--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
2SK3567_06-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。具有650V的漏源電壓和4A的漏極電流,適用于需要高電壓和中低功率處理能力的電子設備中。
### 詳細參數說明
- **型號:** 2SK3567_06-VB
- **封裝:** TO220F
- **配置:** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS):** 650V
- **柵源電壓 (VGS):** ±30V
- **柵閾值電壓 (Vth):** 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 2560mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID):** 4A
- **技術:** 平面技術

### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理:**
- 2SK3567_06-VB適用于中低功率電源管理模塊,如LED驅動器和小型逆變器,提供可靠的電源轉換和穩(wěn)定的電源供應。
2. **電動汽車充電樁:**
- 在電動汽車充電樁中,該MOSFET可用于電源管理和電池充電控制模塊,確保高效能和安全的充電過程。
3. **工業(yè)控制系統:**
- 在工業(yè)控制系統中,2SK3567_06-VB可以用于電機控制器和小型逆變器模塊,提供穩(wěn)定的電源供應和高效的能量轉換。
4. **電源逆變器:**
- 在電源逆變器中,該器件可用于小功率逆變器和轉換器模塊,實現直流到交流的高效轉換。
5. **照明控制:**
- 2SK3567_06-VB適用于照明驅動器和照明控制模塊,提供穩(wěn)定的電流輸出和高效的能源管理。
2SK3567_06-VB以其中低功率處理能力和穩(wěn)定性,在多個領域的中低功率應用中得到廣泛應用,為現代電子設備的高性能和高可靠性提供了重要支持。
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