源電壓和6.8A的連續(xù)漏極電流能力,適合在低壓和中等電流條件下運行。其柵極電壓最大值為±20V,并且具備30mΩ的RDS(ON)(在VGS=2.5V時)和22mΩ的RDS(ON)(在VGS=4.5V時)。這款器件基于溝道技術制造,確保其在低壓環(huán)境下的可靠性和性能。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOT89
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:30mΩ(在VGS=2.5V時),22mΩ(在VGS=4.5V時)
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:6.8A
- **技術**:溝道技術

### 應用領域和模塊

2SK2247-VB MOSFET在多個領域中具有廣泛的應用,以下是一些典型的應用場景:

1. **電源管理**:這款MOSFET適用于低壓開關電源、逆變器和DC-DC轉換器等電源管理模塊。由于其低漏源電壓和低導通電阻,在中等功率的應用中表現(xiàn)良好。MOSFET可用作開關元件,幫助調(diào)節(jié)電壓和電流,提高電源效率和穩(wěn)定性。

2. **便攜式設備**:在便攜式電子設備中,2SK2247-VB MOSFET可以用于電池管理、功率管理和信號調(diào)節(jié)等功能。其小封裝和低功耗特性使其成為便攜式設備中的理想選擇。

3. **LED驅(qū)動**:在LED照明產(chǎn)品中,這款MOSFET可用于驅(qū)動LED,控制LED的亮度和燈光效果。其低導通電阻可以幫助提高LED照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,2SK2247-VB MOSFET可以用于控制汽車燈光、電動窗戶和座椅等部件的電流和電壓。其小封裝和低功耗特性使其適用于汽車電子系統(tǒng)中的各種應用。

5. **工業(yè)控制**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于開關和調(diào)節(jié)低壓和中等功率設備,確保設備的穩(wěn)定性和可靠性。

通過這些應用實例,可以看出2SK2247-VB MOSFET在低壓和中等功率應用中具有重要的應用前景,能夠滿足各種便攜式設備和低功耗設備的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    565瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    481瀏覽量