### 產品簡介
**型號：2SK2988-VB**
**封裝：SC70-3**
**配置：單P溝道**
**技術：溝道技術**
2SK2988-VB 是一款高性能P溝道MOSFET，采用SC70-3封裝，適用于低壓低功率應用。其-60V的漏源電壓（VDS）和-0.135A的漏極電流（ID）使其在需要低壓低功率輸出的電路中表現出色。5000mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@ VGS=4.5V和4000mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@ VGS=10V確保了低功耗和高效率。
### 詳細參數說明
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5000mΩ @ VGS=4.5V
- 4000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -0.135A
- **技術類型**: 溝道技術
- **封裝類型**: SC70-3
- **配置**: 單P溝道
### 應用領域和模塊示例
2SK2988-VB 的特性使其適用于低壓低功率應用：
1. **移動設備**: 由于其小封裝和低功耗特性，該MOSFET可用于智能手機、平板電腦等移動設備中的電源管理和信號開關。
2. **傳感器接口**: 在需要驅動低功率傳感器的應用中，2SK2988-VB 可用于信號放大和開關控制電路。
3. **醫(yī)療設備**: 在醫(yī)療設備中，如便攜式監(jiān)護儀器和醫(yī)療傳感器，該MOSFET可以用于低功率電路的控制和驅動。
4. **便攜式電子設備**: 例如手持游戲機、便攜式音樂播放器等，這些設備通常需要高效的電源管理和信號控制電路。
2SK2988-VB 的小封裝和低功耗特性使其成為低壓低功率應用中的理想選擇，能夠滿足各種領域對高性能MOSFET的要求。
