--- 產品參數 ---
- 封裝 TO3P封裝
- 溝道 Single-N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號:2SK2968-VB**
**封裝:TO3P**
**配置:單N溝道**
**技術:SJ_Multi-EPI**
2SK2968-VB 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO3P封裝,適用于高壓高電流應用。其900V的漏源電壓(VDS)和9A的漏極電流(ID)使其在需要高壓和中等電流輸出的電路中表現出色。750mΩ的導通電阻(RDS(ON))@ VGS=10V確保了低功耗和高效率。
### 詳細參數說明
- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI
- **封裝類型**: TO3P
- **配置**: 單N溝道

### 應用領域和模塊示例
2SK2968-VB 的高性能特性使其適用于多種應用領域:
1. **電源管理系統**: 該MOSFET可用于高壓開關電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)系統中,幫助實現高效能和可靠性。
2. **電機驅動器**: 在需要高壓和中等電流輸出的電機控制器和驅動模塊中,該MOSFET可以提供穩(wěn)定的電流輸出。
3. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)自動化和機器人控制系統中,2SK2968-VB 可用于電源管理和驅動電路,確保設備的高效運行。
4. **電源轉換器**: 由于其高壓和中等電流特性,該MOSFET可用于DC-DC轉換器和AC-DC變換器中,提供高效的電能轉換。
5. **醫(yī)療設備**: 在需要高電壓輸出的醫(yī)療設備中,如X射線發(fā)生器和醫(yī)療圖像設備,該MOSFET可以用于電源和驅動電路。
2SK2968-VB 的優(yōu)異電氣特性和可靠性設計使其成為高壓高電流應用中的理想選擇,能夠滿足各種領域對高性能MOSFET的要求。
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