--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
**型號:5R250P-VB**
5R250P-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計(jì)用于高功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。具有650V的漏源電壓和20A的持續(xù)漏極電流能力,適合需要高電壓和大電流處理能力的應(yīng)用場合。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)工藝,提供了穩(wěn)定的導(dǎo)通特性和低導(dǎo)通電阻。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220F
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:20A
- **技術(shù)工藝**:SJ_Multi-EPI

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**電動汽車充電器:**
5R250P-VB 可以廣泛應(yīng)用于電動汽車充電器中的功率開關(guān)電路。其高漏源電壓和大電流承受能力使其能夠有效處理高功率充電需求,確保充電器的高效率和穩(wěn)定性。
**工業(yè)高壓電源:**
在工業(yè)高壓電源系統(tǒng)中,如高壓電源逆變器和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中,5R250P-VB 的高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻特性能夠提供可靠的電能轉(zhuǎn)換和功率控制,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和長壽命。
**太陽能逆變器:**
在太陽能逆變器中,需要能夠處理高電壓和電流的功率開關(guān)器件來實(shí)現(xiàn)太陽能電能的有效轉(zhuǎn)換。5R250P-VB 的優(yōu)異性能使其成為太陽能逆變器中的理想選擇,能夠提供穩(wěn)定可靠的功率轉(zhuǎn)換功能。
**電動工具驅(qū)動:**
在電動工具如電動錘、電動鋸等的電機(jī)驅(qū)動控制電路中,5R250P-VB 可以提供高效的電流開關(guān)控制,確保設(shè)備的高性能和長壽命。其大電流承受能力和低導(dǎo)通電阻特性使其在工業(yè)和家用電動工具中能夠穩(wěn)定可靠地工作。
以上示例展示了5R250P-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用,從而體現(xiàn)了其在高功率開關(guān)和電源管理領(lǐng)域中的重要性和實(shí)用性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它