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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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6R160C6-VB TO247一款Single-N溝道TO247的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 6R160C6-VB TO247
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO247
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 6R160C6-VB TO247 MOSFET Product Overview

**產(chǎn)品簡介詳述:**

6R160C6-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO247封裝。該MOSFET設(shè)計用于高壓、高電流應(yīng)用場合,提供卓越的功率開關(guān)性能和可靠性。它具有650V的漏極-源極電壓(VDS)額定值和±30V的柵極-源極電壓(VGS)容限。門限電壓(Vth)為3.5V,適合廣泛的工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用。在VGS為10V時,其導通電阻RDS(on)為75mΩ,保證了低導通損耗。該器件能夠持續(xù)承受高達47A的漏極電流(ID),采用了SJ_Multi-EPI技術(shù),結(jié)合了多晶硅和外延晶體管技術(shù)的優(yōu)勢。

### 6R160C6-VB TO247 MOSFET 詳細參數(shù)說明

**詳細參數(shù):**

- **器件配置:** 單N溝道
- **封裝類型:** TO247
- **漏極-源極電壓(VDS):** 650V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **門限電壓(Vth):** 3.5V
- **漏極-源極導通電阻(RDS(on)):**
 - VGS = 10V時:75mΩ
- **持續(xù)漏極電流(ID):** 47A
- **技術(shù)特點:** SJ_Multi-EPI(多晶硅外延晶體管技術(shù))

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:**

6R160C6-VB TO247 MOSFET適用于多種領(lǐng)域和模塊,包括:

1. **工業(yè)電力電子:**
  - 用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的開關(guān)電源、逆變器和變頻器,支持高效率和高功率的電力轉(zhuǎn)換。

2. **電動汽車充電器:**
  - 在電動車充電樁和快速充電設(shè)備中使用,支持高電流充電和電能轉(zhuǎn)換效率。

3. **太陽能逆變器:**
  - 在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的DC-AC轉(zhuǎn)換,支持太陽能電站和戶用太陽能系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

4. **電力傳輸和分配:**
  - 用于電力傳輸和配電系統(tǒng)中的電源開關(guān)和控制,確保電網(wǎng)穩(wěn)定性和能源效率。

5. **醫(yī)療設(shè)備:**
  - 在醫(yī)療設(shè)備的電源管理和控制中使用,如高頻電療設(shè)備和影像診斷設(shè)備。

6. **電動工具和家用電器:**
  - 在高功率電動工具和家電設(shè)備中的電源控制和電機驅(qū)動,確保高效能和可靠性。

通過將6R160C6-VB TO247 MOSFET應(yīng)用于這些領(lǐng)域和模塊,設(shè)計者可以實現(xiàn)更高的性能、可靠性和能效,滿足復雜電子系統(tǒng)的需求,并推動技術(shù)在高功率應(yīng)用中的應(yīng)用和發(fā)展。

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