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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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5R140P-VB TO220F一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 5R140P-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**型號:** 5R140P-VB TO220F  
**封裝:** TO220F  
**配置:** 單N溝道  
**VDS:** 650V  
**VGS:** 30(±V)  
**Vth:** 3.5V  
**RDS(ON):** 160mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 20A  
**技術:** SJ_Multi-EPI

5R140P-VB TO220F是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)和30V的柵極-源極電壓(VGS)。其開啟電壓(Vth)為3.5V,導通電阻(RDS(ON))為160mΩ(在VGS=10V時),最大連續(xù)漏極電流(ID)為20A。這款MOSFET采用SJ_Multi-EPI技術,結合了多重外延技術,適用于高電壓、高電流和低導通電阻的要求。

### 詳細參數說明

| 參數                | 數值        |
|-------------------|-----------|
| 型號                | 5R140P-VB TO220F |
| 封裝                | TO220F     |
| 配置                | 單N溝道     |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 650V       |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 30(±V)   |
| 門限電壓(Vth)      | 3.5V       |
| 導通電阻(RDS(ON))  | 160mΩ @ VGS=10V |
| 最大連續(xù)漏極電流(ID)| 20A        |
| 技術                | SJ_Multi-EPI |

### 應用領域與模塊舉例

1. **電動車充電樁(EV Charging Stations):**
  5R140P-VB TO220F MOSFET適用于電動車充電樁的直流充電模塊中。其高電流和低導通電阻特性使其能夠提供高效的電源開關控制,處理充電樁中的高電流要求,確保充電效率和速度。

2. **工業(yè)電源模塊(Industrial Power Modules):**
  在工業(yè)電源模塊中,這款MOSFET可以用作開關管,用于處理工廠設備和機械的電源控制。其高電壓能力和低導通電阻確保了工業(yè)設備的高效運行和可靠性。

3. **電力逆變器(Power Inverters):**
  在電力逆變器中,5R140P-VB TO220F MOSFET能夠幫助實現從直流電到交流電的高效能量轉換。它能夠處理逆變器中的高電壓和電流要求,提升逆變器的轉換效率和穩(wěn)定性。

4. **電動汽車驅動系統(Electric Vehicle Drive Systems):**
  在電動汽車的驅動系統中,這款MOSFET可以用于電動機控制電路,處理高電壓和高電流的要求。它能夠提供可靠的電機驅動和效率,支持電動汽車的高性能和長續(xù)航能力。

通過以上示例,5R140P-VB TO220F MOSFET展示了其在高壓、高電流和低導通電阻應用場景中的優(yōu)越性能,適合于電動車充電、工業(yè)電源和電動車驅動等多個領域的關鍵電路設計。

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