--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
4N80L-TN3-R-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,具有高電壓承受能力和穩(wěn)定的性能特征,適用于需要高壓和低功耗的應(yīng)用場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 4N80L-TN3-R-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2600mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源逆變器**:
4N80L-TN3-R-VB 可以用于電源逆變器中,特別是需要處理中等功率和高電壓的場合。它適合用于太陽能逆變器、電動車充電樁和UPS(不間斷電源系統(tǒng)),能夠提供穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換和高效能的能量管理。
2. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,特別是需要控制和管理高壓設(shè)備的電源和信號處理,這款 MOSFET 可以提供可靠的開關(guān)功能。它適合用于工廠自動化、機(jī)器人技術(shù)和電力電子變流器,支持復(fù)雜的電力管理和控制需求。
3. **電動車輛**:
在電動車輛的電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)中,4N80L-TN3-R-VB 可以用作關(guān)鍵的電源開關(guān)。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻能夠確保系統(tǒng)的高效率和長期可靠性,滿足汽車電子系統(tǒng)對功率密度和性能的要求。
4. **LED 照明控制**:
由于其低功耗和高效能特性,這款 MOSFET 也適用于 LED 照明控制系統(tǒng)。它可以用于商業(yè)和工業(yè)照明應(yīng)用中,支持 LED 驅(qū)動器的功率管理和調(diào)光功能,提升照明系統(tǒng)的能效和可靠性。
5. **電源適配器**:
在各種電子設(shè)備的電源適配器和充電器中,4N80L-TN3-R-VB 可以作為開關(guān)電源的關(guān)鍵組件。其高電壓容忍能力和穩(wěn)定的開關(guān)特性確保設(shè)備在不同輸入電壓和負(fù)載條件下的可靠運(yùn)行。
通過以上示例,展示了 4N80L-TN3-R-VB MOSFET 的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域和其在不同模塊中的關(guān)鍵作用,體現(xiàn)了其高壓承受能力和多功能性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它