91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

4P03L11-VB TO263一款Single-P溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 4P03L11-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 4P03L11-VB TO263 MOSFET 產(chǎn)品簡介

4P03L11-VB 是一款單P溝道MOSFET,采用TO263封裝。該器件具備-30V的漏極電壓(VDS)和±20V的柵極電壓(VGS)額定值,閾值電壓(Vth)為-2.5V。采用Trench技術(shù),具有低導通電阻(RDS(ON)),在VGS為4.5V時為11毫歐,在VGS為10V時為8毫歐,能夠提供最大-75A的漏極電流(ID)。設計用于負載開關(guān)和電流控制應用,具有優(yōu)異的導通特性和高功率處理能力。

### 4P03L11-VB TO263 MOSFET 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)      | 值                             |
|-----------|--------------------------------|
| 封裝      | TO263                          |
| 配置      | 單P溝道                        |
| 漏極電壓 (VDS) | -30V                          |
| 柵極電壓 (VGS) | ±20V                          |
| 閾值電壓 (Vth) | -2.5V                          |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 11mΩ                          |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V  | 8mΩ                           |
| 漏極電流 (ID) | -75A                           |
| 技術(shù)      | Trench                         |

### 4P03L11-VB TO263 MOSFET 的應用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 應用領(lǐng)域
1. **電源開關(guān)**:用于各種類型的電源管理和開關(guān)電路,包括電池管理系統(tǒng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. **汽車電子**:在汽車電子控制單元(ECU)中,用于電動汽車的電池管理和馬達控制系統(tǒng)。
3. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動化設備中的功率開關(guān)模塊,如PLC控制單元和電機驅(qū)動器。
4. **電源分配單元**:用于電力電子設備中的電源分配和電流管理單元,確保穩(wěn)定和高效的能量轉(zhuǎn)換。

#### 模塊舉例
1. **電動車電池管理**:4P03L11-VB 可用于電動車輛的電池管理系統(tǒng)中,控制電池充放電過程,確保安全和高效能量利用。
2. **工業(yè)自動化設備**:在各種工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率開關(guān)模塊,提供穩(wěn)定的電力管理和高效的電流控制。
3. **電源分配單元**:用于數(shù)據(jù)中心和通信基站等設備中的電源分配單元,保證設備的穩(wěn)定運行和電能轉(zhuǎn)換效率。

通過其負電壓漏極電壓額定值和高電流承受能力,4P03L11-VB TO263 MOSFET 適用于多種負載開關(guān)和功率控制應用,能夠提供可靠的電力管理和高效的能量轉(zhuǎn)換。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領(lǐng)域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    565瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    481瀏覽量