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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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6R750E6-VB TO252一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 6R750E6-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

MOSFET型號(hào):6R750E6-VB  
封裝:TO252  
配置:?jiǎn)蜰溝道  
耐壓(VDS):650V  
柵極-源極電壓(VGS):±30V  
閾值電壓(Vth):3.5V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):700mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):7A  
技術(shù):SJ_Multi-EPI

### 參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類(lèi)型(Package):** TO252,適合中功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能和緊湊的封裝尺寸。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開(kāi)關(guān)和線性控制應(yīng)用。
- **耐壓(VDS):** 650V,適合要求較高耐壓的電源和驅(qū)動(dòng)電路。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V,支持廣泛的驅(qū)動(dòng)電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V,確??煽康拈_(kāi)關(guān)操作。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 700mΩ @ VGS=10V,適中的導(dǎo)通電阻,有助于降低導(dǎo)通時(shí)的功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 7A,能夠處理中等電流負(fù)載。
- **技術(shù)特性(Technology):** SJ_Multi-EPI,采用多重EPI工藝,提升了器件的性能和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源管理和逆變器:** 6R750E6-VB適用于電源管理和逆變器模塊,提供穩(wěn)定的高電壓轉(zhuǎn)換效率,廣泛用于工業(yè)電源和太陽(yáng)能逆變器中。
  
2. **電動(dòng)車(chē)輛充電器:** 在電動(dòng)車(chē)輛充電器中,這款MOSFET可以用于電池管理和充電控制,確保高效和安全的充電過(guò)程。
  
3. **工業(yè)控制系統(tǒng):** 由于其適中的電流處理能力和耐壓特性,適合用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)和電源管理,保證設(shè)備的穩(wěn)定性和長(zhǎng)期運(yùn)行。

這些示例展示了6R750E6-VB在不同領(lǐng)域和應(yīng)用模塊中的廣泛應(yīng)用,顯示出其在中功率和高穩(wěn)定性要求下的優(yōu)良表現(xiàn)。

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