--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
2SK2637-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝。它具有優(yōu)秀的開關(guān)性能和導(dǎo)通特性,適用于中等功率的電子應(yīng)用。該器件具有30V的漏極-源極電壓(VDS),最大漏極電流(ID)為13A,柵極-源極電壓(VGS)為20V(±),門限電壓(Vth)為1.7V。其導(dǎo)通電阻在不同柵極-源極電壓下分別為11mΩ(@VGS=4.5V)和8mΩ(@VGS=10V)。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 2SK2637-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **門限電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 11mΩ @ VGS=4.5V, 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
2SK2637-VB MOSFET 適用于多種需要中等功率的電子應(yīng)用,例如:
1. **電源管理**:用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等電源管理應(yīng)用中,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的性能。
2. **電機(jī)驅(qū)動**:適用于直流電機(jī)驅(qū)動器、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器等需要控制電機(jī)的應(yīng)用中,具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的導(dǎo)通特性。
3. **照明應(yīng)用**:可用于LED驅(qū)動器等照明應(yīng)用中,能夠提供可靠的功率開關(guān)和調(diào)光功能。
4. **汽車電子**:適用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理、馬達(dá)驅(qū)動等模塊,具有耐壓能力和穩(wěn)定性。
通過這些應(yīng)用示例,可以看出2SK2637-VB MOSFET 在需要中等功率和穩(wěn)定性能的電子應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它