--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**4P0407-VB TO252**
4P0407-VB 是一款單P溝道MOSFET,采用TO252封裝。它具有負(fù)向電壓漏源極電壓(VDS)為-40V的特性,適用于需要處理負(fù)向電壓的電路設(shè)計(jì)。采用Trench技術(shù)制造,具備良好的導(dǎo)通特性和穩(wěn)定性。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜳溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:-40V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:13mΩ @ VGS = 4.5V, 6.8mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:-90A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**4P0407-VB TO252** MOSFET適用于多種領(lǐng)域和模塊,以下是幾個(gè)具體的示例:
1. **電源管理**:在各類電源管理電路中,特別是需要處理負(fù)向電壓和高電流的場(chǎng)合,如低壓電源開關(guān)電源模塊和筆記本電腦電源管理模塊中,4P0407-VB提供高效的電能轉(zhuǎn)換和電流控制能力。
2. **電動(dòng)工具**:用于電動(dòng)工具的電源控制模塊中,幫助實(shí)現(xiàn)電動(dòng)工具的高性能和長(zhǎng)時(shí)間工作,如電動(dòng)鉆、電動(dòng)鋸等工業(yè)和家庭用電動(dòng)工具。
3. **電動(dòng)車輛充電器**:在電動(dòng)車輛充電器中作為關(guān)鍵的電流開關(guān)器件,支持電動(dòng)車輛快速安全的充電過程,確保充電效率和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電源模塊中,確保設(shè)備的高效控制和穩(wěn)定運(yùn)行,適用于各種自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備和機(jī)械。
綜上所述,**4P0407-VB TO252** MOSFET因其負(fù)向電壓能力、低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的性能特性,適合于需要處理負(fù)向電壓和高電流的各種高性能電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和工業(yè)應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛