--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 Single-N溝道
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SK3149-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
2SK3149-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該MOSFET具有100V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS),適用于中壓應(yīng)用環(huán)境。其閾值電壓(Vth)為1.8V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為38mΩ @ VGS=4.5V 和 36mΩ @ VGS=10V,漏極電流(ID)為55A。采用Trench技術(shù),2SK3149-VB 在多種應(yīng)用中展現(xiàn)出高可靠性和穩(wěn)定性,特別適用于需要中等電壓和電流的場(chǎng)合。
### 二、2SK3149-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝形式**:TO220
- **極性**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:38mΩ @ VGS=4.5V 和 36mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:55A
- **技術(shù)**:Trench
- **其他參數(shù)**:
- 柵極電荷(Qg):待定
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):待定
- 電感負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)間(tsw):待定
- 封裝尺寸:待定
- 工作溫度范圍:待定

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例
2SK3149-VB MOSFET 由于其中等電壓和較高電流能力,適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:在電源轉(zhuǎn)換器中,2SK3149-VB 可以用作開(kāi)關(guān)元件,控制電源的輸出和穩(wěn)定性,適用于中等功率的電源系統(tǒng)。
2. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具中,例如電動(dòng)鉆、電動(dòng)鋸等,2SK3149-VB 可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)元件,提供穩(wěn)定的電源輸出,確保工具的正常運(yùn)行。
3. **電動(dòng)車(chē)輛**:在一些中等功率的電動(dòng)車(chē)輛中,2SK3149-VB 可以用作電動(dòng)系統(tǒng)的控制開(kāi)關(guān),控制電動(dòng)機(jī)的啟停和速度,提高車(chē)輛的性能和效率。
總的來(lái)說(shuō),2SK3149-VB 是一款適用于中等電壓和電流場(chǎng)合的N溝道MOSFET,具有高可靠性和穩(wěn)定性,能夠滿足各種電子設(shè)備對(duì)中等功率開(kāi)關(guān)和控制的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛