--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
467B-VB是VBsemi公司推出的一款高性能單P溝道MOSFET,采用TSSOP8封裝。它具有優(yōu)異的電氣特性和穩(wěn)定性,適用于低壓功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**:TSSOP8
- **配置**:單P溝道(Single-P-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:-30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- VGS=4.5V時(shí):20mΩ
- VGS=10V時(shí):16mΩ
- **漏極電流(ID)**:-9A
- **技術(shù)類型**:溝槽(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
467B-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理**:
- 在低壓電源管理系統(tǒng)中,如便攜式設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品,467B-VB可用于電池保護(hù)和低壓開關(guān)電源,以提供高效的能源管理和電池壽命延長。
2. **低功耗應(yīng)用**:
- 在需要低導(dǎo)通電阻和低功耗操作的應(yīng)用中,467B-VB能夠提供優(yōu)秀的開關(guān)性能,適用于各種便攜式設(shè)備、傳感器和無線通信模塊。
3. **汽車電子**:
- 在汽車電子系統(tǒng)中,如車載充電器、電動汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)和內(nèi)部控制電路,467B-VB可用于低壓開關(guān)和電源管理,確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定性。
4. **工業(yè)控制**:
- 在工業(yè)控制和自動化設(shè)備中,467B-VB可用于邏輯級開關(guān)和控制電路,支持設(shè)備的高速開關(guān)和精確控制要求。
5. **便攜式醫(yī)療設(shè)備**:
- 在便攜式醫(yī)療設(shè)備和健康監(jiān)測器材中,467B-VB的小尺寸和低功耗特性使其成為電源管理和傳感器接口電路的理想選擇,保證設(shè)備的可靠性和長期使用。
通過采用467B-VB MOSFET,設(shè)計(jì)工程師能夠?qū)崿F(xiàn)高效、緊湊的電子電路設(shè)計(jì),滿足各種低功耗和便攜式設(shè)備的應(yīng)用需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛