--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:** 610Z-VB
**封裝:** SOT23-6
**配置:** 單P溝道
**VDS:** -30V
**VGS:** 20(±V)
**Vth:** -1.7V
**RDS(ON):**
- 54mΩ @ VGS=4.5V
- 49mΩ @ VGS=10V
**ID:** -4.8A
**技術(shù):** Trench

610Z-VB是一款單P溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝,適用于低功率開關(guān)和驅(qū)動電路。它具有-30V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS),以及-1.7V的門限電壓(Vth)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在不同柵極-源極電壓下為54mΩ(在VGS=4.5V時)和49mΩ(在VGS=10V時),最大漏極電流(ID)為-4.8A。采用Trench技術(shù)的設(shè)計,具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高效的功率管理能力。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|-------------------|-----------|
| 型號 | 610Z-VB |
| 封裝 | SOT23-6 |
| 配置 | 單P溝道 |
| 漏極-源極電壓(VDS) | -30V |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 20(±V) |
| 門限電壓(Vth) | -1.7V |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) | 54mΩ @ VGS=4.5V, 49mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏極電流(ID) | -4.8A |
| 技術(shù) | Trench |
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **移動設(shè)備(Mobile Devices):**
610Z-VB適用于各種移動設(shè)備中的電源管理和信號開關(guān)電路,如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式消費電子設(shè)備。其小尺寸和高效能量轉(zhuǎn)換特性能夠支持設(shè)備的節(jié)能和長時間使用。
2. **電池管理(Battery Management):**
在需要精確控制和高效能量轉(zhuǎn)換的電池管理系統(tǒng)中,610Z-VB可以作為電池保護(hù)和充放電控制的關(guān)鍵元件,確保電池的安全運行和最佳性能。
3. **自動化控制(Automation Control):**
在工業(yè)自動化和機(jī)器人控制系統(tǒng)中,需要快速響應(yīng)和可靠的電路開關(guān)。這款MOSFET可以用于驅(qū)動電機(jī)、執(zhí)行器和傳感器接口等關(guān)鍵部件。
通過以上示例,610Z-VB展示了其在低功率、移動設(shè)備、電池管理和自動化控制等多個領(lǐng)域中的應(yīng)用潛力,以支持各種需求下的電路設(shè)計和系統(tǒng)優(yōu)化。
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