--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:4P04L06-VB TO252**
4P04L06-VB是一款單P溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。它適用于中高功率應(yīng)用,具有負(fù)漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性。該器件采用Trench技術(shù),結(jié)合優(yōu)化設(shè)計(jì),提供了高效的電氣性能和可靠性。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型(Package)**:TO252
- **配置(Configuration)**:單P溝道(Single P-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:-40V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 6.8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:-90A
- **技術(shù)(Technology)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
4P04L06-VB功率MOSFET適用于中高功率應(yīng)用,具體包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理(Power Management)**:
- **電源開關(guān)(Power Switching)**:用于負(fù)電壓電源開關(guān),如電源逆變器中的負(fù)壓開關(guān)和電路保護(hù)。
2. **電動車電池管理(Electric Vehicle Battery Management)**:
- 在電動車的電池管理系統(tǒng)中,用于電池充放電控制和保護(hù),確保電池系統(tǒng)的安全和高效運(yùn)行。
3. **工業(yè)自動化(Industrial Automation)**:
- 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,用于電機(jī)控制和功率傳輸管理,例如工廠設(shè)備的驅(qū)動電路和電動機(jī)控制器。
4. **電源逆變器(Power Inverters)**:
- 在要求負(fù)電壓操作的電源逆變器中,如太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器,用于電能轉(zhuǎn)換和電路保護(hù)。
5. **醫(yī)療設(shè)備(Medical Devices)**:
- 在高效能和低壓電源管理的醫(yī)療設(shè)備中,確保設(shè)備穩(wěn)定性和電能效率,例如醫(yī)療成像設(shè)備和激光手術(shù)設(shè)備。
通過以上示例,可以看出4P04L06-VB功率MOSFET在負(fù)電壓和高功率應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用性,其特有的負(fù)漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其成為多種電子設(shè)備中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它