--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO247
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
47N60C2-VB 是一款單N-通道MOSFET,采用TO247封裝。它具有高達(dá)650V的漏源電壓(VDS),30V的柵源電壓(VGS)(±),以及3.5V的閾值電壓(Vth)。該器件采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電壓承受能力,在VGS為10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為75mΩ。最大漏電流(ID)達(dá)到47A,適用于要求高電壓和高功率的應(yīng)用場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO247
- **配置**:單N-通道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:30V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:75mΩ @ VGS=10V
- **漏電流(ID)**:47A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
47N60C2-VB MOSFET適用于多種高電壓和高功率的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,具體包括但不限于:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
- 在高功率的開關(guān)電源和逆變器中,47N60C2-VB可以用作關(guān)鍵的開關(guān)元件,支持高效能的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出電壓。
- 在電力電子變流器中,用于高壓直流(HVDC)傳輸系統(tǒng)和電網(wǎng)連接,確保能量的高效傳輸和分配。
2. **工業(yè)自動(dòng)化**:
- 在工業(yè)電氣設(shè)備中,如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電力控制系統(tǒng),能夠提供高效的電流控制和電壓穩(wěn)定性,支持設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行和安全操作。
- 在自動(dòng)化制造系統(tǒng)中,用于高速開關(guān)和精確的電氣控制,確保設(shè)備的高效生產(chǎn)和制造過程的穩(wěn)定性。
3. **電動(dòng)車輛**:
- 在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力車輛中,47N60C2-VB用作電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器件,能夠承受高電壓和大電流,提供強(qiáng)大的動(dòng)力輸出和長途駕駛的可靠性保障。
- 在電動(dòng)公交車和軌道交通系統(tǒng)中,支持牽引系統(tǒng)和輔助設(shè)備的高效能運(yùn)行,提升交通運(yùn)輸?shù)墓?jié)能和環(huán)保效益。
4. **再生能源**:
- 在太陽能和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器和功率調(diào)節(jié)器中,47N60C2-VB可以有效地管理高壓直流輸入,并將其轉(zhuǎn)換為交流電,以供電網(wǎng)使用或儲能系統(tǒng)存儲。
通過以上示例,可以看出47N60C2-VB在電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)車輛和再生能源應(yīng)用等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景和重要的市場價(jià)值。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛